半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件的制造方法，首先，在布线形成区域（Ｒ１）形成第一金属布线（１０２），在密封环区域（Ｒ２）上形成第二金属布线（１０３）。其次，通过化学机械研磨法或蚀刻，使第一金属布线及第二金属布线的上部凹入，形成凹部（１１０）。然后，在基板上形成掩埋凹部的第二绝缘膜（１０４），使其表面平坦化。其次，将孔状图形（１０６）及沟槽状图形（１０７）形成到第二绝缘膜的途中，进行灰化或聚合物的除去。然后，使孔状图形及沟槽状图形达到第一金属布线及第二金属布线。根据本发明专利技术，在形成孔状图形和密封环用的沟槽状图形时，防止沟槽状图形和孔状图形达到下面的布线层，从而防止布线层中的金属腐蚀。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是，涉及在布线层上具有接触导体部的。
技术介绍
近年来，半导体集成电路的微细化，高集成化进展显著。随着微细化的进展，可以缩短由于晶体管的动作引起的延迟时间，但由于布线电阻及寄生电容增加，所以，布线延迟时间的缩短变得很困难。作为缩短布线延迟时间的对策，为了降低布线电阻，作为代替过去的铝的布线材料，采用电阻率更低的铜。此外，为了降低寄生电容，作为层间绝缘膜等的材料，采用低介电常数的绝缘膜。对于铜而言，进行蚀刻比较困难。因此，在利用铜形成布线时，采用在利用镶嵌法在绝缘膜上形成孔状图形或沟槽状图形之后，将铜埋入的方法。不过，对于半导体器件的芯片，为了保护设置在芯片内的晶体管及布线等不受外部的湿气的影响，形成称之为密封环的沟槽状图形。密封环以包围晶体管或布线的周围的方式形成。密封环与用于形成孔状图形(通孔)的蚀刻的同时形成。孔状图形及用于密封环的沟槽状图形，利用下述方法形成。首先，为了形成孔状图形及沟槽状图形，以光致抗蚀剂作为掩模，将层间绝缘膜除去到中间的深度。这里，之所以在中途将工序停止，是因为，假如在该时刻位于孔状图形及沟槽状图形的布线层露出的话，在以后进行除去光致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基板，设置在上述半导体基板上方的第一绝缘膜，设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，设置在上述第一绝缘膜及上述布线层上的第二绝缘膜，设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，贯穿 上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述布线层的至少一个接触导体部，其中，在上述布线层的上部设置有凹部，上述第二绝缘膜中位于上述布线层上部的部分的膜厚，大于上述第二绝缘膜中位于上述第一绝缘膜上部的部分的膜厚。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-26 2003-3351851.一种半导体器件，包括半导体基板，设置在上述半导体基板上方的第一绝缘膜，设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，设置在上述第一绝缘膜及上述布线层上的第二绝缘膜，设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述布线层的至少一个接触导体部，其中，在上述布线层的上部设置有凹部，上述第二绝缘膜中位于上述布线层上部的部分的膜厚，大于上述第二绝缘膜中位于上述第一绝缘膜上部的部分的膜厚。2.如权利要求1所述的半导体器件，上述布线层为第一布线层，上述接触导体部是第一接触导体部，还包括设置在上述第一绝缘膜的至少上部的第二布线层，以及贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述第二布线层的第二接触导体部，上述第二绝缘膜中位于上述第一布线层上部的部分的膜厚，大于上述第二绝缘膜中位于上述第二布线层上部的部分的膜厚。3.如权利要求2所述的半导体器件，上述第一布线层的宽度，比上述第二布线层的宽度大。4.如权利要求2所述的半导体器件，在上述第一布线层的侧方，形成伪布线层。5.如权利要求2所述的半导体器件，上述第一接触导体部具有矩形或带状的平面形状，上述第二接触导体部具有圆形或正方形的平面形状。6.如权利要求2所述的半导体器件，上述第一布线层及上述第一接触导体部，是设置成环状的密封环。7.如权利要求1所述的半导体器件，在上述半导体基板内设置有元件，上述布线层与上述元件电连接。8.如权利要求1所述的半导体器件，上述第二绝缘膜是含有碳的硅绝缘膜。9.一种半导体器件，包括半导体基板，设置在上述半导体基板的上方的第一绝缘膜，设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，覆盖上述布线层的上部的耐氧化性导体膜，设置在上述第一绝缘膜及上述耐氧化性导体膜上的第二绝缘膜，设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、达到上述耐氧化性导体膜的至少一个接触导体部。10.如权利要求9所述的半导体器件，上述耐氧化性导体膜是在上述布线层的上部区域引入氮的氮引入层。11.如权利要求9所述的半导体器件，上述耐氧化性导体膜是氮化钛。12.如权利要求9所述的半导体器件，上述布线层是第一布线层，上述耐氧化性导体膜是设置在上述第一布线层上的第一耐氧化性导体膜，上述接触导体部是第一接触导体部，还包括设置在上述第一绝缘膜的至少上部的第二布线层，覆盖上述第二布线层上部的第二耐氧化性导体膜，贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述第二耐氧化性导体膜的第二接触导体部，上述第一接触导体部与上述第二接触导体部相比，其上面的面积大。13.如权利要求12所述的半导体器件，上述第一接触导体部具有矩形或带状的平面形状，上述第二接触导体部，具有圆形或正方形的平面形状。14.如权利要求12所述的半导体器件，上述第一布线层及上述第一接触导体部，是设置成环状的密封环。15.如权利要求9所述的半导体器件，在上述半导体基板内设置有元件，上述布线层与上述元件电连接。16.如权利要求9所述的半导体器件，上述第二绝缘膜是含有碳的硅绝缘膜。17.一种半导体器件的制造方法，包括以下工序在半导体基板的上方形成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶野俊介，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]