半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种大电流对应型的低温多晶硅薄膜晶体管，可很大程度抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明专利技术的半导体装置在具有玻璃基板１０、主动层１２，以及在其上隔着栅极绝缘膜１３所形成的栅极电极１４的ＴＦＴ中，在沟道区域１２ｃ的下方或整个主动层１２的下方设置散热用底部金属层ＢＭ，而得以将驱动ＴＦＴ时沟道区域１２ｃ所产生的热量散发到ＴＦＴ外部为其特征。再者，本发明专利技术的半导体装置的特征是在上述构成外，底部金属层ＢＭ为与栅极电极１４或主动层１２的源极区域１２ｓ连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
技术区域本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及作为功率装置所用的半导体装置。
技术介绍
在液晶显示器和有机电致发光(electrofluorescence，简称EL)显示装置等显示装置中，用于像素部和外围电路的薄膜晶体管(TFT)之一，已知有低温多晶硅TFT(Low Temperature Poly-Si TFT，简称LTPS-TFT)。LTPS-TFT为将可在低温(可利用玻璃基板的温度)多结晶化的多晶硅作为主动层的TFT，这种TFT的载流子迁移速率快，适于驱动或开关使用玻璃基板的显示装置的像素。其次，参照附图说明公知的LTPS-TFT的构成。图3显示公知的LTPS-TFT的构成剖面图。图3的剖面图仅显示n沟道型TFT的构造。绝缘膜21在玻璃基板20上形成，在绝缘膜21上形成由低温多晶硅构成的主动层22。在主动层22的源极区域22s与漏极区域22d之间，形成沟道区域22c。在此，源极区域22s与漏极区域22d分别由掺入高浓度杂质的n+层与掺入低浓度杂质的n-层构成，而形成具有所谓低掺杂浓度的漏极(Lightly Doped Drain)的构造。在沟道区域22c上，隔着栅极绝缘膜23形成栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包含：玻璃基板；具有源极区域、沟道区域和漏极区域，并形成在该玻璃基板上的主动层；以及在对应该主动层的该沟道区域的位置，隔着栅极绝缘膜所形成的栅极电极；其中至少对应该沟道区域设有散热用金属层。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-30 2003-3406531.一种半导体装置，其包含玻璃基板；具有源极区域、沟道区域和漏极区域，并形成在该玻璃基板上的主动层；以及在对应该主动层的该沟道区域的位置，隔着栅极绝缘膜所形成的栅极电极；其中至少对应该沟道区域设有散热用金属层。2.如权利要求1所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山良一，山野耕治，武田安弘，广泽孝司，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]