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本发明提供一种大电流对应型的低温多晶硅薄膜晶体管，可很大程度抑制大电流驱动时自我加热所引起的特性恶化。本发明的半导体装置在具有玻璃基板１０、主动层１２，以及在其上隔着栅极绝缘膜１３所形成的栅极电极１４的ＴＦＴ中，在沟道区域１２ｃ的下方或整个...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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