半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内具有底层介质层；在底层介质层内形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一金属层，第一金属层的顶部表面低于底层介质层的顶部表面；在第一金属层、第一凹槽的部分侧壁上以及基底上形成第一介质层，第一介质层和底层介质层之间具有刻蚀选择比；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层和第一介质层之间具有刻蚀选择比；刻蚀第二介质层，直至暴露出第一介质层，形成开口；刻蚀去除开口暴露出的第一介质层，直至暴露出第一金属层表面，形成通孔。本发明专利技术实施例提供的半导体结构的形成方法，可以自对准形成通孔，减小互连结构电阻，提高半导体结构的性能。体结构的性能。体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的制作向超大规模集成电路(ULSI)发展，其内部的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线(Interconnect)。为了配合元件缩小后所增加的互连线需求，利用通孔实现多层金属互连线的设计，成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。
[0003]然而，随着半导体工艺节点的不断减小，半导体器件中的金属互连线越来越密集、互连结构的关键尺寸(CD)也越来越小；相应的，形成互连结构的工艺难度也越来越大，而互连结构的形成质量对后段(Back End Of Line，BEOL)电路的性能影响很大，严重时会影响半导体结构的正常工作。
[0004]现有互连结构的形成工艺技术已经不能满足半导体制造的要求，现有技术形成的半导体结构的电学性能有待提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，可以自对准形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有底层介质层；在所述底层介质层内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一金属层，所述第一金属层的顶部表面低于所述底层介质层的顶部表面；在所述第一金属层、所述第一凹槽的部分侧壁上以及所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层和所述底层介质层之间具有刻蚀选择比；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层和所述第一介质层之间具有刻蚀选择比；刻蚀所述第二介质层，直至暴露出所述第一介质层，形成开口；刻蚀去除所述开口暴露出的所述第一介质层，直至暴露出所述第一金属层表面，形成通孔。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述底层介质层的材料与所述第一介质层的材料不同，所述底层介质层的材料包括SiO2、Si3N4、SiOC、SiON、SiCN、SiC和SiCOH中的一种或多种；所述第一介质层的材料包括SiO2、Si3N4、SiOC、SiON、SiCN、SiC、SiCOH、Al2O3、AlN、WC、HfO2、Ta2O5和AlNO中的一种或多种。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料与所述第一介质层层的材料不同，所述第二介质层的材料包括SiO2、Si3N4、SiOC、SiON、SiCN、SiC和SiCOH中的一种或多种。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽内形成第一金属层的方法包括：在所述第一凹槽侧壁和底部上以及所述基底上形成第一金属材料膜；对所述第一金属材料膜进行回流处理，形成填充所述第一凹槽的第一金属层，所述第一金属层的顶部表面低于所述基底的顶部表面。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料包括Cu、Co、Ru、Al和Ag中的一种或多种。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述回流处理的工艺参数包括：在200～500℃温度下，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：