半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区；在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成位于第一栅极结构侧壁表面和顶部表面的介质结构；在第一区上的介质结构内形成暴露出第一源漏掺杂区表面的第一开口；在第一开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层；对第一源漏掺杂区进行第一离子注入；在第一离子注入之后，在衬底上形成暴露出第一区的掩膜层；以掩膜层为掩膜对第一源漏掺杂区进行第二离子注入；在第二离子注入之后，去除掩膜层；去除掩膜层之后，回刻蚀初始隔离层，直至暴露出第一源漏掺杂区表面，在第一开口侧壁形成第一隔离层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。能得到提升。能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]金属互连结构是半导体器件中不可或缺的结构，用于实现有源区与有源区之间的互连、晶体管和晶体管之间的互连、或者不同层金属线之间的互连，完成信号的传输和控制。因此，在半导体制造过程中，金属互连结构的形成对半导体器件的性能以及半导体制造成本有着很大的影响。为了增加器件的密度，在集成电路中的半导体器件的尺寸已经被不断减小，为了实现各个半导体器件的电连接，通常需要多层互连结构。
[0003]一般的，在半导体器件制造过程的后端互连工艺中，第一层金属层(M1)需要与下层的有源器件结构(包含源漏区域和栅极结构区域)之间形成电学连接。因此，在形成第一层金属层之前，通常需要预先形成半导体器件的局部互连结构(Local Interconnect)。所述局部互连结构包含：与下层的源漏区之间电连接的第零层金属层(M0)、以及与栅极结构之间电连接的第零层栅金属层(M0G)。
[0004]然而，现有技术中具有局部互连结构的半导体结构的制造工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成介质结构，所述介质结构位于所述第一栅极结构侧壁表面和顶部表面；在第一区上的介质结构内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一源漏掺杂区表面；在第一开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层；对所述第一源漏掺杂区进行第一离子注入；在进行第一离子注入之后，在衬底上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出所述第一区；以所述掩膜层为掩膜，对所述第一源漏掺杂区进行第二离子注入；在进行第二离子注入之后，去除所述掩膜层；去除所述掩膜层之后，回刻蚀所述初始隔离层，直至暴露出第一源漏掺杂区表面，在第一开口侧壁形成第一隔离层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括第二区；所述形成方法还包括：在第二区上形成第二栅极结构，在第二栅极结构两侧的衬底内形成第二源漏掺杂区，所述介质结构位于所述第二栅极结构侧壁表面和顶部表面。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行第一离子注入之前，还包括：在第二区上的介质结构内形成第二开口，所述第二开口暴露出所述第二源漏掺杂区表面；还在第二开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层；所述掩膜层还位于所述第二开口内。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：所述第一离子注入的工艺还对所述第二源漏掺杂区进行第一离子注入。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的第一离子包括第四主族离子或惰性气体离子。6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层之后，还包括：回刻蚀第二区上的初始隔离层，直至暴露出第二源漏掺杂区表面，在第二开口侧壁形成第二隔离层；形成第一隔离层和第二隔离层之后，在所述第一开口内形成第一导电结构，所述第一导电结构与所述第一源漏掺杂区电连接，在所述第二开口内形成第二导电结构，所述第二导电结构与所述第二源漏掺杂区电连接。7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的形成方法包括：在衬底上形成初始掩膜层；去...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘盼盼，王彦，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：