温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区；在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成位于第一栅极结构侧壁表面和顶部表面的介质结构；在第一区上的介质结构内形成暴露出第一源漏掺杂区表面...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。