半导体结构及其形成方法技术

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和辅助区，所述辅助区位于所述鳍片区的外侧，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；补强层，位于所述半导体衬底表面和所述若干鳍片的部分侧壁；隔离层，位于所述补强层表面；缓冲隔离结构，位于所述辅助区且贯穿所述隔离层。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在所述辅助区形成缓冲隔离结构，所述缓冲隔离结构可以平衡所述若干鳍片中最外侧的鳍片受到的应力，避免所述若干鳍片中最外侧的鳍片由于应力不平衡而倾斜甚至弯折，解决鳍片缺陷问题，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业继续按比例缩小半导体器件的尺寸，鳍式场效应晶体管(FinFET)等三维结构的设计成为半导体领域关注的热点。
[0003]然而现在的FinFET中仍然存在鳍片有缺陷的问题，需要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以解决FinFET结构中鳍片存在缺陷的问题，提高产品良率。
[0005]本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和辅助区，所述辅助区位于所述鳍片区的外侧，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；在所述半导体衬底表面和所述若干鳍片顶面和侧壁形成补强层；在所述补强层表面形成隔离材料层；在所述辅助区形成贯穿所述隔离材料层的沟槽；在所述沟槽中形成缓冲隔离结构。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和辅助区，所述辅助区位于所述鳍片区的外侧，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；在所述半导体衬底表面和所述若干鳍片顶面和侧壁形成补强层；在所述补强层表面形成隔离材料层；在所述辅助区形成贯穿所述隔离材料层的沟槽；在所述沟槽中形成缓冲隔离结构。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中形成缓冲隔离结构的方法包括可流动的化学气相沉积工艺。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述缓冲隔离结构进行湿退火工艺；去除部分所述缓冲隔离结构、所述补强层和所述隔离材料层，暴露出所述鳍片的顶面和部分侧壁，剩余所述隔离材料层形成隔离层。4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述缓冲隔离结构、所述补强层和所述隔离材料层的方法包括化学机械研磨工艺和刻蚀工艺。5.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述暴露出的鳍片顶面和侧壁形成栅氧层。6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述隔离层、所述缓冲隔离结构和所述栅氧层表面形成栅极层。7.如权利要求1所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，吴倩倩，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：