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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和辅助区，所述辅助区位于所述鳍片区的外侧，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；补强层，位于所述半导体衬底表面和所述若干鳍片的部分侧壁；隔离层，位于...
该专利属于中芯南方集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯南方集成电路制造有限公司授权不得商用。

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