【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、刻蚀工艺是半导体制造工艺中常见的一种工艺手段。刻蚀工艺可以在需要进行刻蚀的膜层上刻蚀形成设计好的图案。随着半导体工艺核心尺寸的缩小，需要刻蚀形成的图案的尺寸也随之缩小。然而，刻蚀工艺中想要缩小形成的图案的尺寸并不容易。
2、目前常规的可以缩小刻蚀图案的方案包括：1)改进光刻工艺的最小尺寸，但这需要改进光刻工艺中光源的波长(比如euv光刻工艺)，这种方案成本高，对光刻机要求高，会受到光刻机的限制；2)用sadp或saqp等自对准技术来实现刻蚀图案的尺寸缩小，然而这种方案一般工艺复杂，成本高。
3、因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，可以实现刻蚀图案的缩小，并且工艺简单，成本低。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以实现刻蚀图案的缩小，并且工艺简单，成本低。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面包括目标刻蚀层；在所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标刻蚀层的材料包括硅、锗。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层中形成图案化的若干改性区的方法包括离子注入工艺。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层和改性区表面形成图案化的硬掩膜层的方法包括：
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标刻蚀层的材料包括硅、锗。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层中形成图案化的若干改性区的方法包括离子注入工艺。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括：
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标刻蚀层和改性区表面形成图案化的硬掩膜层的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑利平，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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