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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面包括目标刻蚀层，所述目标刻蚀层中形成有图案化的若干改性区，所述图案化的若干改性区和所述目标刻蚀层的刻蚀选择比大于5，相邻改性区之间的距离为第一距离，单个改性区的宽度...
该专利属于中芯南方集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯南方集成电路制造有限公司授权不得商用。

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