【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。更具体地，涉及在与磁致电阻效应膜的膜面垂直的方向上流动检测电流的结构的磁致电阻效应元件、及使用它的磁头、磁再生装置和磁存储器。
技术介绍
近年来，由于随着磁记录媒体的小型化和大容量化，读出信息时的再生用磁头与磁记录媒体的相对速度减小，所以很期待有即使相对速度小也可以取出大的输出的MR头。对此，已报告有用铁磁性层/非磁性层/铁磁性层的夹层结构，即使在铁磁性层不进行反铁磁性结合时也实现了大的磁致电阻效应的例子。即，向夹着非磁性层(称为“间隔层”或“中间层”等)的两层铁磁性层中的一个(称为“钉扎层”或“磁化固定层”等)上施加交换偏磁场把磁化固定，用外部磁场(信号磁场等)使另一个铁磁性层(称为“自由层”或“磁化自由层”等)磁化反转。由此，通过改变夹着非磁性层配置的两个铁磁性层的磁化方向的相对夹角，获得大的磁致电阻效应。把这种多层膜叫作“自旋阀”。由于自旋阀可以用低磁场使磁化饱和，适合用于MR磁头，已实用化。但是，其磁致电阻变化率最大也不过约20％，很希望有磁致电阻变化率更高的磁致电阻效应元件。在磁致电阻效应元...
【技术保护点】
一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁 化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层 的厚度≥２ｎｍ。
【技术特征摘要】
JP 2003-12-25 2003-4315711.一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。2.根据权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于上述磁化自由层是(Fe100-xCox)100-yNiy层(0≤x≤85，0≤y≤50)、或者(Fe100-xCox)100-yNiy层(0≤x≤85，0≤y≤50)和Ni100-xFex层(15≤x≤25)的层叠膜，上述(Fe100-xCox)100-yNiy层(0≤x≤85，0≤y≤50)与上述非磁性中间层相接触。3.根据权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于上述磁化自由层是{(Fe100-xCox)100-yNiy}100-zM1z层(0≤x≤85，0≤y≤50，0＜z＜10，M1是从Cu、Au、Ag、Pt、Re、B中选出的至少一种元素)，或者{(Fe100-xCox)100-yNiy}100-zM1z层(0≤x≤85，0≤y≤50，0＜z＜10，M1是从Cu、Au、Ag、Pt、Re、B中选出的至少一种元素)和(Ni100-xFex)100-zM2z层(15≤x≤25，0＜z＜10，M2是从Cu、Au、Ag、Pt、Re、B中选出的至少一种元素)的层叠膜，上述{(Fe100-xCox)100-yNiy}100-zM1z层(0≤x≤85，0≤y≤50，0＜z＜10，M1是从Cu、Au、Ag、Pt、Re、B中选出的至少一种元素)与上述非磁性中间层相接触。4.根据权利要求1所述的磁致电阻效应元件，其特征在于上述磁化自由层是插入了至少一层M1金属层(M1是从Cu、Au、Ag、Pt、Re、B中选择的至少一种元素)的铁磁性结合的(Fe100-xCox)100-yNiy层(0≤x...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤浅裕美，福泽英明，桥本进，岩崎仁志，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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