本发明专利技术提供电光及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓镧晶体调Q激光器。该激光器包括激光晶体Nd:YAG，谐振腔、LGS晶体组件，激光泵浦系统,高压脉冲调Q电源组成，激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦源和脉冲激光电源组成，谐振腔由全反镜、偏振片、LGS晶体组件和输出镜组成。该激光器克服现有高重频脉冲激光器由于热致双折射效应严重导致激光功率降低光束恶化的缺陷，得到结构紧凑高质量高功率高重频脉冲激光器。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种调Q固体激光器，特别是一种采用硅酸镓(La3Ga5SiO4，简称LGS)作为电光开关和旋光补偿的调Q激光器。
技术介绍
激光二极管(LD)抽运的固体激光器(DPSSL)以其转换效率高、光束质量好、结构紧凑、使用和维护方便等优点得到了人们的广泛关注。尤其是高重复率窄脉宽固体激光器，在激光雷达、空间通信、激光测距以及激光精细加工等领域都有着十分重要的应用。通常，获得高重复率、窄脉宽纳秒量级激光脉冲输出的高效率固体激光器主要采用被动开关可饱和吸收体，如Cr4+: YAG晶体或声光主动开关作为调元件阵，其重复频率典型值为千赫兹到百千赫兹。但这两种开关技术都存在明显的不足，即可饱和吸收体的被动开关可以获得窄脉冲，但其输出稳定性差，且单脉冲能量较低，难以实现精确同步输出。属于主动调制的声光开关，尽管很好地解决了同步问题，但其开关速度较慢，所得的脉冲脉 宽较大，典型值在几十纳秒到上百纳秒。而利用非线性晶体的电光效应制成的电光开关，不但具有很强的关通能力，而且响应速度达到纳秒甚至亚纳秒量级，很容易获得IOns以下的稳定脉冲输出。传统的KD*P、LN和KTP晶体，由于受其本身的电导率值、电光系数、压电环效应等因素的制约，制成的开关的重复频率难以有效提高。随着新型电光晶体RTP (RbTi0P04), BBO ( β -BaB20)和LGS (La3Ga5Si04)的出现，电光开关的重复频率得到极大的提升，实现了几赫兹到百千赫兹范围的全覆盖。特别LGS是一种新型具有旋光性的电光晶体，利用激光在谐振腔中来回振荡的原理和旋光晶体中波矢量反向回转偏振面旋转的角移为零这一特性，同时利用其横向电光效应，已实现了其作为电光晶体在高功率脉冲调Q激光器中的应用。但是激光器在高重复频率条件下，由于其温度及应力改变使得激光晶体折射率变化，导致产生热透镜效应和热致双折射，引起激光脉冲的畸变降低了激光光束质量及激光功率。目前国内外常用的热致双折射补偿方法是在两个激光晶体中间插入90度旋光晶体。但是此类办法不仅额外引入插入损耗并且使得腔结构复杂。
技术实现思路
本专利技术专利针对现有技术的不足，提供一种电光调Q及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓晶体调Q激光器，克服现有高重频脉冲激光器由于热致双折射效应严重导致激光功率降低光束恶化的缺陷，得到结构紧凑高质量高功率高重频调Q激光器。旋光性是指单色平面偏振光沿光轴方向通过晶体后，其偏振面会发生转动，转动的角度与晶片的厚度成正比。LGS晶体具有旋光性，在波长1064nm入射光下，LGS旋光率为I. Γ /mm。本专利采用两块8*8*41mm的LGS晶体，其两端面均镀有增透膜，晶体X方向为电场加压方向，Z方向为通关方向，加压表面镀金电极。LGS晶体置于两个激光泵浦腔中间，使得激光束电场的每个分量都旋转90度。在第一个激光棒中成径向偏振的模式，在第二个激光棒中就变成切向偏振，光束的每个部分都通过两个激光棒中相同的区域，所以在一个棒中产生的迟滞被另一个棒抵消。利用这种技术，可以实现激光器的双折射补偿。同时在LGS晶体上通过施加直流I/ 4波电压来实现关门作用，瞬间退掉电压实现激光谐振腔的开门，产生脉冲激光输出。结合附图I描述激光器结构。整个激光器主要由激光增益介质，LGS晶体组件，激光泵浦系统组成。激光增益介质为Nd:YAG晶体。两根晶体为孪生晶体，尺寸掺杂浓度完全一致。各端面均镀有1064nm增透膜。激光泵浦系统由两个半导体泵浦源和脉冲激光电源组成，重复频率ΙΟΗζ-ΙΚΗζ可调。LGS晶体组件与高压脉冲调Q电源，偏振片共同组成硅酸镓电光晶体调Q激光器。旋光晶体由两块串联放置于两个半导体泵浦模块之间，长度分别为41mm的LGS晶体组成，晶体的端面均镀有1064nm增透膜。其中一块LGS晶体在x方向加高压，关门电压随晶体纵横比的大小可调，无需防潮装置。通过调整施加于LGS晶体电光调Q开关上的电压和转动LGS晶体电光调Q开关，使激光器输出能量为零(关门状态)。瞬间退掉电压，经过偏振器的平面偏振光通过LGS晶体后，其偏振面转过了角度Φ,经激光腔的全反镜反射后，其偏振面转过了角度-Φ。由于光束来回两次通过LGS晶体，使因晶体旋光性产生的偏振面旋转角度为0，实现激光谐振腔的开门，产生脉冲激光·输出，从而实现了退压式LGS晶体电光调Q开关激光器的运转。谐振腔采用平凹腔结构，腔型稳定紧凑。附图说明附图为本激光器结构示意图，其中I为激光晶体Nd:YAG，2为半导体泵浦腔，3为泵浦电源，4为电光Q开关电路，5为LGS晶体,6为偏振片,7为输出镜,8为全反镜。具体实施例方式附图中Nd: YAG棒晶体I尺寸为3mmX68mm，Nd3+惨杂浓度O. 8%,端面锻1064nm高透的介质膜；半导体泵浦2作为侧面泵浦，重频ΙΟΗζ-ΙΚΗζ可调，脉宽200us，使用水循环冷却，工作温度控制在25°C±1°C ;实验采用平-凹腔结构，8为凹面全反镜，曲率R=L 5m，镀1064nm高反膜；7为输出镜，透过率40% ；5LGS作为电光及旋光晶体，每块Z向长度l=41mm,X方向宽度ω=8 mm, Y方向宽度d=8 mm,横向电光效应,X方向加电场,Z方向通光。Q开关控制电路4产生约为300(T4000V可调。泵浦开始时，由泵浦电源触发高压模块，给电光晶体LGS加直流的λ/4电压来实现腔的关断；调节延时时间，使上能级粒子数积累到最大，瞬间退掉电压，实现激光谐振腔的开门状态，产生脉冲激光输出。使用退压式工作方式时，腔内所需元器件少，一个高压电源模块独立工作，只需对反转粒子数的积累的时间进行调节，操作简单，节约成本。权利要求1.一种电光调Q及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓晶体调Q激光器，包括激光晶体Nd:YAG，谐振腔、LGS晶体组件，激光泵浦系统，高压脉冲调Q电源组成，其特征在于激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦源和脉冲激光电源组成，谐振腔由全反镜、偏振片、LGS晶体组件和输出镜组成。2.如权利要求I所述的硅酸镓晶体调Q激光器，其特征在于所述的LGS晶体组件由两块41_长的LGS晶体串联放置于两个半导体泵浦模块之间。3.如权利要求I所述的硅酸镓调Q激光器，其特征在于所述的激光晶体Nd:YAG为两根尺寸完全相同的孪生晶体，放置于LGS晶体组件的两边。4.如权利要求I所述的硅酸镓调Q激光器，其特征在于所述的半导体泵浦模块和全反镜之间设有起偏器。全文摘要本专利技术提供电光及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓晶体调Q激光器。该激光器包括激光晶体Nd:YAG，谐振腔、LGS晶体组件，激光泵浦系统,高压脉冲调Q电源组成，激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦源和脉冲激光电源组成，谐振腔由全反镜、偏振片、LGS晶体组件和输出镜组成。该激光器克服现有高重频脉冲激光器由于热致双折射效应严重导致激光功率降低光束恶化的缺陷，得到结构紧凑高质量高功率高重频脉冲激光器。文档编号H01S3/127GK102946043SQ20121047587公开日2013年2月27日 申请日期2012年11月22日 优先权日2012年11月22日专利技术者郑晖, 黄见洪, 林文雄, 史斐, 李锦辉, 翁文, 戴殊韬, 刘华刚 申请人:中国科学院福建物质结构研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电光调Q及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓晶体调Q激光器，包括激光晶体Nd:YAG，谐振腔、LGS晶体组件，激光泵浦系统,高压脉冲调Q电源组成，其特征在于：激光泵浦系统由两个相同的半导体泵浦源和脉冲激光电源组成，谐振腔由全反镜、偏振片、LGS晶体组件和输出镜组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑晖，黄见洪，林文雄，史斐，李锦辉，翁文，戴殊韬，刘华刚，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：
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