本实用新型专利技术提供一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体和出射偏振片构成。本实用新型专利技术通过三片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体和出射偏振片构成。本技术通过三片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。【专利说明】一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器
本技术涉及光纤通讯领域内的光器件，特别涉及一种使用三片短波长法拉第 旋光体制作的长波长隔离器。
技术介绍
自由空间隔离器的用途是防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以 及光路系统产生的不良影响。主要应用在光传输系统（产品如：光收发射器等）和激光器 封装（产品如：激光二极管模块、光纤仪器仪表等）。随着国内外光通讯行业的迅猛发展， 应用的领域越来越广泛。而传统的自由空间隔离器波长范围只能达到leiOnm，实际应用中 需要的更高波长的隔离器无法达到。 有害气体的探测，一直是全世界都在积极研究和解决的共同难题，传统的探测方 式受限于设备体积、测量不准确，必须接触等缺点。根据有害气体的光谱特性，其振动频率 和165〇? 2〇OOmn光谱特性一致的原理，需使用高波长的隔离器，装配在激光器，确保精确 量测。
技术实现思路
本技术提供一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决 现有的光隔离器适用波长短的问题。 本技术的技术方案是这样实现的：一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的 长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离 芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋 光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体和出射偏振片构成。 其中，优选地，所述第一法拉第旋光体为波长为599nm的法拉第旋光体，所述第二 法拉第旋光体为波长为5"nm的法拉第旋光体，所述第三法拉第旋光体为波长为599nm的 法拉第旋光体。 其中，优选地，所述第一法拉第旋光体为波长为581nm的法拉第旋光体，所述第二 法拉第旋光体为波长为581nm的法拉第旋光体，所述第三法拉第旋光体为波长为581nm的 法拉第旋光体。 其中，优选地，入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、所述第三法 拉第旋光体和出射偏振片的横截面为正方形。 本技术的有益效果： 本技术通过三片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成 本缩短周期。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现^技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术一个实施例的剖面图； 图2为图1的俯视图； ' 图中，1·外封管，2·磁环，3.隔离芯片，31.入射偏振片，32.第一法拉第旋光体， 33·第二法拉第旋光体，34.第三法拉第旋光体，35·出射偏振片，36.光学粘合剂。 【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的 实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 如图1和图2所示，本实施例提供一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波 长5离器，包括外封管1和磁环2,磁环2套接于外封管1内，磁环2内粘接有隔离芯片3， 隔离芯片3通过光学粘合剂36粘合由叠放在在一起的入射偏振片31、第一法法拉第旋光 体、第二法拉第旋光体33、第三法拉第旋光体34和出射偏振片35构成。 其中，第一法拉第旋光体32为波长为599mn的法拉第旋光体，第二法拉第旋光体 33为波长为599nm的法拉第旋光体，第三法拉第旋光体34为波长为599nm的法拉第旋光 体。通过三片59 9nm法拉第旋光体，可以实现我们需要的1795皿1隔离器功能。 其中，入射偏振片31、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体33、第三法拉第旋 光体Μ和出射偏振片％的横截面为正方形。通光学粘合剂36粘合在磁环2内。 在本技术中，法拉第旋光体也可为以下波长：第一法拉第旋光体32为波长为 581nm的法拉第旋光体，第二法拉第旋光体33为波长为581nm的法拉第旋光体，第三法拉第 旋光体34为波长为581nm的法拉第旋光体。通过三片581nm法拉第旋光体，可以实现我们 需要的1742nm隔离器功能。 工作原理：专利技术由入射偏振片、三片法拉第旋光体、出射偏振片及磁环等组成。当 波长为λ。的光正向通过时： (1) 其中 【权利要求】1. 一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述 磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，其特征在于：所述隔离芯片通过光 学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第 三法拉第旋光体和出射偏振片构成。2. 根据权利要求1所述的一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其 特征在于：所述第一法拉第旋光体为波长为599nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光 体为波长为599nm的法拉第旋光体，所述第三法拉第旋光体为波长为599nm的法拉第旋光 体。3. 根据权利要求1所述的一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其 特征在于：所述第一法拉第旋光体为波长为581nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光 体为波长为581nm的法拉第旋光体，所述第三法拉第旋光体为波长为581nm的法拉第旋光 体。4. 根据权利要求1?3任一项所述的一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长 隔离器，其特征在于：所述入射偏振片、所述第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、所述 第三法拉第旋光体和出射偏振片的横截面为正方形。【文档编号】G02F1/09GK204086729SQ201420427214【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日 【专利技术者】李卫超 申请人:河南省鑫宇光实业有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种使用三片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，其特征在于：所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体、第三法拉第旋光体和出射偏振片构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李卫超，
申请(专利权)人：河南省鑫宇光实业有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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