【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高纯镓制备
，特别是涉及一种结晶法制备高纯镓的晶种添加与气氛保护装置。
技术介绍
随着GaAs、GaP、GaN等无机半导体材料在光电子、微电子等高新技术行业的广泛应用，高纯度金属镓的制备方法与生产工艺已成为了冶金行业的重点攻关课题之一。结晶法作为制备高纯度金属镓的主要方法之一，其是通过使液态镓沿着一定的方向进行部分凝固，利用杂质元素在不同相态中的分布差异，使杂质元素在液态镓和固态镓中重新分布而得到较纯的金属镓，从而达到精制提纯金属镓的目的。由于受到杂质元素偏析系数的影响，提纯过程一般需要经过多次的重复结晶，才能使产品达到所需要求，也被称为重结晶法。因为结晶法对设备要求简单，操作过程简便，生产周期相对较短，是最有希望实现高纯度金属镓工业化生产的方法。在目前已公开的技术资料中，虽然提供了很多利用结晶法制备高纯度金属镓的方案，但是公开的方案中仍然存在以下两点问题:①每次结晶结束移出残镓后，需要将固态镓熔化后再移出结晶器，并重新涂敷籽晶或添加晶种，导致晶种添加不便；②由于结晶器为开口式结构，需要在无尘车间或者在真空手套箱内进行操作，导致提纯过...
【技术保护点】
一种结晶法制备高纯镓的晶种添加与气氛保护装置，其特征在于：包括端盖、升降杆、支架及垂直通管，在所述端盖中心开设有螺纹孔，所述升降杆设置为螺纹杆，升降杆通过端盖中心的螺纹孔安装在端盖上；所述端盖与结晶器顶端密封连接配合；所述支架连接在升降杆下端，所述垂直通管下端固定连接在支架上，垂直通管上端通过端盖上开设的通孔位于端盖上方；在所述支架外端设置有支脚，支脚与结晶器内壁接触配合；在所述端盖与支架之间开设有进气孔道。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。