盘状物体的湿处理方法技术

本发明专利技术涉及用第一液体和至少一种第二液体在盘状物体的规定表面上对盘状物体进行处理的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种盘状物体，尤其是晶片的主表面的规定区域的湿处理方法。
技术介绍
下面详细说明对于临近盘状物体，特别是晶片的边缘的规定区域进行处理的原因。例如，诸如硅晶片的晶片可以在所有各边上具有二氧化硅涂层。对于后面的工序(例如，如果要施加金层或多晶硅(多晶体硅)层)，可能至少在主表面的边缘区域和任选地在其圆周表面区域和/或第二主表面的区域中，必须从晶片上去除存在的涂层。这是通过可细分为干蚀刻法和湿蚀刻法的蚀刻法完成的。也可能需要从半导体衬底的主表面的一定区域上去除预先通过电镀施加的金属(例如，铜)。在这种情况下，该区域可能是临近边缘的环状部分或正好是其上设有结构(器件边)或其上没有结构，即无芯片区的主表面的区域。从临近边缘的各部分中去除各层的一个原因如下。在不同的工艺中一层接一层地施加很多不同的层。这些层也覆盖晶片的边缘区域。在传送晶片的过程中，在所述边缘区域中以或多或少的固态形式接触该晶片。这会导致层的破裂。由此产生可能会污染晶片表面的粒子。
技术实现思路
本专利技术的目的是，用液体对盘状物体进行处理，诸如对各层进行湿蚀刻。用处理液将待处理的晶片的表面部分弄湿并去除待去除的层或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种盘状物体的处理方法，至少在盘状物体的规定边缘区域中使用第一液体和至少一种第二液体，该第一液体与第二液体不同，该方法的特征在于包括下列连续步骤：１．１将盘状物体移至掩模附近，使盘状物体与掩模的距离ａ１等于或大于０ｍｍ，并使掩模在盘 状物体的待处理区域中与盘状物体交迭；１．２施加第一液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；１．３将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离ａ２；１．４去除保留在盘状物体上的第一液体的残留物；１．５将掩模和盘状 物体之间的距离减少为距离ｂ１；１．６施加第二液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间...

【技术特征摘要】
AT 2002-3-6 A348/20021.一种盘状物体的处理方法，至少在盘状物体的规定边缘区域中使用第一液体和至少一种第二液体，该第一液体与第二液体不同，该方法的特征在于包括下列连续步骤1.1 将盘状物体移至掩模附近，使盘状物体与掩模的距离a1等于或大于0mm，并使掩模在盘状物体的待处理区域中与盘状物体交迭；1.2 施加第一液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；1.3 将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离a2；1.4 去除保留在盘状物体上的第一液体的残留物；1.5 将掩模和盘状物体之间的距离减少为距离b1；1.6 施加第二液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；1.7 将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离b2；1.8 去除保留在盘状物体上的第二液体的残留物。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一液体从盘状物体上去除第一层，第二液体处理露出的表面。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，第二液体蚀刻露出的表面。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，第二液体蚀刻露出的表面，以去除位于下面的第二层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，距离a2或b2为距离a1或b1的至少一倍半。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将两种液体中的至少一种施加于与掩模相反的一侧上，该液体沿盘状物体的周边流动并然后穿过掩模和盘状物体之间的区域。7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在与掩模相反的...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里萨克斯，
申请(专利权)人：SEZ股份公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]