盘状物体的湿处理方法技术

本发明专利技术涉及用第一液体和至少一种第二液体在盘状物体的规定表面上对盘状物体进行处理的方法。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种盘状物体，尤其是晶片的主表面的规定区域的湿处理方法。
技术介绍
下面详细说明对于临近盘状物体，特别是晶片的边缘的规定区域进行处理的原因。例如，诸如硅晶片的晶片可以在所有各边上具有二氧化硅涂层。对于后面的工序(例如，如果要施加金层或多晶硅(多晶体硅)层)，可能至少在主表面的边缘区域和任选地在其圆周表面区域和/或第二主表面的区域中，必须从晶片上去除存在的涂层。这是通过可细分为干蚀刻法和湿蚀刻法的蚀刻法完成的。也可能需要从半导体衬底的主表面的一定区域上去除预先通过电镀施加的金属(例如，铜)。在这种情况下，该区域可能是临近边缘的环状部分或正好是其上设有结构(器件边)或其上没有结构，即无芯片区的主表面的区域。从临近边缘的各部分中去除各层的一个原因如下。在不同的工艺中一层接一层地施加很多不同的层。这些层也覆盖晶片的边缘区域。在传送晶片的过程中，在所述边缘区域中以或多或少的固态形式接触该晶片。这会导致层的破裂。由此产生可能会污染晶片表面的粒子。
技术实现思路
本专利技术的目的是，用液体对盘状物体进行处理，诸如对各层进行湿蚀刻。用处理液将待处理的晶片的表面部分弄湿并去除待去除的层或杂质，或在该表面部分中施加层。在用液体进行处理的过程中，盘状物体可以静止或旋转(例如，沿其自身的轴)。因此，本专利技术的目的在于，提供处理盘状物体的表面上的规定部分的可能。还能够在其它物体中处理2mm以上的边缘区(从盘状物体的外边缘测量)。在这种情况下，也不必由向外或向内的环形线限制区域。也可以由多边形限制待处理区域。当盘状物体涉及半导体晶片时，所述限制线可以对应于芯片所位于的表面的区域(“器件区”)。因此，外面的无晶片区域是待处理的。本专利技术的目的还在于，例如，为了在规定的边缘区域中从盘状物体去除两个层或多个层，用两种或多种相互不同的液体连续地处理规定区域。这在同一蚀刻液体不对两个层都进行腐蚀的情况下是特别有问题的。下面的例子用于说明该问题。在硅晶片的块状硅上直接施加层A。在层A上施加层B。层A由二氧化硅制成，即，是适于由氢氟酸腐蚀的层。层B是铜，即，是仅由强氧化剂腐蚀的层。一方面，强氧化剂一般不腐蚀二氧化硅。另一方面，氢氟酸难于腐蚀铜。具体实施例方式在最一般的实施例中，本专利技术提出了一种至少在盘状物体的规定边缘区域中用第一液体和至少一种第二液体对盘状物体进行处理的方法，而第一液体与第二液体不同。可以选择组分或其浓度使两种液体有别。例如，这里应将处理理解为湿蚀刻、湿洗或电化学处理(电腐蚀、电涂敷(电镀))。也可以通过表面转变(氧化)以湿化学的方式处理表面。该方法包括下列连续的步骤●将盘状物体移至掩模附近，使盘状物体与掩模的距离a1等于或大于0mm，并使掩模在盘状物体的待处理区域中与盘状物体交迭；●施加第一液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；●将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离a2；●去除保留在盘状物体上的第一液体的残留物；●将掩模和盘状物体之间的距离减少为距离b1；●施加第二液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；●将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离b2； ●去除保留在盘状物体上的第二液体的残留物。但是，以前仅能用单一液体处理具有掩模的规定的边缘区域，现在本方法可以用几种不同的液体连续处理规定的边缘区域。本方法另外具有所述不同的液体不相互混合的优点。在本方法的实施例中，第一液体从盘状物体上去除第一层，第二液体处理露出的表面。第二液体可以蚀刻露出的表面。当露出的表面进一步是第二层的表面时，第二液体可以蚀刻露出的表面，使得仅减薄或同样去除所述第二层。第一层以及第二层都可以包含一个或多个分层的不同材料，分层的共同的方面在于，可以用相同的液体(蚀刻液)蚀刻或去除它们。但是，以前仅可以蚀刻可用一种蚀刻剂去除的各层的组合，现在本方法还可以从规定的边缘区域去除需要不同的蚀刻剂的各层的组合。根据本方法的有利的实施例，距离a2或b2是距离a1或b1的至少一倍半。由此，基本增加了破坏由于盘状物体和掩模之间的毛细作用力而保持的液膜的可能性。在本方法的另一实施例中，将至少两种蚀刻液体中的至少一种施加于与掩模相反的一侧上，该液体在盘状物体的周边上沿边缘流动，并然后穿过掩模和盘状物体之间的区域。通过这种方式，可以在盘状物体的整个边缘上均匀地分布蚀刻液体。因此，还同时可以至少部分去除盘状物体的与掩模相反的一侧上的至少一个层。待去除的层的至少一种材料可以由下列组构成二氧化硅(热氧化物，TEOS(四乙氧基硅烷))、氮化硅、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钴、金、银、铂、钨、硅化钨、多晶硅、铜、铝、硅酸盐玻璃(氟化硅酸盐玻璃、硅酸硼玻璃(BSG)、硅酸磷硼玻璃(PBSG)、硅酸磷玻璃(PSG)、未掺杂硅酸盐玻璃(USG))、钛酸硼锶(BST)、钛酸铅锆(PZT)。至少一种材料可以选自钛、氮化钛、钽、氮化钽、钴、金、银、铂、钨、硅化钨、多晶硅、铜、铝，且另一种材料选自氮化硅、二氧化硅、硅酸盐玻璃。一组包含可以用氧化蚀刻剂优选地去除的材料，而另一组包含用包含氢氟酸的蚀刻剂去除的材料。在有利的方法中，用甩去第一蚀刻溶液的保留的残留物的方式去除保留在盘状物体上的第一蚀刻溶液的残留物。在另一实施例中，通过用液体清洗，去除保留在盘状物体上的第一蚀刻溶液的残留物。两个实施例都防止由于在盘状物体的表面上保留蚀刻剂的残留物而发生腐蚀。并且，在整个处理过程中，承载体和与承载体组合的晶片还可以旋转。可以通过提升或降低盘状物体，增加和减少掩模和盘状物体之间的距离。结果，掩模可以以固定的方式与承载体接合。在有利的方法中，以通过喷气管吹向面对掩模的盘状物体的表面的方式，即，通过分别改变垂直作用于盘状物体的表面的气流的速度分量，提升或降低盘状物体。其优点是，不必接触面对承载体的盘状物体的表面。取而代之，形成该表面进一步远离掩模的悬挂状态。可以以不同的方式增加垂直作用于盘状物体的表面上的气流的速度分量。增加或甚至仅启动以倾斜或垂直的方式引导到盘状物体的表面上的多个喷气管的气流，或者改变以倾斜的方式引导到盘状物体的表面上的多个喷气管的位置，使得以更剧烈的方式向盘状物体的表面引导喷气管。在本方法的实施例中，在蚀刻处理中，由周边上的夹持元件保持盘状物体。这里，可以用这样一种方式更方便提升或降低盘状物体，即，在提升或降低盘状物体的过程中夹持元件不与物体接触。为此，可以暂时打开夹持元件(即，保持销)。下面，参照可以实施要求保护的方法的图7说明器件。该器件包括包含基体4和环形件2的承载体11(夹盘)。通过垫片41以与基体一定的距离将环形件紧固于基体上。环形件面向晶片的表面为平面，即，与晶片的主表面平行。将销3(保持销)紧固于可以相对于承载体11的旋转轴A沿径向向外移动并可以在周边上封闭晶片W的环形件2上。销3具有小圆柱的形状，其轴与晶片的表面垂直。在基体4中含有通往喷气管46和49并面向晶片的面对承载体11的表面的气体导管44和45。以向外倾斜的方式设置喷管46和49。位置靠近里面的喷管49的位置的倾斜程度小于位置靠近外面的喷管46，这意味着，位置靠近外面的喷管46排出的气流G1与位置靠近里面的喷管49排出的气流G2相比，以较平的角度冲击晶片表面。位于里面的喷管49以及位于外面的喷管46本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种盘状物体的处理方法，至少在盘状物体的规定边缘区域中使用第一液体和至少一种第二液体，该第一液体与第二液体不同，该方法的特征在于包括下列连续步骤：１．１将盘状物体移至掩模附近，使盘状物体与掩模的距离ａ１等于或大于０ｍｍ，并使掩模在盘 状物体的待处理区域中与盘状物体交迭；１．２施加第一液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；１．３将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离ａ２；１．４去除保留在盘状物体上的第一液体的残留物；１．５将掩模和盘状 物体之间的距离减少为距离ｂ１；１．６施加第二液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；１．７将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离ｂ２；１．８去除保留在盘状物体上的第二液体的残留物。

【技术特征摘要】
AT 2002-3-6 A348/20021.一种盘状物体的处理方法，至少在盘状物体的规定边缘区域中使用第一液体和至少一种第二液体，该第一液体与第二液体不同，该方法的特征在于包括下列连续步骤1.1 将盘状物体移至掩模附近，使盘状物体与掩模的距离a1等于或大于0mm，并使掩模在盘状物体的待处理区域中与盘状物体交迭；1.2 施加第一液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；1.3 将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离a2；1.4 去除保留在盘状物体上的第一液体的残留物；1.5 将掩模和盘状物体之间的距离减少为距离b1；1.6 施加第二液体，以使其保留在掩模和盘状物体之间的区域中；1.7 将掩模和盘状物体之间的距离增加到距离b2；1.8 去除保留在盘状物体上的第二液体的残留物。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一液体从盘状物体上去除第一层，第二液体处理露出的表面。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，第二液体蚀刻露出的表面。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，第二液体蚀刻露出的表面，以去除位于下面的第二层。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，距离a2或b2为距离a1或b1的至少一倍半。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将两种液体中的至少一种施加于与掩模相反的一侧上，该液体沿盘状物体的周边流动并然后穿过掩模和盘状物体之间的区域。7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在与掩模相反的...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里萨克斯，
申请(专利权)人：SEZ股份公司，
类型：发明
国别省市：AT[奥地利]