选择性蚀刻方法技术

一种选择性蚀刻方法，包括：　　　　－在基材上提供选自组Ａ的第一材料，所述组Ａ包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料，　　　　－在基材上提供选自组Ｂ的第二材料，　　　　－通过液体蚀刻剂，以对所述第二材料具有至少１５∶１的选择性，选择性地蚀刻所述第一材料，其中液体蚀刻剂以足够快的流动流过该基材表面以产生平行于该基材表面的最小值０．１ｍ／ｓ的平均速度ｖ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及选择性蚀刻基材之上的第一材料的方法，该方法对第二材料具有高选择性。这种选择性蚀刻可以用于半导体元件制造方法或半导体基材制造方法。因此所述基材可以是半导体晶片。该方法可以用于诸如应变硅的薄单晶半导体层的成功的整合。SiGe的薄层可以用作应变硅外延生长的基材。由于Ge的原子比Si更大，因此SiGe合金的晶格常数可以通过Ge含量来调整。对于使用SiGe作为生长应变硅的基材来说，典型的Ge含量为20-30原子％。之后SiGe被移除，由此扮演了牺牲层的角色。剩余的应变硅具有增强的电子特性，其中电子和空穴流动更快，导致晶体管性能增加20-30％。应变硅也用于与绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator)(SOI)技术的结合，由此形成应变-SOI(Strained-SOI)。基于SOI的晶片是使用了在单晶硅表面下的薄绝缘体(通常为氧化硅)，由此允许具有较少电气损失的较高速度。该方法描述于US6603156，内容如下SOI结构及其制造方法，其中应变硅层直接置于绝缘体之上，与对于将应变硅直接置于应变-诱导(例如SiGe)层的现有需求相反。一般来说，该方法需要在应变-诱导层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种选择性蚀刻方法，包括-在基材上提供选自组A的第一材料，所述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料，-在基材上提供选自组B的第二材料，-通过液体蚀刻剂，以对所述第二材料具有至少15∶1的选择性，选择性地蚀刻所述第一材料，其中液体蚀刻剂以足够快的流动流过该基材表面以产生平行于该基材表面的最小值0.1m/s的平均速度v。2.权利要求1的方法，其中所述液体以连续流动方式分配在基材上，并且在该基材表面上延展。3.权利要求2的方法，其中该液体流的冲击点按时间顺序移动通过该基材表面。4.权利要求2的方法，其中所述液体以至少0.05l/min(特别是至少0.5l/min)的体积流量分配。5.权利要求1的方法，其中将所述基材旋转同时暴露于所述液体蚀刻剂。6.权利要求1的方法，其中所述组A包括基于至少两种不同化学元素的具有半导体性能的材料，其中至少一种所述元素选自金属和/或半金属，且另一种所述元素选自半金属。7.权利要求1的方法，其中组B包括具有半导体性能的材料，诸如硅(例如块硅、多晶硅、应变硅、绝缘体上硅、绝缘体上应变硅)、或硅化物(例如硅化锡(SnSi)、硅化钛(...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·瓦格纳，
申请(专利权)人：SEZ股份公司，
类型：发明
国别省市：