薄膜的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜形成方法，其制作工序包括：在基板表面形成含有表面活性剂的薄膜的表面活性剂膜形成工序、使基板和含有二氧化硅衍生物的气相接触从而形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的气相生长工序、煅烧所述的薄膜形成的基板从而分解除去所述的表面活性剂的工序。本发明专利技术形成的电介质薄膜空孔度高，机械强度好，生产率高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体而言，是涉及使用了气相生长法的薄膜形成方法。
技术介绍
在半导体装置的高速化、低耗电量化当中，层间绝缘膜的低介电常数化是一个重要课题。虽然对低介电常数化作出种种努力，但关于以往的半导体装置，提出下述几种方法(1)在无机绝缘膜的氧化硅膜中添加氟。(2)作为基体材料形成低介电常数的有机绝缘材料。(3)刻意形成多孔膜。采用方法(1)时存在的问题是，因为会损坏绝缘膜的耐潮性，根据元素比值只能添加到最大数％，和以往的二氧化氧化硅层间绝缘膜相比，比介电常数只能减少10％到15％。采用方法(2)时存在的问题是，因采用有机材料，所以耐热性以及机械强度明显不如以往的氧化硅层间绝缘膜，降低半导体元件的可靠性。采用方法(3)时，因为多孔结构是随机形成的，显著降低层间绝缘膜的机械强度，也不具有CMP(机械化学研磨)耐受性，所以包装时容易破损，是半导体元件可靠性降低的原因。而且，多数情况下不关闭多孔结构，多孔结构不关闭就会显著降低层间绝缘膜的耐潮性，成为半导体元件可靠性降低的原因。如此，以往的绝缘膜无法充分降低介电常数，而且，其机械强度也不够好。于是，本专利技术者们提议的方法是按要求的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：在基板表面形成含有表面活性剂的膜的表面活性剂膜形成工序；使所述的基板和含有二氧化硅衍生物的气相接触、形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的气相生长工序；煅烧形成有所述薄膜的基板，分解除去所 述表面活性剂的工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-4 057855/20021.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括在基板表面形成含有表面活性剂的膜的表面活性剂膜形成工序；使所述的基板和含有二氧化硅衍生物的气相接触、形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的气相生长工序；煅烧形成有所述薄膜的基板，分解除去所述表面活性剂的工序。2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述的气相生长工序是形成含有具有硅氧烷骨架的二氧化硅衍生物以及表面活性剂的薄膜的工序，且所述二氧化硅衍生物的空孔呈周期性排列。3.根据权利要求1或者2所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述的气相生长工序的实施条件是基板温度在180以上。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述的分解去除工序包括在300～400℃进...

【专利技术属性】
技术研发人员：西山宪和，奥良彰，田中俊辅，上山惟一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]