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本发明公开了一种薄膜形成方法，其制作工序包括：在基板表面形成含有表面活性剂的薄膜的表面活性剂膜形成工序、使基板和含有二氧化硅衍生物的气相接触从而形成含有二氧化硅衍生物的薄膜的气相生长工序、煅烧所述的薄膜形成的基板从而分解除去所述的表面活性剂...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

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