使用金属-金属键接络合物的分子电子器件制造技术

本发明专利技术提供一种分子器件，它包括源极区和漏极区，在其间延伸的分子介质，和在源极区、漏极区和分子介质之间的电绝缘层。在本发明专利技术的分子器件内的分子介质是具有金属－金属键接络合物单层和有机单层的交替单层的薄膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及分子器件，它包括源极区和漏极区，在其间延伸的分子介质，和在源极区、漏极区和分子介质之间的电绝缘层。更特别地，本专利技术涉及分子器件，其中分子介质是具有金属-金属键接络合物单层和有机单层的交替单层的薄膜。2.现有技术的说明在过去三十年来，相当大的进展在于了解含多个金属-金属键的双核化合物。已深入地研究了这些化合物的实验和理论特征两方面。这些研究尤其在下述方面提供大量的信息双核核心的反应性，金属-金属相互作用的强度，金属基轨道之间的电子迁移和包括金属向配体的电荷迁移的那些，双核核心的氧化还原活性，和这些性能之间的关系(参见，例如Cotton，Walton，Multiple Bonds Between Metal Atoms，2nd Ed.，Oxford，1993)。技术上集中在双核化合物的重要应用上的努力已导致许多有前景的研究领域，如无机液晶(参见，例如Chisholm，Acc.Chem.Res.，2000，33，53)、抗肿瘤剂(参见，例如Hall等，J.Clin.Hematol.Oncol.，1980，10，25)，和均相和光解催化剂(参见，例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分子器件，它包括：　　　　源极区和漏极区；　　　　在所述源极区和所述漏极区之间延伸的分子介质；和　　　　在所述源极区、所述漏极区和所述分子介质之间的电绝缘层。

【技术特征摘要】
US 2002-4-5 10/117,7891.一种分子器件，它包括源极区和漏极区；在所述源极区和所述漏极区之间延伸的分子介质；和在所述源极区、所述漏极区和所述分子介质之间的电绝缘层。2.权利要求1的分子器件，其中所述源极区和所述漏极区是电极。3.权利要求1的分子器件，其中所述电极和所述分子介质置于基材上。4.权利要求1的分子器件，进一步包括与所述分子介质间隔相邻地布置的栅极区。5.权利要求4的分子器件，其中所述栅极区置于基材之上和所述绝缘层之下。6.权利要求1的分子器件，其中所述源极区、所述漏极区和所述分子介质置于所述绝缘层之上，和其中所述绝缘层置于所述基材之上。7.权利要求1的分子器件，其中所述源极区、所述漏极区和在其间布置的所述分子介质以垂直排列的方式置于绝缘材料之上，所述绝缘材料是基材。8.权利要求7的分子器件，进一步包括置于所述基材和所述源极区、所述漏极区和所述分子介质之间的栅极区。9.权利要求1的分子器件，其中所述分子介质是分子开关介质。10.权利要求1的分子器件，其中所述分子介质包括具有金属-金属键接络合物单层和有机单层的交替单层的薄膜。11.权利要求10的分子器件，其中所述薄膜通过包括下述步骤的方法制备(1)将式G1-连接基a-G2表示的第一连接基化合物施加到基材表面上，在所述基材上产生所述第一连接基化合物的底层，其中G1是能与所述基材的所述表面相互作用的官能团；G2是能与金属-金属键接络合物相互作用的官能团；和连接基a是键接到G1和G2上的有机双官能团；(2)将金属-金属键接络合物施加到所述底层上，在所述底层上产生金属-金属键接络合物的单层；所述金属-金属键接络合物选自由下式表示的化合物及其结合 其中Lax是轴向配体；Leq是平伏配体；其中两个平伏配体一起形成双齿配体 其中各 独立地选自和 配体；M是过渡金属；其中 是各自独立地选自SO42-、MoO42-、WO42-、ZnCl42-和二羧酸基中的桥连基团；和其中m是1-25中的整数，和n是0-6；(3)将式G3-连接基b-G4表示的第二连接基化合物施加到所述金属-金属键接络合物单层上，在所述金属-金属键接络合物单层上产生有机单层；其中G3和G4是能与金属-金属键接络合物相互作用的相同或不同的官能团；和连接基b是单键或键接到G3和G4上的有机双官能团；和任选地(4)按序重复步骤(2)和(3)至少一次，产生具有金属-金属键接络合物单层和有机单层的交替单层的所述逐层生长的薄膜。12.权利要求11的分子器件，其中在所述金属-金属键接络合物内的所述过渡金属选自Cr24+、Mo24+、Re26+、Re25+、Re24+、Ru25+、Ru26+、Rh24+及其结合。13.权利要求11的分子器件，其中所述基材选自金属、金属氧化物、半导体材料、金属合金、半导体合金、聚合物、有机固体及其结合。14.权利要求13的分子器件，其中所述基材选自Au、ITO、SiO2和电极。15.权利要求11的分子器件，其中所述薄膜具有1-100层金属-金属键接络合物单层和有机单层的交替单层。16.权利要求10的分子器件，其中所述薄膜通过包括下述步骤的方法制备(a)将包括下述的溶液施加到基材表面上(i)选自下式表示的化合物的金属-金属键接络合物及其结合 其中Lax是轴向配体；Leq是平伏配体；其中两个平伏配体一起形成双齿配体 其中各 独立地选自和 配...

【专利技术属性】
技术研发人员：CR卡干，C林，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]