制造多层封装件的方法技术

技术编号:3201128 阅读:115 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种制造多层封装件的方法,该方法确保易于敷设焊膏或焊剂。所述方法包括形成第一封装件,其包括在其上设置有突起的第一基板,以及形成第二封装件,其包括设置在其上对应于所述突起的第二基板,将焊膏或焊剂敷设在第一封装件的突起上,并且将第一封装件的所述突起和第二封件的电极焊盘电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,更特别地涉及这样一种,该方法确保易于敷设焊膏或焊剂以不受第二封装件的结构形状限制地互连第一封装件的突起和第二封装件的相应的电极焊盘。
技术介绍
半导体装置阵列的紧密互连扩宽了它们的应用范围。在这点上,已经提出了使用以空间节约效应紧密排列的两个或多个半导体芯片的各种阵列结构。多芯片模块(MCM)技术已经得到发展,其中多个半导体芯片被安装在一个封装件上。被重叠起来的两个或多个封装件的多层封装件技术也得到了发展。现在对通常的多层半导体封装件进行描述。通常,用于诸如球栅阵列(BGA)半导体封装件的半导体封装件的制造方法包括将在其上具有多个半导体芯片的晶片切割成单个芯片(切割工序),将这些半导体芯片粘合(bonding)到预先准备好的印刷电路板(PCB)的预定区域(半导体芯片的粘合工序),使用导线将所述半导体芯片和PCB的所述预定区域互连(焊线工序),用封装装置封装所述半导体芯片从而保护所述半导体芯片不受外部环境的影响(成型工序),将用作所述PCB输入/输出端子的焊球连接到PCB的表面(焊球连接工序),以及将所述PCB切割成预定的半导体封装单元(单切(singulation)工序)。因此所制造的两个或多个半导体封装件的组件被称为多层封装件。将半导体封装件安装在一个系统板表面上的表面安装技术被公开在韩国专利No.0398716中。根据所述公开的方法,在芯片电极上具有焊料突起的封装件被粘合到印有焊膏的电路板或中间基板上。但是,根据所述公开的专利,仅对焊料突起和焊膏的材料进行了描述,而对把所述焊膏敷设到所述电路板或所述封装件焊料突起的方法没有进行描述。传统上,通过将焊剂或焊膏孔版印刷在形成于所述半导体基板或第二封装件上的电极焊盘上,从而将具有焊料突起的第一封装件安装在半导体基板或第二封装件上。但是,这种孔版印刷在封装件到封装件的安装中存在问题,不同于封装件到半导体基板的安装。也就是说,在形成经由突起将多个封装件重叠的多层封装件的情况下,各封装件具有对应于在其上突起的电极焊盘,由于所述封装件的半导体基板的分开结构的存在,使得焊料或焊膏难于通过孔版印刷敷设到某个封装件上。以下,将会通过结合附图1对制造多层封装件的传统方法进行说明。图1是一剖视图,示出一种制造多层封装件的传统方法,其中两个封装件重叠在一起。参考图1,传统的多层封装件包括上部封装件160和下部封装件165。如上所述,所述上部封装件160通过执行晶片切割工序,半导体芯片粘合工序,焊线工序,成型工序,焊球连接工序以及单切工序而形成。所述下部封装件165除了第二微电子半导体芯片125利用翻转芯片135代替焊线130被安装在第二基板115上以外,与上部封装件160以相同的方式形成。所述上部封装件160的第一突起150被电连接到相应的下部封装件165的电极焊盘157上。这里,焊剂175被预先施加到与第一突起150相连的所述下部封装件165的电极焊盘157上。所述焊剂175的敷设一般通过孔版印刷进行。但是,在下部封装件165中其上具有第二微电子半导体芯片125的情况下,如图1所示,在电极焊盘157上孔版印刷所述焊剂175可能是困难的。在图1中,附图标记110指示第一基板,附图标记120指示第一微电子芯片,每个附图标记140和145指示封装装置,以及附图标记155指示第二突起。
技术实现思路
本专利技术提供一种,该方法确保易于敷设焊膏,以不受第二封装件的结构形状的限制地互连第一封装件的突起和第二封装件的相应电极焊盘。本专利技术还提供一种,该方法确保易于敷设焊剂,以不受第二封装件的结构形状的限制地到互连第一封装件的突起和第二封装件的相应电极焊盘。根据本专利技术的一个方面,一种包括形成包括在其上设置有突起的第一基板的第一封装件,以及形成包括在其上设置有对应于所述突起的电极焊盘的第二基板的第二封装件,将焊剂敷设到第一封装件的突起上,并且将第一封装件的突起和第二封装件的电极焊盘电连接。根据本专利技术的另一个方面,包括形成包括在其上设置有突起的第一基板的第一封装件,以及形成包括在其上设置有对应于所述突起的电极焊盘的第二基板的第二封装件,将焊剂敷设到第一封装件的突起上,并且将第一封装件的所述突起和第二封装件的电极焊盘电连接。还是根据本专利技术的另一个方面,包括形成包括在其上设置有突起的第一基板的第一封装件,以及形成包括在其上设置有对应于所述突起的电极焊盘的第二基板的第二封装件,运用点蘸工具将焊膏敷设到第二封装件的电极焊盘上,并且将第一封装件的所述突起和第二封装件的电极焊盘电连接。仍旧是根据本专利技术的另一个方面,包括形成包括在其上设置有突起的第一基板的第一封装件,以及形成包括在其上设置有对应于所述突起的电极焊盘的第二基板的第二封装件,运用点蘸工具将焊剂敷设到第二封装件的电极焊盘上,并且将第一封装件的所述突起和第二封装件的电极焊盘电连接。附图说明本专利技术的上述和其它特点及优点将会结合附图并且结合对本专利技术的示例性实施例所做的详细说明而变得更加显而易见。图1是一剖面图,示出一种制造多层封装件的传统方法,其中两个封装件重叠在一起;图2A至2D是横截面图,它们顺序示出根据本专利技术实施例的多层封装件的制造过程;图3是横截面图,示出根据本专利技术另一个实施例的多层封装件的制造方法;以及图4A和4B是图3中部分A的放大的横截面图。具体实施例方式本专利技术的优点和特点以及实现本专利技术的方法通过参考下面对优选实施例的说明以及附图更易于理解。但是,本专利技术可以用许多不同的方法来实现并且不应受到在这里所述的实施例的限制。然而,所提供的这些实施例将会是完整而全面的,并且会向本领域技术人员完全地传递本专利技术的概念,以及本专利技术仅由所附的权利要求书所限定。在整个说明书中,相同的附图标记指示相同的元件。本专利技术的下列的实施例构成高频微型处理器,专用集成电路(ASIC)产品,或诸如动态随机访问存储器(DRAMs)以及静态随机访问存储器(SRAMs)的高速存储装置。这些装置的绝大多数具有多管脚输入/输出端口。对于多管脚结构,构成这些装置的绝大多数封装件可由塑料或陶瓷的管脚栅格阵列(PGA)封装、基板栅格阵列(LGA)封装、球状栅格阵列(BGA)封装、四边引出扁平封装或导线架封装形成。在此可用的基板可以是印刷电路板(PCB)、陶瓷基板、金属基板或硅基板,该基板可以被用于诸如PGA封装、LGA封装、BGA封装、四边引出扁平封装以及导线架封装的封装件中。通常,根据所使用的密封剂,封装可以被分类成树脂密封封装,薄膜封装(TCPs),玻璃密封封装以及金属密封封装。封装也可以根据安装技术被分类成插入技术类型(DIPs)和表面安装技术类型(SMT)。双列直插式封装(DIPs)和PGA封装是插入技术类型封装的代表。四边引出扁平封装(QFPs)、塑料引线芯片载体(PLCC)封装、陶瓷引线芯片载体(CLCC)封装以及BGA封装是SMT类型封装的代表。对在单个封装件中包含一个微电子芯片来说很普通。但是,两个或多个芯片可以被包含在单个封装件中。后者被称为多芯片封装件(MCP)或多芯片模块(MCM)。通过重叠两个或多个封装件而获得的结构被称为多层封装件。这些具有多个芯片的封装件具有节约成本的效果和极佳的性能。它们增加存储能力以及加快处理速度,并且因此它们对存储本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种制造多层封装件的方法,所述方法包括:形成包括第一基板的第一封装件,在第一基板上设置有突起,以及形成包括第二基板的第二封装件,在第二基板上设置有对应于所述突起的电极焊盘;将焊膏敷设在所述突起上,以及电连接所述突起与 所述电极焊盘。

【技术特征摘要】
KR 2004-2-6 8062/041.一种制造多层封装件的方法,所述方法包括形成包括第一基板的第一封装件,在第一基板上设置有突起,以及形成包括第二基板的第二封装件,在第二基板上设置有对应于所述突起的电极焊盘;将焊膏敷设在所述突起上,以及电连接所述突起与所述电极焊盘。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述电极焊盘被安装在第二封装件的表面上,在第二封装件上形成有第二微电子芯片,并且所述电极焊盘被设置在所述第二基板的外边缘上。3.根据权利要求1所述的方法,其中敷设所述焊膏包括将所述突起浸入在所述焊膏中达到一个基本均匀的厚度。4.根据权利要求3所述的方法,其中使用刮刀将所述焊膏填充在容器的池内。5.一种制造多层封装件的方法,所述方法包括形成包括第一基板的第一封装件,在第一基板上设置有突起,以及形成包括第二基板的第二封装件,在第二基板上设置有对应于所述突起的电极焊盘;将焊剂敷设在所述突起上,以及电连接所述突起与所述电极焊盘。6.根据权利要求5所述的方法,其中所述电极焊盘被安装在第二封装件的表面上,在第二封装件上形成有第二微电子芯片,并且所述电极焊盘被设置在所述第二基板的外边缘上。7.根据权利要求5所述的方法,其中敷设所述焊剂包括将所述突起浸入焊剂中到达一个基本均匀的厚度。8.根据权利要求7所述的方法,其中使用刮刀将所述焊剂填充在容器的池内。9.一种制造多层封装件的方法,所述方法包括形成包括第一基板的第一封装件,在第一基板上设置有突起...

【专利技术属性】
技术研发人员:金世年权兴奎尹基明
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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