具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法制造方法及图纸

一种具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法，该封装方法包含如下的步骤：提供一半导体晶片，于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层设有用于暴露焊垫的通孔；于该焊垫上形成第一导电体，该第一导电体具有与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层上的第二端部；于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层设有暴露第一导电体的第二端部的通孔；于第一导电体的第二端部上形成另一导电体；于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层，于另一导电体上形成一导电球体。本发明专利技术可以针对晶片焊垫间的距离越来越小的情况下使焊垫易于与外部电路电气连接，进而提高生产效率及优良品率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体晶片装置及其封装方法，特别是有关于一种。
技术介绍
随着半导体工业的持续发展，半导体晶片的表面面积及晶片表面上的焊垫变得越来越小，且焊垫间的距离亦会因焊垫数目越来越增加而越来越缩小，以致于在与外部电路电气连接时变得非常不易，进而影响生产效率及优良品率，甚至影响半导体工业持续的发展。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种，可以针对晶片焊垫间的距离越来越小的情况下使焊垫易于与外部电路电气连接，进而提高生产效率及优良品率。根据本专利技术的一种具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层是对应于该晶片的焊垫形成有数个用于暴露对应的焊垫的通孔；(3)于至少一个所述的焊垫上形成一第一导电体，该第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层的顶表面上的第二端部；(4)于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层对应于该第一导电体的第二端部形成有数个用于暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于：包含如下的步骤：（１）提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；（２）于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层，该第一绝缘 层是对应于该晶片的焊垫形成有数个用于暴露对应的焊垫的通孔；（３）于至少一个所述的焊垫上形成一第一导电体，该第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层的顶表面上的第二端部；（４）于该第一绝缘层 上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层对应于该第一导电体的第二端部形成有数个用于暴露对应的第一...

【技术特征摘要】
1.一种具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于包含如下的步骤(1)提供一半导体晶片，该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫；(2)于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层，该第一绝缘层是对应于该晶片的焊垫形成有数个用于暴露对应的焊垫的通孔；(3)于至少一个所述的焊垫上形成一第一导电体，该第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层的顶表面上的第二端部；(4)于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层对应于该第一导电体的第二端部形成有数个用于暴露对应的第一导电体的第二端部的通孔；(5)于每一第一导电体的第二端部上形成另一导电体；(6)于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层，该第三绝缘层对应于所述的另一导电体形成数个用于暴露对应的另一导电体的通孔；(7)于每一所述的另一导电体上形成一导电球体。2.如权利要求1所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成第一导电体的步骤(3)之前，更包含一个于晶片的每一焊垫上形成一金属导电块的步骤，每一个该第一导电体的第一端部是与对应的金属导电块电气连接。3.如权利要求2所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成第一导电体的步骤(3)中，更包含一个于该焊垫中的至少一个焊垫上形成一第二导电体的步骤，该第二导电体是与对应的焊垫上的金属导电块电气连接，且，在形成该第二绝缘层的步骤(4)中，该第二绝缘层是对应于该第二导电体形成有数个用于暴露对应的第二导电体的通孔。4.如权利要求3所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成另一导电体的步骤(5)中，该另一导电体为第三导电体，且在该形成另一导电体的步骤(5)中，更包含一个于每一第二导电体上形成一第四导电体的步骤，该第四导电体具有一与对应的第二导电体电气连接的第一端部和一从该对应的第二导电体向上延伸到该第二绝缘层的顶表面上的第二端部。5.如权利要求4所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成该第三绝缘层的步骤(6)中，该第三绝缘层更对应于该第四导电体的第二端部形成数个用于暴露对应的第四导电体的第二端部的通孔。6.如权利要求5所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成导电球体的步骤(7)中，更包含一个于每一个该第四导电体的第二端部上形成一导电球体的步骤。7.如权利要求1所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成该第二绝缘层的步骤(4)之前，更包含一个通过研磨处理把该第一导电体的第二端部磨平的步骤。8.如权利要求1所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成该第二绝缘层的步骤(4)之前，更包含一个于每一个该第一导电体之上形成一导电层的步骤。9.如权利要求8所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成所述的导电层的步骤中，每一个该导电层是由一镀镍层与一镀金层构成。10.如权利要求1所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成该第二绝缘层的步骤(4)之前，更包含如下的步骤通过研磨处理把该第一导电体的第二端部磨平；及于每一个该第一导电体之上形成一导电层。11.如权利要求10所述的具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法，其特征在于在形成该导电层的步骤中，每一个该导电层是由一镀镍层与一镀金层构成。12.如权利要求5所述的具有多层布线结构的半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，
申请(专利权)人：沈育浓，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]