【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶圆下片用的推片装置
[0001]本专利技术涉及一种晶圆加工用推片装置，特别是一种用于半导体晶圆下片用的推片装置。
技术介绍
[0002]在半导体晶圆的加工处理过程中，通常需要对晶圆的背面进行研磨和抛光处理。在研磨抛光前，需要先采用蜡或胶将晶圆与衬底(玻璃、陶瓷、蓝宝石片、硅片等)进行粘结固定。研磨抛光完成后，需要将晶圆与衬底进行分离，然后再进行清洗后进入下一道工艺。被研磨抛光后的晶圆，通常厚度会在100微米左右或更低。
[0003]目前常用的热推下片是在晶圆研磨抛光后加热到蜡/胶的推片温度，蜡/胶层的粘性和吸附能力变得很小/弱，通过真空吸盘分别吸住晶圆和衬底，通过电机支架带动其中的一方或双方运动，来达到分离的目的。
[0004]推片过程中，一般都是先用下真空吸盘先吸附住晶圆，然后另一个在上真空吸盘再吸住衬底。而上真空吸盘与衬底的接触需要很精密的控制。一方面需要精确控制电机或气缸的向下运动，使上真空吸盘与衬底接触；另一方面，需要检测上真空吸盘与衬底的距离，以及上下吸盘同时吸住衬底和晶圆后的真空及...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆下片用的推片装置，其特征在于，包括下加热吸盘和上吸盘装置，所述上吸盘装置由气缸机构驱动相对于所述下加热吸盘上下移动，所述上吸盘装置包括气囊底板、气囊、上吸盘固定底板和上吸盘，所述气缸机构设有上下移动导杆，所述上下移动导杆与所述气囊底板固定连接，所述上吸盘固定安装于所述上吸盘固定底板的底面，所述上吸盘固定底板通过弹簧连接件悬吊于所述气囊底板之下，所述气囊设置于所述气囊底板与所述上吸盘固定底板之间并与所述气囊底板的下表面以及所述上吸盘固定底板的上表面接触。2.根据权利要求1所述的用于半导体晶圆下片用的推片装置，其特征在于，所述弹簧连接件包括弹簧和连接柱，所述连接柱的头部位于所述气囊底板的上方，所述螺钉的尾部穿过所述气囊底板与所述上吸盘固定底板固定连接，所述弹簧套设在所述连接柱上位于所述连接柱的头部与所述气囊底板的上表面之间。3.根据权利要求2所述的用于半导体晶圆下片用的推片装置，其特征在于，所述连接柱为螺钉。4.根据权利要求2所述的用于半导体晶圆下片用的推片装置，其特征在于，所述弹簧连接件以不少于三个的数量等分...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕康，谢华伟，
申请(专利权)人：苏州铼铂机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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