【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用氮化砷化镓铟系外延片的异质场效应晶体管、它的制造方法和用它的发送接收装置。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)等的异质场效应晶体管是形成有异质构造的利用2维电子气的化合物半导体元件。作为这种HEMT的第一已有例，如图13所示具有在InP基板上形成InAlAs载流子供给层/InGaAs沟道层/InAlAs缓冲层的HEMT。在图13中，标号1表示电极金属，标号2表示n+-InGaAs盖层，标号3表示n-InAlAs载流子供给层，标号4表示i-InAlAs间隔层，标号5表示i-InGaAs沟道层，标号6表示i-InAlAs缓冲层，标号7表示半绝缘性InP基板(S.I.-InP基板)。该HEMT，因为用InGaAs作为沟道层5，所以与用GaAs作为沟道层的HEMT比较，由于它的高电子传输特性而表示出优异的高频特性。特别是，该已有例的特征是在InGaAs沟道层5中将具有1～7nm厚度的InAs层8插入到从InAlAs间隔层4离开0～6nm的位置上(例如，请参照日本特开平5-36726号专利公报(专利文献1))。又，作为第二已有例，具有在GaAs基板...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种异质场效应晶体管，其特征在于，具有基板、经过缓冲层在所述基板上形成的沟道层、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成且与该沟道层异质接合地形成的间隔层、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层，所述基板由InP构成，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的化合物半导体层。2.根据权利要求1所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述组成y在0.03≤y≤0.07的范围内。3.根据权利要求1所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述A是As。4.根据权利要求1所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述A是Sb。5.根据权利要求1所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述沟道层只由所述化合物半导体层构成。6.根据权利要求3所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述沟道层具有第一沟道层和与该第一沟道层邻接并与所述间隔层异质接合的第二沟道层，所述第一沟道层由所述化合物半导体层构成，所述第二沟道层由InAs层构成。7.根据权利要求6所述的异质场效应晶体管，其特征在于x＝0。8.根据权利要求6所述的异质场效应晶体管，其特征在于所述第一沟道层的N浓度随着接近所述第二沟道层而降低。9.根据权利要求6所述的异质场效应晶体管，其特征在于以与所述第一沟道层的上面和下面邻接的方式形成一对所述第二沟道层，以与所述一对第二沟道层异质接合的方式形成一对所述间隔层，以与所述一对间隔层邻接的方式形成一对所述载流子供给层。10.根据权利要求6所述的异质场效应晶体管，其特征在于0＜x。11.根据权利要求10所述的异质场效应晶体管，其特征在于进一步满足3y≤x≤0.2。12.根据权利要求10所述的异质场效应晶体管，其特征在于满足0.1≤x≤0.2。13.根据权利要求6所述的异质场...
【专利技术属性】
技术研发人员：大塚信之，水野纮一，吉井重雄，铃木朝实良，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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