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一种异质场效应晶体管，其特征在于，具有：　　　　基板、经过缓冲层在所述基板上形成的沟道层、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成且与该沟道层异质接合地形成的间隔层、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层，　　　　所述基板由ＩｎＰ构成，　...
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