进行选择性地启用的ECC解码的熔丝逻辑制造技术

本申请涉及进行选择性地启用的ECC解码的熔丝逻辑。熔丝逻辑配置成选择性地启用熔丝阵列中的熔丝的特定群组以支持一个应用中的列(或行)冗余或另一应用中的纠错码ECC操作中的一个。举例来说，所述熔丝逻辑可对所述熔丝的群组进行解码以启用在一个模式或应用中的存储器单元的替换列(或行)，且对所述熔丝的群组的子组进行解码以检索对应于经过编码以启用在第二模式或应用中的存储器单元的不同替换列或行的熔丝的第二群组的ECC数据。所述熔丝逻辑包含ECC解码逻辑电路，所述ECC解码逻辑电路选择性地启用以基于在所述熔丝的第一群组中的熔丝的所述子组中编码的所述ECC数据来检测和校正在所述熔丝的第二群组中编码的数据中的错误。中的错误。中的错误。

【技术实现步骤摘要】
进行选择性地启用的ECC解码的熔丝逻辑


[0001]本申请大体上涉及半导体装置，且特定来说，涉及进行选择性地启用的ECC解码 的熔丝逻辑。

技术介绍

[0002]高数据可靠性、存储器存取的高速、低功率和减小的芯片大小是半导体存储器所需 的特征。用于在存储器内存储信息的存储器单元可组织成行(字线)和列(位线)。在存储器 装置的制造和使用的各种点处，一或多个存储器单元可能失效(例如，变得无法存储信息， 不可由存储器装置存取等)且可能需要修复。一些存储器装置可包含编程成将有缺陷的存 储器单元的地址重新引导到冗余存储器单元的熔丝。当在熔丝读取操作期间不准确地读 取熔丝的状态时，可映射冗余存储器单元以替换健康存储器单元，且可正常地存取有缺 陷的存储器单元，这可能不利地影响存储器的可靠性。沿着装置生产生命周期，生产诱 发的缺陷可能因生产工艺成熟而随时间推移减少。熔丝阵列的大小和/或冗余存储器行和 列的计数可基于在生产开始时实现特定装置良率的预期或实际的生产诱发的缺陷，这可 能在熔丝阵列和/或冗余存储器行和/或列的部分中产生。
专利
技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：纠错码ECC电路，其配置成接收启用信号以及经由熔丝总线接收第一熔丝数据以及第二熔丝数据，其中所述ECC逻辑电路配置成基于所述第二熔丝数据的一部分对所述第一熔丝数据进行ECC操作以提供经过校正的第一熔丝数据，其中所述ECC逻辑电路配置成基于所述启用信号在输出处提供所述第一熔丝数据或所述经过校正的第一熔丝数据中的一个；以及锁存器电路，其包括多个锁存器，所述多个锁存器配置成基于所述第一熔丝数据或所述经过校正的第一熔丝数据中的所述一个选择性地替换有缺陷的存储器单元的群组。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述ECC电路包含ECC逻辑，所述ECC逻辑配置成基于在所述第二熔丝数据的所述部分中编码的ECC对所述第一熔丝数据进行所述ECC操作。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述ECC电路包含一组多路复用器，所述多路复用器配置成响应于所述启用信号具有第一值而提供所述第一熔丝数据，以及响应于所述启用信号具有第二值而提供所述经过校正的第一熔丝数据。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述ECC电路配置成将所述第二熔丝数据提供给第二锁存器电路，所述第二锁存器电路配置成响应于所述启用信号具有第一值而选择性地替换有缺陷的存储器单元的第二群组。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述ECC电路配置成响应于所述启用信号具有第二值而将源电压提供给所述第二锁存器电路。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述ECC电路包括一组多路复用器，所述多路复用器配置成基于所述启用信号选择性地将所述第二熔丝数据或所述源电压提供给所述第二锁存器电路。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述锁存器电路配置成选择性地替换有缺陷的存储器单元的行。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述锁存器电路配置成选择性地替换有缺陷的存储器单元的列。9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括配置成提供所述第一熔丝数据以及所述第二熔丝数据的熔丝阵列。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述ECC电路配置成经由第三熔丝数据接收所述启用信号。11.一种设备，其包括：熔丝阵列，其配置成将第一熔丝数据以及第二熔丝数据提供给熔丝总线；熔丝逻辑电路，其配置成经由所述熔丝总线接收所述第一熔丝数据以及所述第二熔丝数据，所述熔丝逻辑电路配置成使用在所述第二熔丝数据中编码的ECC对所述第一熔丝数据进行纠错码ECC操作以...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：