【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及发光器件，尤其涉及发光二极管。更具体地，本专利技术涉及发光器件，其利用来自于电力发光的半导体器件中的发射，以激发与半导体器件相邻的材料内的光致发光。固态光子器件是其中光量子，即光子起到重要作用的一组器件。光子器件常分为三类光源(发光二极管、激光器、二极管激光器等)、光电检测器(光电导体、光电二极管等)和能量转换器件(光生伏打电池)。更具体地说，发光二极管(LED)是当在p-n结结构上施加电压差时发光(其中包括紫外光、可见光和红外光)的半导体器件。存在许多方式制造发光二极管和许多相关的结构，但这些通常是公知的，和此处描述的本专利技术应用于它们当中的大多数或者全部上。因此，除了视需要解释本专利技术以外，下文将不详细讨论它们。作为实例且不是限制，Sze，Physics of Semiconductor Devices(2ndEd.1981)的第12-14章，和Sze，Modern Semiconductor Device Physics(1998)的第7章给出了各种光子器件，其中包括LED的充分说明。此处使用术语LED，是指基本的半导体二极管结构。(...
【技术保护点】
一种半导体基发光器件，它包括：发射激发辐射的发光二极管，覆盖至少一部分所述发光二极管的多孔基体，和在所述多孔基体内负载的物质，其中所述物质一旦与通过所述二极管发射的激发辐射相互作用则发射响应辐射。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-2-14 10/248,7541.一种半导体基发光器件，它包括发射激发辐射的发光二极管，覆盖至少一部分所述发光二极管的多孔基体，和在所述多孔基体内负载的物质，其中所述物质一旦与通过所述二极管发射的激发辐射相互作用则发射响应辐射。2.权利要求1的发光器件，其中所述辐射响应物质是磷光体。3.权利要求2的发光器件，其中响应来自所述二极管的激发辐射，所述磷光体发射在光谱的可见光部分内的光。4.权利要求1的发光器件，其中所述发光二极管包括碳化硅基底和含至少一种第III族氮化物的活性层；和其中所述响应物质包括负载在所述多孔基体内的光致发光材料，其中所述物质一旦与通过所述二极管发射的激发辐射相互作用则发射可见光。5.权利要求1或4的发光器件，其中所述二极管发射频率选自紫外、可见光和红外电磁光谱中的电磁辐射。6.权利要求1或4的发光器件，其中所述多孔基体对所述激发辐射、响应辐射和可见光是基本上透光的。7.权利要求1或4的发光器件，其中所述多孔基体是溶胶凝胶材料。8.权利要求2或4的发光器件，其中所述光致发光材料是磷光体。9.权利要求1的发光器件，它包括发射激发辐射的激光二极管，所述激光二极管具有碳化硅基底和含至少一种第III族氮化物的活性层；和所述多孔基体覆盖至少一部分所述激光二极管，和负载在所述多孔基体内的光致发光材料，其中所述光致发光材料一旦与通过所述激光二极管发射的激发辐射相互作用则发射响应辐射。10.权利要求9的发光器件，其中所述激光二极管具有选自氮化镓、氮化镓铟和氮化镓铝铟中的活性层。11.权利要求9的发光器件，其中所述多孔基体是对所述激发辐射和可见光基本上透光的溶胶凝胶。12.权利要求7或11的发光器件，其中所述溶胶凝胶选自气凝胶和干凝胶。13.权利要求1的半导体基发光器件，其中所述发光二极管包括单晶碳化硅基底，在所述二极管上的所述多孔基体选自气凝胶和干凝胶，和所述响应物质是负载在所述基体内的磷光体，且该物质对来自所述二极管的发射以及不同波长的次级发射作出响应。14.权利要求1、4、9或13的发光器件，其中所述多孔基体直接在所述二极管上。15.权利要求1或13的发光器件，其中所述基体具有至少约50％体积的孔隙度。16.权利要求1或13的发光器件，其中所述基体具有至少约90％体积的孔隙度。17.权利要求13的发光器件，其中所述磷光体以介于约1mg至1g/cm3的用量存在于所述基体内。18.权利要求13的发光器件，其中所述多孔基体对所述激发辐射和所述响应辐射是基本上透光的。19.权利要求1或13的发光器件，其中所述多孔基体包括二氧化硅化合物。20.权利要求19的发光器件，其中所述溶胶凝胶材料的密度为约0.01g/cm3至1....
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