薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板，使用所述薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板，具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述像素区中；钝化层，由有机材料制成并且覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，分别连接到所述薄膜晶体管并且形成于所述像素区的钝化层上；有机阻挡构件，用与所述像素电极相同的层形成并且设置在周边区中；以及密封剂，包围所述显示区并且形成于所述周边区的钝化层上，其中所述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管阵列面板，使用所述面板的液晶显示器及其制造方法。
技术介绍
液晶显示(“LCD”)是一种最流行的平板显示器，其包括两个具有场产生电极的面板和插入其之间的液晶层，并且通过调整施加在所述电极上的电压以重新排列液晶层内的液晶分子来控制通过液晶层的光的透射。在各个面板上包括场产生电极的LCD之中，一种LCD提供了在一个面板上按矩阵排列的多个像素电极和覆盖另一个面板的整个表面的公共电极。所述LCD的图像显示是通过对各个像素电极施加单独的电压实现的。对于施加单独的电压，将多个三极薄膜晶体管(TFT)连接到各自的像素电极，并且在该面板上提供了多条传输用于控制TFT的信号的栅极线和多条传输将被施加到像素电极的电压的数据线。所述TFT包括非晶硅或多晶硅的半导体层，并且根据栅电极和半导体层的相对位置被分为顶部栅极型和底部栅极型。在包括多晶硅作为半导体层的TFT的情形，通常采用顶部栅极型的TFT。在顶部栅极型的TFT中，多晶硅的半导体层形成于绝缘层上，并且栅极线和存储电极线形成于覆盖半导体层的栅极绝缘层上。所述多晶硅TFT相对于非晶硅TFT具有相对较高的电子迁移率，并且多晶硅T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板，具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述像素区中；材料的钝化层，覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，由所述像素区中所述钝化层上的材料 层形成且分别连接到所述薄膜晶体管；有机阻挡构件，用与用于形成所述像素电极相同的材料层同时形成，所述有机阻挡构件设置在所述周边区中；以及密封剂，围绕所述显示区的周边延伸，所述密封剂设置于所述周边区中的钝化层上，其中，所 述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。

【技术特征摘要】
KR 2005-1-26 7125/051.一种薄膜晶体管阵列面板，包括基板，具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述像素区中；材料的钝化层，覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，由所述像素区中所述钝化层上的材料层形成且分别连接到所述薄膜晶体管；有机阻挡构件，用与用于形成所述像素电极相同的材料层同时形成，所述有机阻挡构件设置在所述周边区中；以及密封剂，围绕所述显示区的周边延伸，所述密封剂设置于所述周边区中的钝化层上，其中，所述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述有机阻挡构件由与所述像素电极相同的材料制成。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述密封剂包括注入孔。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述有机阻挡构件与包括所述注入孔的所述密封剂的一区域重叠。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述材料的钝化层包括有机材料。6.一种液晶显示器，包括第一基板，具有包括多个像素区的显示区和围绕所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述多个像素区中；材料的钝化层，覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，由所述像素区中所述钝化层上的材料层形成且分别连接到所述薄膜晶体管；有机阻挡构件，用与用于形成所述像素电极相同的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：金性澔，朴京淳，朴庆珉，姜承坤，柳春基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]