【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。更详细而言，涉及特别是在将铜或铜合金作为配线材料的半导体装置的制造中，可有效地除去剩余的配线材料、而且能够给予高品质被研磨面的。
技术介绍
近年，半导体装置被要求更加高密度化，形成的配线更加微细化。作为能够达成半导体装置中的配线更加微细化的技术，被称为“镶嵌法”的方法倍受关注。该方法是将应成为配线的金属材料埋进在绝缘材料等上形成的槽等之后，通过用化学机械研磨将剩余的配线材料除去而形成希望配线的方法。在该方法中，从研磨工序效率化、高产量化的观点出发，要求高研磨速度。但是，在形成镶嵌配线时，由于配线部分被过分研磨，有时会形成凹状形状。这样凹状的配线形状被称为“凹陷”或者“磨耗”，因使制造半导体装置的成品率降低而非优选。而且，在研磨的时候，有时会产生被称为“刮痕”的划痕伤状的表面缺陷等，同样地，有时会使制造半导体装置的成品率降低。进而，在化学机械研磨工序后，配线上的磨料残留及绝缘膜上的异物残留有时也会成为问题，或者也会发生被称为“腐蚀”的配线部分被腐蚀的现象，已知这些现象也对制造半导体装置的成品率有很大影响。为了抑制上述凹陷或磨耗，并提高被研磨面的表...
【技术保护点】
化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程，在所述第一研磨工序和所述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体（Ⅰ）和水溶液（Ⅱ ）的混合物，在所述第一研磨工序和所述第二研磨工序中，通过改变所述水系分散体（Ⅰ）和所述水溶液（Ⅱ）的混合比来改变研磨速度。
【技术特征摘要】
JP 2005-2-23 2005-0463741.化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程，在所述第一研磨工序和所述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在所述第一研磨工序和所述第二研磨工序中，通过改变所述水系分散体(I)和所述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其中，所述水系分散体(I)含有(A)磨料及(B)喹啉酸，所述水溶液(II)含有(C)研磨速度提高剂，而且，在以所述第一研磨工序中的所述水系分散体(I)的供给量为S(I-1)、以所述水溶液(II)的供给量为S(II-1)、以所述第二研磨工序中的所述水系分散体(I)的供给量为S(I-2)、以所述水溶液(II)的供给量为S(II-2)的情况下，满足以下关系S(I-1)/S(II-1)＜S(I-2)/S(II-2)。3.如权利要求2所述的化学机械研磨方法，其中，所述水系分散体(I)还含有(D)氧化剂。4.如权利要求2所述的化学机械研磨方法，其中，所述水溶液(II)还含有(D)氧化剂。5.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其中，所述水系分散体(I)含有(A)磨料和(D)氧化剂；所述水溶液(II)含有(B)喹啉酸，而且，在以所述第一研磨工序中的所述水系分散体(I...
【专利技术属性】
技术研发人员：仕田裕贵，服部雅幸，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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