像素结构的制作方法技术

一种像素结构的制作方法，其步骤包括利用一第一掩模于一基板上形成一源极／漏极；重复利用两次一第二掩模于基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中透明导电层覆盖部分源极／漏极，并电性连接于源极／漏极，且透明导电层的图案与沟道层的图案成互补；在基板上形成一介电层，以覆盖透明导电层与沟道层；利用一第三掩模于介电层上形成一栅极。如此，像素结构具有较低的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体组件的制造方法，且特别是有关于一种像素结构(pixel structure)的制造方法。
技术介绍
随着现代视频信息技术的进步，各式显示器已被大量地使用于手机、笔记本型计算机、数字相机及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等消费性电子产品的显示屏幕上。在这些显示器中，由于液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)及有机电激发光显示器(Organic Light EmittingDiode，OLED)具有重量轻、体积小及耗电量低等优点，使得其成为市场上的主流。无论是液晶显示器或是有机电激发光显示器，其制作过程均包括以半导体工艺于基板上形成像素数组。对应调整画素数组中各个像素所显示的颜色，显示器即可产生影像。图1A～1E为公知的一种像素结构的形成过程的剖面示意图。请参考图1A，首先利用一第一掩模(photo mask)210于一基板50上形成一源极(source)110/漏极(drain)120。请参考图1B，接着利用一第二掩模220于基板50及部分源极110/漏极120上形成一沟道层(channel)130。请参考图1C，之后于基板50上形成一第一介电层(dielectric layer)140以覆盖源极110/漏极120及沟道层130，并利用一第三掩模230于第一介电层140上形成一栅极(gate)150。请参考图1D，再来于第一介电层140与栅极150上形成一第二介电层160，并利用一第四掩模240于第一介电层140及第二介电层160中形成一接触窗开口(contact window)170以暴露出部分漏极120。请参考图1E，最后利用一第五掩模250于第二介电层160上形成一透明导电层180，其中部分透明导电层180是填入接触窗开口170，以使透明导电层180电性连接于漏极120。至此步骤即完成像素结构100的制作。承接上述，制造像素结构100的主要成本之一乃为掩模的制造费用，而公知技艺必须要使用到五个不同的掩模始能形成像素结构100，因此像素结构100的制造成本无法降低。特别的是，随着基板尺寸的增大，必须使用面积更大的掩模以制造像素结构100，如此更增加像素结构100的制作成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，可以降低像素结构的制作成本。为达上述或是其它目的，本专利技术提出一种，其步骤包括利用一第一掩模于一基板上形成一源极/漏极；利用一第二掩模于基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中透明导电层覆盖部分源极/漏极，并电性连接于源极/漏极，且透明导电层的图案与沟道层的图案成互补；在基板上形成一介电层，以覆盖透明导电层与沟道层；利用一第三掩模于介电层上形成一栅极。在本专利技术的一实施例中，上述形成透明导电层及沟道层的步骤包括在基板上形成一透明导电材料层，以覆盖源极/漏极；使用第二掩模在透明导电材料层上形成一第一型图案化光刻胶层；以第一型图案化光刻胶层为掩模移除部分透明导电层，以形成透明导电层；移除第一型图案化光刻胶层。在基板上形成一沟道材料层；使用第二掩模在沟道材料层上形成一第二型图案化光刻胶层，其中第二型图案化光刻胶层与第一型图案化光刻胶层的型态不同；以第二型图案化光刻胶层为掩模移除部分沟道材料层，以形成沟道层；移除第二型图案化光刻胶层。在本专利技术的一实施例中，上述的第一型图案化光刻胶层的型态为正型光刻胶，且第二型图案化光刻胶层的型态为负型光刻胶。在本专利技术的一实施例中，上述的第一型图案化光刻胶层的型态为负型光刻胶，且第二型图案化光刻胶层的型态为正型光刻胶。在本专利技术的一实施例中，上述形成透明导电层及沟道层的步骤包括在基板上形成一沟道材料层，以覆盖源极/漏极；使用第二掩模在沟道材料层上形成一第二型图案化光刻胶层；以第二型图案化光刻胶层为掩模移除部分沟道材料层，以形成沟道层；移除第二型图案化光刻胶层。在基板上形成一透明导电材料层；使用第二掩模在透明导电层上形成一第一型图案化光刻胶层，其中第一型图案化光刻胶层与第二型图案化光刻胶层的型态不同；以第一型图案化光刻胶层为掩模移除部分透明导电材料层，以形成透明导电层；移除第一型图案化光刻胶层。在本专利技术的一实施例中，上述的第一型图案化光刻胶层的型态为正型光刻胶，且第二型图案化光刻胶层的型态为负型光刻胶。在本专利技术的一实施例中，上述第一型图案化光刻胶层为负型光刻胶，且第二型图案化光刻胶层为正型光刻胶。在本专利技术的一实施例中，上述形成源极/漏极的步骤之后还包括利用第一掩模于源极/漏极上形成一欧姆接触层(ohmic contact layer)。在本专利技术的一实施例中，上述形成栅极的步骤之后，还包括使用第一掩模在介电层与栅极上形成一图案化光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩模移除部分介电层，以形成一图案化介电层，其中图案化介电层暴露出部分透明导电层；移除图案化光刻胶层。在本专利技术的一实施例中，上述形成栅极的步骤之后，还包括在介电层与栅极上形成一光刻胶层，其中栅极与源极/漏极有部分重叠；以源极/漏极与栅极作为掩模对光刻胶层进行图案化工艺，以形成一图案化光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩模移除部分介电层，以形成一图案化介电层，其中图案化介电层暴露出部分透明导电层；移除图案化光刻胶层。综上所述，相较于公知技艺必须使用五个掩模始能制作像素结构而言，本专利技术仅使用三个掩模即完成制作像素结构，因此像素结构的制作成本可以降低。附图说明图1A～1E为公知的一种像素结构的形成过程的剖面示意图。图2A～2M为依照本专利技术一实施例的像素结构的形成过程的剖面示意图。图3A～3C为依照本专利技术一实施例的移除介电层过程的剖面示意图。图4A～4D为依照本专利技术另一实施例的移除介电层过程的剖面示意图。图5A为依照本专利技术一实施例的端子结构的示意图。图5B为图5A中沿A-A’线的剖面示意图。符号说明50、60基板100像素结构110源极210第一掩模120漏极220第二掩模130沟道层 230第三掩模140第一介电层 240第四掩模150栅极250第五掩模160第二介电层170接触窗开口 180透明导电层300、300a、300b像素结构310源极410第一掩模320漏极420第二掩模330欧姆接触层 430第三掩模340透明导电层350沟道层360介电层362、364图案化介电层370栅极510导电层 520、580光刻胶层522、570、582图案化光刻胶层530透明导电材料层 540第一型图案化光刻胶层550沟道材料层 560第二型图案化光刻胶层600端子结构610导线620透明导线630非晶质硅层θ角度具体实施方式为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。图2A～2M为依照本专利技术一实施例的像素结构的形成过程的剖面示意图。请参考图2A，首先在一基板60上形成一导电层510，其中导电层510的材质可以选自铝(Al)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)或其组合。在本实施例中，导电层510可以为钛/铝/氮化钛三层堆栈的结构，其中铝的较佳厚度是介于500～2000之间，且钛或氮化钛的较佳厚度是介于300本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，包括：利用一第一掩模于一基板上形成一源极／漏极；重复利用两次一第二掩模于该基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中该透明导电层覆盖部分该源极／漏极，并电性连接于该源极／漏极，且该透明导电层的图案与该 沟道层的图案成互补；在该基板上形成一介电层，以覆盖该透明导电层与该沟道层；以及利用一第三掩模于该介电层上形成一栅极。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的制作方法，包括利用一第一掩模于一基板上形成一源极/漏极；重复利用两次一第二掩模于该基板上分别形成一透明导电层及一沟道层，其中该透明导电层覆盖部分该源极/漏极，并电性连接于该源极/漏极，且该透明导电层的图案与该沟道层的图案成互补；在该基板上形成一介电层，以覆盖该透明导电层与该沟道层；以及利用一第三掩模于该介电层上形成一栅极。2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该透明导电层及该沟道层的步骤包括在该基板上形成一透明导电材料层，以覆盖该源极/漏极；使用该第二掩模在该透明导电材料层上形成一第一型图案化光刻胶层；以该第一型图案化光刻胶层为掩模移除部分该透明导电层，以形成该透明导电层；移除该第一型图案化光刻胶层；在该基板上形成一沟道材料层；使用该第二掩模在该沟道材料层上形成一第二型图案化光刻胶层，其中该第二型图案化光刻胶层与该第一型图案化光刻胶层的型态不同；以该第二型图案化光刻胶层为掩模移除部分该沟道材料层，以形成该沟道层；以及移除该第二型图案化光刻胶层。3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中该第一型图案化光刻胶层的型态为正型光刻胶，且该第二型图案化光刻胶层的型态为负型光刻胶。4.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中该第一型图案化光刻胶层的型态为负型光刻胶，且该第二型图案化光刻胶层的型态为正型光刻胶。5.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该透明导电层及该沟道层的步骤包括在该基板上形成一沟道材料层，以覆盖该源极/漏极；使用该第二掩模在该沟道材料层上形成一第二型图案化光刻胶层；以该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奕纬，朱庆云，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]