有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板，其包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，在所述基底上与数据线交叉，所述栅极线包括栅电极；栅极绝缘层，形成在栅极线上，所述栅极绝缘层包括接触孔；源电极，形成在栅极绝缘层上，所述源电极通过接触孔结合到数据线；像素电极，包括漏电极，所述漏电极与源电极相对地设置，且源电极和漏电极之间具有间隙，所述间隙位于栅电极上；钝化层，包括开口，通过该开口至少部分暴露漏电极和源电极；有机半导体，形成在开口中；保护层，形成在有机半导体上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。
技术介绍
有机TFT已经被作为下一代的显示装置的驱动元件研究。通过用有机材料来代替在传统的主流TFT中使用的无机材料比如Si，得到有机TFT。采用真空沉积或旋涂工艺在低温条件下可容易地制造这种TFT。此外，由于有机TFT可被制造成纤维或膜的形式，所以其可被组装到柔性显示装置中。其中多个有机TFT布置成矩阵的有机TFT阵列面板的结构与具有无机TFT的典型TFT阵列面板的结构具有很多不同之处，从而这种面板的制造方法与典型面板的制造方法不同。因此，所期望的是开发一种技术，该技术能够通过使各种工艺因素对TFT的有机半导体的影响最小化来提高有机TFT的特性。
技术实现思路
根据本专利技术，提供了一种技术，该技术能够通过将各种工艺因素对有机半导体的影响最小化来提高有机TFT的特性。根据本专利技术，有机薄膜晶体管阵列面板包括基底；数据线，形成在基底上；栅极线，在所述基底上与数据线交叉，所述栅极线包括栅电极；栅极绝缘层，形成在栅极线上，所述栅极绝缘层包括接触孔；源电极，形成在栅极绝缘层上，所述源电极通过接触孔结合到数据线；像素电极，包括漏电极，所述漏电极与源电极相对地设置，且源电极和漏电极之间具有间隙，所述间隙位于栅电极上；钝化层，包括开口，通过该开口至少部分暴露漏电极和源电极；有机半导体，形成在开口中；保护层，形成在有机半导体上。一种制造有机半导体阵列面板的方法，包括(A)在基底上形成数据线；(B)在数据线上形成绝缘层；(C)在绝缘层上形成栅极线；(D)在栅极线上形成具有接触孔的栅极绝缘层，通过接触孔至少部分暴露数据线；(E)在栅极绝缘层上形成源电极和像素电极，其中，源电极通过接触孔连接到数据线，像素电极具有面对源电极的漏电极；(F)在源电极和像素电极上形成具有开口的钝化层；(G)在开口中形成有机半导体；(H)在有机半导体上形成保护层。附图说明通过以下参照附图的对本专利技术实施例的详细描述，本专利技术将变得更清楚。图1是根据本专利技术实施例的有机TFT阵列面板的布局图。图2是沿着图1中的线II-II截取的示意性剖视图。图3、图5、图7、图9、图11和图14是示出制造图1和图2中示出的有机TFT阵列面板的连续的工艺步骤的布局图。图4是沿着线IV-IV截取的图3中示出的TFT阵列面板的剖视图。图6是沿着线VI-VI截取的图5中示出的TFT阵列面板的剖视图。图8是沿着线VIII-VIII截取的图7中示出的TFT阵列面板的剖视图。图10是沿着线X-X截取的图9中示出的TFT阵列面板的剖视图。图12是沿着线XII-XII截取的图11中示出的TFT阵列面板的剖视图。图13是顺序示出制造图11和图12中的TFT阵列面板的方法的中间步骤的剖视图。图15是沿着线XV-XV截取的图14中示出的TFT阵列面板的剖视图。图16和图17是顺序示出制造图14和图15中的TFT阵列面板的方法的中间步骤的剖视图。图18至图20是示出制造根据本专利技术另一实施例的TFT阵列面板的方法的剖视图。具体实施例方式在下文中，参照附图来更充分地描述本专利技术的实施例，附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以不同形式来实施，因此本专利技术不应该被理解为局限于这里提出的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开彻底和完全，并将本专利技术的范围充分传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。当元件比如层、膜、区域或基底被称作在另一个元件上时，它可以直接被设置在另一元件上，或者也可存在中间元件。将参照图1和图2来描述根据本专利技术优选实施例的有机TFT阵列面板的结构。图1是根据本专利技术优选实施例的有机TFT阵列面板的布局图，图2是沿着图1中的线II-II截取的示意性剖视图。参照图1，本实施例的有机TFT阵列面板包括显示区D，其中布置有多个像素并且在其上显示图像；焊盘(pad)区P，其中设置有用于连接外部装置比如驱动IC的焊盘；辅助区E，其中设置有辅助信号线比如存储电极连接部分、静电放电电路等。有机TFT阵列面板的构造方式如下。参照图1和图2，多条数据线171、存储电极线连接构件178、多个阻光构件177形成在包含比如玻璃或塑料的透明绝缘基底110上。用于传输数据电压的数据线171基本在显示区域D中的垂直方向上延伸。各数据线171的端部179被设置在焊盘区P中，并被设置成具有比数据线171的其它部分的宽度大的宽度，以与外部装置或其它层建立良好的接触。用于传输共电压的存储电极线连接构件178被设置在辅助区E中，并在垂直方向上延伸。各阻光构件177形成在有机半导体154的下面，以防止在有机半导体154中光漏电流(photoleakage current)陡增。数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177可包含低电阻率金属比如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或其任意的合金，以降低数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177中的压降或信号延迟。数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177也可被构造为包括至少两个物理特性不同的导电层的多层结构。在这种结构中，两层中的一层包含低电阻率导体，而另一层包含导体比如钼(Mo)、Mo合金(例如MoW)或铬(Cr)，钼(Mo)、Mo合金(例如MoW)或铬(Cr)具有良好的物理、化学特性及与其它材料比如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的良好的电接触特性。数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177的厚度在大约1000埃至大约3000埃之间。数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177的所有侧面相对于基底110的表面形成的角度优选地在大约30°至大约80°之间。第一中间绝缘层160形成在数据线171、存储电极线连接构件178和阻光构件177上。第一中间绝缘层160包含无机绝缘体比如氮硅化物SiNX或氧化硅SiO2。第二中间绝缘层165形成在第一中间绝缘层160上。第二中间绝缘层165包含有机绝缘体，所述有机绝缘体包含聚丙烯、聚酰亚胺和苯并环丁炔(benzocyclobutyne，C10H8)中的至少一种，以上这些物质具有良好的耐久性。在其它实施例中，可省略两个中间绝缘层160和165中的任意一个。多个接触孔163和168形成在第一中间绝缘层160和第二中间绝缘层165中，数据线171和存储电极线连接构件178分别通过接触孔163和168被部分地暴露。多条栅极线121、多个接触构件128和多条存储电极线131形成在第二中间绝缘层165上。用于传输栅极信号的栅极线121被设置在显示区D中，并基本在垂直方向上延伸，从而与数据线171交叉。各栅极线121包括向上突出的多个栅电极124，如图1中所示。各栅极线121的端部129设置在焊盘区P中，并被形成为具有比栅极线121其它部分的宽度大的宽度，以提供与外部装置或其它层的良好接触。接触构件128通过形成在第一中间绝缘层160和第二中间绝缘层165中的接触孔163连接到数据线171。存储电极线131设置在显示区D中，并基本上在水平方向上延伸。各存储电极线131包括多个存储电极133。各存储电极133包括两条垂直线和一条水平线，其中，两条垂直线在本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在所述基底上；栅极线，在所述基底上与所述数据线交叉，所述栅极线包括栅电极；栅极绝缘层，形成在所述栅极线上，所述栅极绝缘层包括接触孔；源电极，形成在所述栅极绝缘层上，所述源电极通过所述接触孔结合到所述数据线；像素电极，包括漏电极，所述漏电极与所述源电极相对地设置且所述源电极和所述漏电极之间具有间隙，所述间隙位于所述栅电极上；钝化层，包括开口，通过所述开口至少部分暴露所述源电极和所述漏电极；有机半导体，形成在所述开口中；保护层，形成在所述有机半导体上。

【技术特征摘要】
KR 2005-3-29 10-2005-00259511.有机薄膜晶体管阵列面板包括基底；数据线，形成在所述基底上；栅极线，在所述基底上与所述数据线交叉，所述栅极线包括栅电极；栅极绝缘层，形成在所述栅极线上，所述栅极绝缘层包括接触孔；源电极，形成在所述栅极绝缘层上，所述源电极通过所述接触孔结合到所述数据线；像素电极，包括漏电极，所述漏电极与所述源电极相对地设置且所述源电极和所述漏电极之间具有间隙，所述间隙位于所述栅电极上；钝化层，包括开口，通过所述开口至少部分暴露所述源电极和所述漏电极；有机半导体，形成在所述开口中；保护层，形成在所述有机半导体上。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述钝化层包含感光有机材料；所述保护层包含感光有机材料。3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述钝化层包含负型感光有机材料。4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括置于所述钝化层和所述保护层之间的半导体图案。5.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体图案和所述有机半导体包含相同的材料。6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述有机半导体被所述钝化层和所述保护层完全围绕。7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在所述有机半导体上的绝缘图案。8.如权利要求7所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述绝缘图案包括氟基烃化合物或聚乙烯醇。9.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在所述数据线和所述栅极线之间的绝缘层。10.如权利要求9所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述绝缘层包括包含氮硅化合物SiNx的第一绝缘层和包含有机绝缘体的第二绝缘层。11.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在所述有机半导体下方的阻光构件，所述阻光构件包含导电材料。12.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括存储电极线连接构件，与所述数据线形成在相同的层上；存储电极线，连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔泰荣，金保成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]