有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管（ＯＴＦＴ）阵列面板，所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造有机薄膜晶体管阵列面板的方法。
技术介绍
通常，平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、以及电泳显示器等，包括多对场发生电极和夹在其间的电光有源层。LCD包含作为电光有源层的液晶材料层，而OLED显示器包含作为有源层的有机发光层。场发生电极对中的一个典型地连接到开关元件以接收电学信号，电光有源层将电学信号转换成用于显示图像的光学信号。平板显示器使用为三端元件的薄膜晶体管(TFT)作为开关元件，使用栅线传输控制TFT的扫描信号，且使用数据线将信号经TFT传输到形成于显示器上的像素电极。就TFT而言，目前研究的重心集中于使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管(OTFT)领域，而非例如Si的传统无机半导体。由于可以在相对低的温度下使用溶液工艺制造OTFT，因此OTFT可以有利地，特别是应用于制造大尺寸平板显示器，这些大尺寸平板显示器的制造否则会受到其制造中使用的沉积工艺的制约。此外，根据所使用的有机材料的特性，OTFT可形成纤维型或膜型，因此OTFT作为柔性显示装置的核心元件已经引起广泛关注。用于制造OTFT阵列面板的方法与用于制造现有的TFT阵列面板的方法在结构及制造方法方面存在很大差异，因此需要提供这样的制造方法，即，最小化在工艺过程中制造工艺对有机半导体的负面影响同时改善OTFT的特性。
技术实现思路
根据这里所描述的本专利技术的示范性实施方案，本专利技术提供了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板及其制造方法，该方法最小化了在工艺过程中制造工艺对有机半导体的负面影响同时还改善了OTFT的特性。在本专利技术的一个示范性实施方案中，OTFT阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、以及形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层。有机半导体置于该开口内，从而至少部分接触源电极和漏电极。栅绝缘体形成于有机半导体上，终止层(stopper)形成于栅绝缘体上。栅线形成于终止层上，该栅线与数据线交叉并包含栅电极；像素电极经接触孔与漏电极连接。终止层和像素电极可包括相同材料，该材料可包含氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)，且分别形成于彼此不同的层内。源电极和漏电极还可以包含ITO或IZO。栅电极完全覆盖终止层。OTFT阵列面板进一步包含形成于与形成数据线的层相同的层内的存储电极。漏电极包含与存储电极交叠的一部分。层间绝缘层形成于漏电极和存储电极之间。OTFT阵列面板进一步包含光线阻挡部件，该光线阻挡部件置于有机半导体下方并形成于与形成数据线的层相同的层内。绝缘层形成于除开口和接触孔之外的基板整个表面上，并可包含有机材料或无机材料。OTFT阵列面板可进一步包含覆盖栅电极的保护部件。另一方面，本专利技术提供了OTFT阵列面板制造方法，所述方法包括在基板上形成数据线；在数据线上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源电极和漏电极；以及在源电极和漏电极上形成具有开口和接触孔的绝缘层。随后在开口内形成有机半导体，在有机半导体上形成栅绝缘体。在栅绝缘体上形成终止层，在终止层和绝缘层上形成栅线。形成像素电极，从而经栅线上的接触孔与漏电极连接。形成有机半导体可包含执行对绝缘层的表面改性；形成有机半导体层；以及通过表面改性仅在未在其上形成绝缘层的部分留下有机半导体层。在绝缘层的表面改性过程中，其上分别形成和不形成绝缘层的部分可具有不同的亲水性。其上形成了绝缘层的部分的亲水性弱于未形成绝缘层的部分的亲水性。在绝缘层的表面改性过程中，可在绝缘层上供给含氟的气体以氟化绝缘层表面。形成栅绝缘体可包含形成栅绝缘层，以及通过表面改性工艺仅在未在其上形成绝缘层的部分留下栅绝缘层。制造OTFT的示范性方法进一步包含在形成终止层之后执行干法蚀刻。形成绝缘层包含形成有机膜以及图形化该有机膜，且在形成有机膜期间，膜的厚度形成大于干法蚀刻后绝缘层的最终厚度。形成栅绝缘体和形成终止层可包含形成栅绝缘层；形成终止层；以及以终止层为掩模图形化栅绝缘层。可使用喷墨印刷方法实现形成有机半导体和形成栅绝缘体中的至少一个。该方法可进一步包含，在基板上形成像素电极之后形成保护部件以保护底下的结构。考虑下述对一些示范性实施方案的详细描述，特别地结合附图进行这样的考虑，则可以更好地理解OTFT阵列面板及其制造方法的上述及许多其它特征和优点，附图中相同的参考数字用于表示在一个或多个图中说明的相同元件。附图说明图1为根据本专利技术的有机TFT阵列面板的示范性实施方案的部分俯视图，示出了该有机TFT阵列面板的单个像素区域；图2为沿图1中线II-II截取的图1的示范性OTFT面板的部分剖面视图；图3、5、7、9、12和14为分别说明根据本专利技术示范性实施方案的图1和2的OTFT阵列面板的制造方法的顺序的中间步骤的部分俯视图；图4为沿图3中线IV-IV截取的面板的部分剖面视图；图6为沿图5中线VI-VI截取的面板的部分剖面视图；图8为沿图7中线VIII-VIII截取的面板的部分剖面视图；图10为沿图9中线X-X截取的面板的部分剖面视图；图11为图10的OTFT面板的部分剖面视图，示出了后续工艺的结果；图13为沿图12中线XIII-XIII截取的面板的部分剖面视图；以及图15为沿图14中线XV-XV截取的面板的部分剖面视图。具体实施例方式根据本专利技术的有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板的示范性实施方案如图1的部分俯视图所示，其中示出该阵列面板的单个像素区域，图2为沿图1中线II-II截取的示范性OTFT面板的部分剖面视图。参考图1和2，在由诸如玻璃、硅、塑料等的透明材料制成的绝缘基板110上形成了多条数据线171、多条存储电极线172以及光线阻挡部件174。数据线171通常在图1沿垂直方向延伸，各个数据线传送各自数据信号。各个数据线171包含形成朝一侧突出的多个凸起173；以及用于与不同层或外部驱动电路连接的大的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在被安装到基板110上的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者备选地，可以与基板110本身集成，这种情况下，数据线171可以延长从而直接连接数据驱动电路。存储电极线172分别接收选定的电压，并基本上平行于数据线171延伸。各个存储电极线172置于两个数据线171之间，并排列成更靠近这两个数据线中的右边数据线。各个存储电极线172包含朝一侧分裂以形成圆形的存储电极177。然而，应该理解，存储电极线172可以调整成结合除了这里所描述和示出之外的各种其它形状和排列。光线阻挡部件174与数据线171及存储电极线172分离。数据线171、存储电极线172以及光学阻挡部件174可分别由下述材料制成例如铝(Al)或铝合金的含铝的金属、例如银(Ag)或银合金的含银的金属、例如金(Au)或金合金的含金的金属、例如铜(Cu)或铜合金的含铜的金属、例如钼(Mo)或钼合金的含钼的金属、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)以及许多其它导电材料。数据线171、存储电极线172和光线阻挡部件174还可具有多层结构，包含分别具有不同物理性能的两个导电层(未示出)。例如，这两个导电层之一可由具有低电阻率的含铝的金属、含银的金属、含铜的金属等制成，从而减小该导电层内的任何信号延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管阵列面板，包含：基板；形成于所述基板上的数据线；与所述数据线连接的源电极；包含面向所述源电极的一部分的漏电极；形成于所述源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层；置于所述开口内并至少部分接触所述源电极和漏电极的有机半导体；形成于所述有机半导体上的栅绝缘体；形成于所述栅绝缘体上的终止层；形成于所述终止层上、与所述数据线交叉并包含栅电极的栅线；以及经所述接触孔与所述漏电极连接的像素电极。

【技术特征摘要】
KR 2005-9-30 91862/051.一种有机薄膜晶体管阵列面板，包含基板；形成于所述基板上的数据线；与所述数据线连接的源电极；包含面向所述源电极的一部分的漏电极；形成于所述源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层；置于所述开口内并至少部分接触所述源电极和漏电极的有机半导体；形成于所述有机半导体上的栅绝缘体；形成于所述栅绝缘体上的终止层；形成于所述终止层上、与所述数据线交叉并包含栅电极的栅线；以及经所述接触孔与所述漏电极连接的像素电极。2.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极包含相同的材料。3.权利要求2的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极包含氧化铟锌或氧化铟锡。4.权利要求3的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极形成于不同层内。5.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述源电极和漏电极包含氧化铟锌或氧化铟锡。6.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述栅电极完全覆盖所述终止层。7.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含形成于与所述数据线相同的层内的存储电极。8.权利要求7的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述漏电极包含至少部分交叠所述存储电极的一部分。9.权利要求8的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含形成于所述漏电极和所述存储电极之间的层间绝缘层。10.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含置于所述有机半导体下部并形成于与数据线相同的层内的光线阻挡部件。11.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层形成于除所述开口和接触孔之外的所述基板的整个表面上。12.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层包含有机材料。13.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层包含无机材料。14.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含覆盖所述栅电极的保护部件。15.一种有机薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括在基板上形成数据线；在所述数据线上...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋根圭，崔泰荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]