【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件制造控制方法,尤其涉及。
技术介绍
现有半导体集成电路制造技术中,随着半导体集成电路技术的发展,集成度越来越高,电路规模越来越大,电路中单元器件尺寸越来越小,对各半导体工艺设备提出了更高的要求。离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一,也提出了很高的要求。离子注入机必须根据注入工艺要求自动引束并完成注入工艺,离子源自动引束方法是保证束流重复性、稳定性、安全性的重要保证。因此离子注入机迫切需要一种速度快、成功率高、能满足工艺要求的自动引束方法。
技术实现思路
本专利技术是针对离子注入机的自动引束要求,提出,从而保证离子注入机可以根据工艺菜单自动快速引出优质束流。本专利技术通过以下方案实现,包括如下步骤(1)灯丝加热、稳定将灯丝电源和阳极电源电压加至设定的数值,等待离子源真空稳定并达到送气真空标准;(2)送气开启注入元素相应的送气阀门及总送气阀门,同时开启相应的流量计,并检测压力,等待1分钟后,观察流量的变化变化小于5%,稳定后进入启弧的过程;(3)启弧设置离子源部分的偏置电源,调节送气量,获得稳定的弧流;(4)分析器调整计算出分析器电流值,设置并调整分析器电流在测束杯获得稳定的极大值电流;(5)束流优化根据元素种类和分析光栏的物理特性,调整弧流、送气量、分析光栏使得测束杯束流进入设置的范围。本专利技术具有如下显著优点1.可以实现全自动引束,无需人工干预;2.自动引束成功率高;3.束流重复性好;4.引束速度快。附图说明图1为本专利技术的大倾角离子注入机离子源自动引束原理框2为本专利技术的总流程3为本专利技术的灯丝加热稳定流程 ...
【技术保护点】
一种离子源自动引束方法,包括如下步骤:(1)灯丝加热、稳定:将灯丝电源和阳极电源电压加至设定的数值,等待离子源真空稳定并达到送气真空标准;(2)送气:开启注入元素相应的送气阀门及总送气阀门,同时开启相应的流量计,并检测压力, 等待1分钟后,观察流量的变化:变化小于5%,稳定后进入启弧的过程;(3)启弧:设置离子源部分的偏置电源,调节送气量,获得稳定的弧流;(4)分析器调整:计算出分析器电流值,设置并调整分析器电流在测束杯获得稳定的极大值电流; (5)束流优化:根据元素种类和分析光栏的物理特性,调整弧流、送气量、分析光栏使得测束杯束流进入设置的范围。
【技术特征摘要】
1.一种离子源自动引束方法,包括如下步骤(1)灯丝加热、稳定将灯丝电源和阳极电源电压加至设定的数值,等待离子源真空稳定并达到送气真空标准;(2)送气开启注入元素相应的送气阀门及总送气阀门,同时开启相应的流量计,并检测压力,等待1分钟后,观察流量的变化变化小于5%,稳定后进入启弧的过程;(3)启弧设置离子源部分的偏置电源,调节送气量,获得稳定的弧流;(4)分析器调...
【专利技术属性】
技术研发人员:伍三忠,罗宏洋,孙勇,孙雪平,戴习毛,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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