【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及半导体器件，更具体地说，涉及半导体器件中的掩模结构。
技术介绍
半导体器件(如存储器件)存在于许多计算机和电子产品中来存储数据。典型的半导体器件具有在半导体晶片上形成的不同材料的许多层。在制造期间，上述层经过许多处理。例如，形成图案的处理在层上放置图案。一些形成图案的处理使用掩模将图案从掩模转移到掩模下面的层。一些常规的掩模是由非晶碳组成。但是，一定厚度的非晶碳掩模对于光线具有高吸收性，导致非晶碳掩模不适用于某些处理。
技术实现思路
本专利技术提供具有掩模结构的器件和用于形成掩模结构的技术。掩模结构包括具有低吸收特性的非晶碳层。非晶碳层在电磁辐射的可见光范围内是透明的。附图说明图1A是示出根据本专利技术实施例形成非晶碳层的方法的流程图。图1B是示出根据本专利技术实施例的透明非晶碳层的在示例波长的吸收系数(k)对沉积温度的图形。图1C是示出根据本专利技术实施例的透明非晶碳的在示例温度的吸收系数(k)对波长范围的图形。图1D是示出根据本专利技术实施例的在示例温度和示例厚度的几个透明非晶碳层的穿透百分比对波长范围的图形。图1E是示出根据本专利技术实施例的形成透明非晶碳层的方法的示例淀积速率对温度范围的图形。图2-10示出根据本专利技术实施例在不同处理阶段中器件的截面图。图11-19示出根据本专利技术实施例在不同处理阶段中存储器件的截面图。图20示出根据本专利技术实施例的系统。具体实施例方式以下描述和附图充分阐明了本专利技术的特定实施例以使本领域技术人员能实践本专利技术。其它实施例可结合结构、逻辑、电气、处理和其它变化。在附图中，图中相似的标记描...
【技术保护点】
一种在处理中的器件，所述器件包含：衬底；在所述衬底上形成的器件结构；以及在所述器件结构上形成的掩模结构，所述掩模结构包括非晶碳层，其中所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-12 10/661,3791.一种在处理中的器件，所述器件包含衬底；在所述衬底上形成的器件结构；以及在所述器件结构上形成的掩模结构，所述掩模结构包括非晶碳层，其中所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。2.如权利要求1所述的器件，其中所述非晶碳层在633纳米波长具有约0.15到约0.001之间的吸收系数。3.如权利要求1所述的器件，其中所述可见光范围包括具有400纳米到700纳米之间波长的电磁辐射。4.如权利要求1所述的器件，其中所述非晶碳层具有大于4000埃的厚度。5.如权利要求4所述的器件，其中所述器件结构具有大于40000埃的厚度。6.如权利要求1所述的器件，其中所述掩模结构还包括在所述非晶碳层上形成的氧氮化硅层。7.如权利要求1所述的器件，其中所述掩模结构还包括光刻胶层。8.如权利要求7所述的器件，其中所述掩模结构还包括抗反射层。9.如权利要求7所述的器件，其中所述光刻胶层包括至少一个开口。10.如权利要求9所述的器件，其中所述非晶碳层包括与所述光刻胶层的至少一个开口连续的至少一个开口。11.如权利要求1所述的器件，其中所述器件结构包括从由传导材料、非传导材料和半传导材料组成的组中的材料选择的层。12.如权利要求11所述的器件，其中所述器件结构还包括非晶碳层，其中所述器件结构的所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。13.一种用于器件的掩模结构，所述掩模结构包含非晶碳层，其中所述非晶碳层对于具有400纳米到700纳米之间波长的辐射是透明的。14.如权利要求13所述的掩模结构，其中所述非晶碳层在633纳米波长具有约0.15到约0.001之间的吸收系数。15.如权利要求13所述的掩模结构，其中所述非晶碳层具有至少4000埃的厚度。16.如权利要求13所述的掩模结构，还包含光刻胶层。17.如权利要求16所述的掩模结构，还包含在所述非晶碳层上形成的加盖层。18.如权利要求17所述的掩模结构，其中所述加盖层包括氧氮化硅。19.如权利要求16所述的掩模结构，其中所述光刻胶层包括至少一个开口。20.如权利要求19所述的掩模结构，其中所述非晶碳层包括与所述光刻胶层的至少一个开口连续的至少一个开口。21.一种在处理中的存储器件，所述存储器件包含具有多个掺杂区的衬底；在所述衬底上形成的器件结构，所述器件结构包括多个栅极结构、多个触点，每个所述触点位于两个栅极结构之间并接触一个掺杂区，并且在所述栅极结构和所述触点上形成绝缘层；以及在所述器件结构上形成的掩模结构，所述掩模结构包括非晶碳层，其中所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。22.如权利要求21所述的存储器件，其中所述非晶碳层具有至少4000埃的厚度。23.如权利要求22所述的存储器件，其中所述存储器件结构具有至少40000埃的厚度。24.如权利要求21所述的存储器件，其中所述掩模结构还包括在所述非晶碳层上形成的氧氮化硅层。25.如权利要求21所述的存储器件，其中所述掩模结构还包括光刻胶层。26.如权利要求25所述的存储器件，其中所述掩模结构还包括抗反射层。27.如权利要求25所述的存储器件，其中所述光刻胶层包括所述光刻胶层的至少一个开口。28.如权利要求27所述的存储器件，其中所述非晶碳层包括与所述光刻胶层的至少一个开口连续的至少一个开口。29.如权利要求28所述的存储器件，其中所述绝缘层包括与所述非晶碳层的至少一个开口和所述光刻胶层的至少一个开口都连续的至少一个开口。30.如权利要求21所述的存储器件，其中所述器件结构还包括位于所述栅极结构和所述触点之间的阻挡层。31.如权利要求21所述的存储器件，其中所述非晶碳层在633纳米波长具有约0.15到约0.001之间的吸收系数。32.一种系统，包含具有约200℃到约500℃之间温度的室；以及置于所述室中的晶片，所述晶片包括管芯，所述管芯包括衬底、在所述衬底上形成的器件结构和在所述器件结构上形成的掩模结构，所述掩模结构包括非晶碳层，其中所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。33.如权利要求32所述的系统，其中所述非晶碳层具有大于4000埃的厚度。34.如权利要求33所述的系统，其中所述器件结构具有大于40000埃的厚度。35.如权利要求34所述的系统，其中所述掩模结构还包括在所述非晶碳层上形成的氧氮化硅层。36.如权利要求32所述的系统，其中所述掩模结构还包括光刻胶层。37.如权利要求36所述的系统，其中所述掩模结构还包括抗反射层。38.如权利要求36所述的系统，其中所述光刻胶层包括至少一个开口。39.如权利要求38所述的系统，其中所述非晶碳层包括与所述光刻胶层的至少一个开口连续的至少一个开口。40.如权利要求32所述的系统，其中所述器件结构包括传导层。41.如权利要求40所述的系统，其中所述器件结构还包括绝缘层。42.如权利要求41所述的系统，其中所述器件结构还包括抗反射层。43.如权利要求42所述的系统，其中所述器件结构还包括非晶碳层。44.如权利要求43所述的系统，其中所述掩模结构还包括光刻胶层。45.如权利要求44所述的系统，其中所述掩模结构还包括抗反射层。46.如权利要求32所述的系统，其中所述至少一个管芯包括用于存储器件的线路。47.如权利要求32所述的系统，其中所述至少一个管芯包括用于处理器的线路。48.如权利要求32所述的系统，其中所述室是等离子体增强气相化学沉积室。49.一种方法，包含在衬底上形成器件结构；以及在所述衬底上形成掩模结构包括形成非晶碳层，其中所述非晶碳层在可见光范围内是透明的。50.如权利要求49所述的方法，其中形成非晶碳层包括形成具有至少4000埃厚度的所述非晶碳层。51.如权利要求50所述的方法，其中形成所述器件结构包括形成具有至少40000埃厚度的所述器件结构。52.如权利要求49所述的方法，其中形成所述掩模结构还包括在所述非晶碳层上形成氧氮化硅层。53.如权利要求52所述的方法，其中所述氧氮化硅层与所述非晶碳层一起在原处沉积。54.如权利要求49所述的方法，其中形成非晶碳层包括对所述非晶碳层形成图案以形成经图案化的非晶碳层。55.如权利要求54所述的方法，其中形成器件结构包括使用所述经图案化的非晶碳层作为掩模对所述器件结构形成图案。56.如权利要求49所述的方法，其中形成掩模结构还包括形成经图案化的光刻胶层。57.如权利要求56所述的方法，其中形成掩模结构还包括使用所述经图案化的光刻胶层作为掩模对所述非晶碳层形成图案。58.如权利要求56所述的方法，其中形成器件结构包括使用所述经图案化的非晶碳层作为掩模对所述器件结构形成图案。59.如权利要求49所述的方法，其中所述非晶碳层在633纳米波长具有约0.15到约0.001之间的吸收系数。60.如权利要求59所述的方法，其中所述非晶碳在约200℃到约500℃的温度范围形成。61.如权利要求49所述的方法，其中所述可见光范围包括具有400纳米到700纳米之间波长...
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