【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体高压元件，尤其涉及一种改良的高压金属氧化物半导体晶体管元件结构，可以同时提高其击穿电压(breakdown voltage)以及饱和漏极电流(saturation drain current，IDS)。
技术介绍
以目前的半导体技术水准，业界已能将控制电路、存储器、低压操作电路以及高压操作电路及元件同时整合制作在单一芯片上，藉此降低成本，同时提高操作效能，其中如垂直扩散金属氧化物半导体(verticaldouble-diffusion metal-oxide-semiconductor，VDMOS)、绝缘栅极双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)以及横向扩散金属氧化物半导体(lateral-diffusion metal-oxide-semiconductor，LDMOS)等制作在芯片内的高压元件，由于具有较佳的切换效率(power switching efficiency)，因此又较常被应用。如本领域技术人员所知，前述的高压元件往往被要求能够承受较高的击穿电压，并且能在较低的阻值下操...
【技术保护点】
一种高压金属氧化物半导体元件，包括： 一具有一第一导电型的半导体衬底； 一具有一第二导电型的漂流离子井，设于该半导体衬底中； 一第一绝缘区域，设于该漂流离子井内； 一栅极，设于该半导体衬底上，并且该栅极与一部分的该第一绝缘区域重叠； 一具有该第二导电型的漏极区域，设于该第一绝缘区旁与该栅极相反的一侧； 一第二绝缘区域，设于该漂流离子井内，且该第二绝缘区域设于该漏极区域旁；以及 一具有该第二导电型的第一虚设扩散区域，设于该漂流离子井内，且该虚设扩散区域设于该第二绝缘区域旁与该漏极区域相反的一侧。
【技术特征摘要】
US 2005-6-14 60/595,2031.一种高压金属氧化物半导体元件，包括一具有一第一导电型的半导体衬底；一具有一第二导电型的漂流离子井，设于该半导体衬底中；一第一绝缘区域，设于该漂流离子井内；一栅极，设于该半导体衬底上，并且该栅极与一部分的该第一绝缘区域重叠；一具有该第二导电型的漏极区域，设于该第一绝缘区旁与该栅极相反的一侧；一第二绝缘区域，设于该漂流离子井内，且该第二绝缘区域设于该漏极区域旁；以及一具有该第二导电型的第一虚设扩散区域，设于该漂流离子井内，且该虚设扩散区域设于该第二绝缘区域旁与该漏极区域相反的一侧。2.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该高压金属氧化物半导体元件还包括一第三绝缘区域，设于该第一虚设扩散区域旁与该第二绝缘区域相反的一侧。3.如权利要求2所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该高压金属氧化物半导体元件还包括一具有该第一导电型的保护环状扩散区域，设置于该第三绝缘区域下方。4.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该高压金属氧化物半导体元件还包括一具有该第二导电型的第二虚设扩散区域，设于该第一绝缘区域内。5.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该高压金属氧化物半导体元件还包括一栅极介电层，设于该栅极与该半导体衬底之间。6.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型。7.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。8.一种高压金属氧化物半导体元件，包括一具有一第一导电型的半导体衬底；一具有一第二导电型的离子井，设于该半导体衬底中；一第一栅极，设于该半导体衬底上；一与该第一栅极相邻的第二栅极，设于该半导体衬底上；一具有该第二导电型的漏极掺杂区域，设于该离子井内，且该漏极掺杂区域位于该第一栅极与该第二栅极的中间处；一绝缘区域，设于该离子井内，且该绝缘区域位于该漏极掺杂区域与该第一栅极之间以及位于该漏极掺杂区域与该第二栅极之间；多个具有该第二导电型的虚设扩散区域，设于该绝缘区域内；以及一源极区域，设于该离子井内，且该源极区域位于该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：高境鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。