曝光装置、曝光方法和器件制造方法制造方法及图纸

曝光装置（ＥＸ）是经投影光学系统（ＰＬ）和液体（１）将曝光光（ＥＬ）照射到基片（Ｐ）上以对基片（Ｐ）进行曝光的装置。该曝光装置（ＥＸ）具有用于保持该基片（Ｐ）的基片台（ＰＴ）。将具有疏液性的平坦面（３０Ａ）的板构件（３０）以可更换的方式安装到上述基片台（ＰＴ）上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及经液体在基片上照射曝光光以对基片曝光的曝光装置、曝光方法和器件制造方法。此外，本专利技术涉及使用了液浸法的投影曝光装置中使用的光学部件和使用了该光学部件的投影曝光装置。再者，本专利技术涉及适合于在与液体或气体接触的环境下使用的光学部件。
技术介绍
利用将在掩模上形成的图案转印到感光性的基片上的所谓的光刻的方法来制造半导体器件或液晶显示器件。在该光刻工序中使用的曝光装置具有支撑掩模的掩模台和支撑基片的基片台，一边逐次移动掩模台和基片台，一边经投影光学系统将掩模的图案转印到基片上。近年来，为了与器件图案的进一步的高集成化相对应，希望实现投影光学系统的进一步的高解像度化。所使用的曝光波长越短，此外投影光学系统的数值孔径越大，投影光学系统的解像度越高。因此，在曝光装置中使用的曝光波长逐年缩短，投影光学系统的数值孔径也越来越增大。而且，现在主流的曝光波长是KrF准分子激光器的248nm，而波长更短的ArF准分子激光器的193nm也正在实现实用化。此外，在进行曝光时，与解像度同样，聚焦深度(DOF)也变得重要。解像度R和聚焦深度δ分别用以下的式来表示。R＝k1·λ/NA .本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经液体对基片照射曝光光以对基片曝光的曝光装置，其特征在于：具备：将图案的像投影在基片上的投影光学系统；以及用于保持基片的基片台，在基片台上以可更换的方式设置有其表面的至少一部分呈疏液性的构件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-12-3 404384/2003;JP 2004-2-19 042496/20041.一种经液体对基片照射曝光光以对基片曝光的曝光装置，其特征在于具备将图案的像投影在基片上的投影光学系统；以及用于保持基片的基片台，在基片台上以可更换的方式设置有其表面的至少一部分呈疏液性的构件。2.如权利要求1中所述的曝光装置，其特征在于根据其疏液性的恶化来更换上述构件。3.如权利要求1中所述的曝光装置，其特征在于上述构件具有其表面与由上述基片台保持的基片表面大致为同一面的平坦部。4.如权利要求3中所述的曝光装置，其特征在于在上述基片的周围配置了上述平坦部。5.如权利要求4中所述的曝光装置，其特征在于具备用于对上述基片台装卸上述构件的装卸机构。6.如权利要求5中所述的曝光装置，其特征在于上述装卸机构可将上述构件与上述基片一起从上述基片台取下。7.如权利要求1中所述的曝光装置，其特征在于上述构件的至少其疏液性部分由聚四氟乙烯形成。8.一种器件制造方法，其特征在于使用权利要求1中所述的曝光装置。9.一种经投影光学系统和液体在基片上照射曝光光以对上述基片进行液浸曝光的曝光方法，其特征在于用基片保持构件保持上述基片，上述基片保持构件在上述基片的周围具有其表面与该基片表面大致为同一面的平坦部，将保持上述基片的上述基片保持构件运入到基片台上，对运入到上述基片台上的上述基片进行液浸曝光，在上述液浸曝光结束后，从上述基片台运出保持上述基片的上述基片保持构件。10.如权利要求9中所述的曝光方法，其特征在于上述基片保持构件的平坦部的表面呈疏液性。11.一种器件制造方法，其特征在于使用权利要求9中所述的曝光方法。12.一种经液体对基片照射曝光光以对基片曝光的曝光装置，其特征在于具备将图案的像投影在基片上的投影光学系统；以及可相对投影光学系统移动的移动台，在移动台上设置至少一部分呈疏液性的疏液性构件，该疏液性构件可更换。13.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于移动台具有保持基片的基片台和检测台的至少一个。14.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于移动台具有多个台。15.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于根据其疏液性的恶化来更换上述疏液性构件。16.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于移动台是保持基片的基片台，上述基片台具备保持上述构件的保持部和在上述保持部上以可装卸的方式安装上述构件的吸附装置。17.如权利要求16中所述的曝光装置，其特征在于上述疏液性构件是具有与基片的背面对置的第1面和沿基片的表面在基片外侧延伸的第2面的台阶状构件。18.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于至少第2面具有疏液性。19.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于还具备沿基片的表面在上述疏液性构件外侧延伸的第3面且与上述疏液性构件嵌合的外侧构件，至少第3面呈疏液性。20.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于还具备使上述疏液性构件相对上述保持部升降的升降装置。21.如权利要求20中所述的曝光装置，其特征在于上述升降装置在上述疏液性构件支撑基片的状态下使上述疏液性构件从上述保持部上升。22.如权利要求16中所述的曝光装置，其特征在于上述疏液性构件是具有支撑基片的背面的边缘部的支撑部、沿基片的表面在基片外侧延伸的平坦面和与平坦面连接且比平坦面高的侧壁的基片托。23.如权利要求22中所述的曝光装置，其特征在于还具备放置基片托的基片台，基片托与基片台分别具有互相连通的流路。24.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于上述构件的呈疏液性的部分由氟化物形成。25.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于上述疏液性的构件包含基准构件和光学传感器的至少一部分。26.如权利要求25中所述的曝光装置，其特征在于基准构件和光学传感器的至少一部分的光照射面呈疏液性。27.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于疏液性构件的呈疏液性的一部分具有光照射面，在该光照射面的表面上形成粘接层，在该粘接层的表面上形成有非晶质氟树脂层。28.如权利要求27中所述的曝光装置，其特征在于利用从由二氧化硅、氟化镁和氟化钙构成的一组中选择的至少一种微粒子层形成上述粘接层。29.如权利要求27中所述的曝光装置，其特征在于上述粘接层是通过用氟化氢刻蚀光照射面而得到的层。30.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于基片是没有缺口的圆形基片，在基片的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：长坂博之，高岩宏明，蛭川茂，星加隆一，石泽均，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]