用于选择性光学图形补偿的方法与系统技术方案

本发明专利技术公开了一种制备光刻掩模的方法与系统。该方法包括：确定第一接触区域，处理与第一接触区域相关联的信息，以及至少基于与第一接触区域相关联的信息来确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域。此外，该方法包括：如果第一光学补偿应当应用于第一接触区域，则将第一光学补偿应用于第一接触区域，处理与第一光学补偿相关联的信息，确定第一光学补偿和第二光学补偿或第二接触区域之间的第一距离，处理与第一距离相关联的信息，以及至少基于与第一距离有关的信息来调整第一光学补偿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及集成电路以及用于制造半导体器件的集成电路加工方法。更具体地说，本专利技术提供了一种用于制造集成电路的光学图形补偿的方法与系统。仅仅作为示例，本专利技术已经应用于制造集成电路的光刻掩模。但是应当认识到，本专利技术具有更广阔的应用范围。
技术介绍
集成电路或“IC”已经从单个硅晶片上制备的少数互连器件发展成为数以百万计的器件。当前集成电路提供的性能和复杂度远远超出了最初的预想。为了在复杂度和电路密度(即，在给定的芯片面积上能够封装的器件数目)方面获得进步，最小器件的特征尺寸(又被称为器件“几何图形”)伴随每一代集成电路的发展而变得更小。现在制备的半导体器件的特征尺寸小于约1/4微米。日益增加的电路密度不仅提高了集成电路的性能和复杂度，也降低了消费者的成本。集成电路制造设备可能要花费数亿甚至数十亿美元。每个制造设备具有一定的晶圆产量。每个晶圆上具有一定数量的集成电路。因此，通过将集成电路的个体器件制备得更小，可以在每个晶圆上制备更多器件，这增加了制造设备的产出。把器件制备得更小非常有挑战性，因为IC制造中使用的每道工艺都有极限。换句话说，给定的工艺通常只能向下达到某个特征尺寸，之后要么需要改变工艺要么需要改变器件的布图设计。这种极限的示例是用于以节约成本和高效的方式制造集成电路的光刻掩模。在过去的几年里，已经发展出利用芯片代工服务来制备专用集成电路。无生产线芯片设计公司通常设计专用集成电路。这些专用集成电路需要制造一套专用掩模(通常叫做“光罩”)。提供代工服务的芯片公司的一个例子是叫做上海中芯国际(SMIC)的芯片代工公司。尽管无生产线芯片设计公司与代工服务在这几年间迅速增加，但是仍然存在许多限制。例如，光刻技术受到关学衍射和其它效应的限制。在下文的本说明书中详细描述了这些和其它限制。在本说明书尤其下文中将描述这些以及其它的限制。从上文可以看出，需要一种用于加工半导体器件的改进技术。
技术实现思路
本专利技术一般地涉及集成电路以及用于制造半导体器件的集成电路加工方法。更具体地说，本专利技术提供了一种用于制造集成电路的光学图形补偿的方法与系统。仅仅作为示例，本专利技术已经应用于制造集成电路的光刻掩模。但是应当认识到，本专利技术具有更广阔的应用范围。在具体实施例中，本专利技术提供了一种制备光刻掩模的方法。该方法包括确定第一接触区域，处理与第一接触区域有关的信息，以及至少基于与第一接触区域有关的信息来确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域。此外，该方法包括如果第一光学补偿应当应用于第一接触区域，则将第一光学补偿应用于第一接触区域，处理与第一光学补偿有关的信息，确定第一光学补偿和第二光学补偿或第二接触区域之间的第一距离，处理与第一距离有关的信息，以及至少基于与第一距离有关的信息来调整第一光学补偿。所述处理与第一接触区域有关的信息的步骤包括确定从第一接触区域的第一多个边界到导电区域的第二多个边界的多个距离，处理与所述多个距离有关的信息，分别确定与所述多个距离有关的多个区域，以及处理与所述多个区域有关的信息。所述确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域的步骤是至少基于与所述多个距离和所述多个区域有关的信息而执行的。在本专利技术的另一具体实施例中，一种制备光刻掩模的方法包括确定第一导电区域和第一延伸区域，处理与第一导电区域和第一延伸区域有关的信息，至少基于与第一导电区域和第一延伸区域有关的信息来确定第二导电区域，至少基于与第一导电区域和第一延伸区域有关的信息来确定第二延伸区域，处理与第二导电区域和第二延伸区域有关的信息，以及确定第一光学图形补偿是否应被应用到第二导电区域。此外，该方法包括如果第一光学图形补偿应当被应用于第二导电区域，则将第一光学补偿应用于第二导电区域，处理与第一光学补偿有关的信息，确定第一光学补偿和第二光学补偿或第三导电区域之间的第一距离，处理与第一距离有关的信息，至少基于与第一距离有关的信息来调整第一光学补偿。第一延伸区域包括第一有源区域和保护区域。保护区域围绕第一有源区域并且不是光刻掩模的一部分。所述确定第一光学图形补偿是否应当被应用于第二导电区域的步骤是至少基于与第二导电区域和第二延伸区域有关的信息而执行的。在本专利技术的又一实施例中，一种制备光刻掩模的方法包括确定第一接触区域和至少一个邻近的接触区域，处理与第一接触区域和所述至少一个邻近接触区域有关的信息，将第一接触区域分类为多个类别之一，以及至少基于与第一接触区域和所述至少一个邻近接触区域有关的信息而将第一光学图形补偿应用于第一接触区域。所述将第一接触区域分类的步骤是至少基于与第一接触区域和所述至少一个邻近接触区域之间的至少第一距离有关的信息而执行的。通过本专利技术，实现了许多优于传统技术的优点。例如，该技术便于使用依赖于现有技术的工艺。本专利技术具有众多优于现有技术的优点。本专利技术的某些实施例选择性应用光学图形补偿并减少掩模设计的数据库容量。本专利技术的一些实施例自动检查多个掩模区域之间的间隔，并且相应地调整光学图形补偿。这降低了对检测违反设计规则的计算要求。本专利技术的某些实施例考虑不同层之间的关系以选择用于光学图形补偿的区域。例如，所述多个层包括金属层和过孔层、或者有源层和多晶硅层。本专利技术的一些实施例提供了对不同类型接触孔区域的不同光学图形补偿。本专利技术的某些实施例减少了掩模转换和写时间。此外，该方法提供的工艺与现有工艺技术相兼容，而不用对现有设备和工艺进行实质性的修改。取决于实施例，可以实现这些优点中的一个或多个。在本说明书尤其在下文中将详细描述这样和那样的优点。参考随后的详细说明和附图，可以更全面地理解本专利技术的各种其它目的、特征和优点。附图说明图1是根据本专利技术实施例的光学图形补偿方法的简化示图；图2是根据本专利技术实施例的接触区域和金属区域的简化示图；图3是根据本专利技术实施例的步骤120的简化示图；图4是根据本专利技术实施例的步骤120的简化示图；图5和图6是根据本专利技术实施例应用光学图形补偿的简化示图；图7和图8是根据本专利技术实施例确定间隔的简化示图；图9和图10是根据本专利技术实施例调整光学图形补偿的简化示图；图11是根据本专利技术实施例带有光学图形补偿的光刻掩模的简化示图；图12是根据本专利技术另一实施例的光学图形补偿方法的简化示图；图13是根据本专利技术实施例的多晶硅区域和延伸区域的简化示图；图14和图15是确定低于阈值且没有多晶硅区域的延伸区域的简化示图；图16是根据本专利技术实施例确定上覆多晶硅区域的延伸区域的简化示图；图17是根据本专利技术实施例确定用于光学图形补偿的多晶硅区域的简化示图；图18是根据本专利技术实施例应用光学图像补偿的简化示图；图19是根据本专利技术实施例确定间隔的简化示图；图20是根据本专利技术实施例调整光学图形补偿的简化示图；图21是根据本专利技术另一实施例带有光学图形补偿的光刻掩模的简化示图；图22是根据本专利技术又一实施例的光学图形补偿方法的简化示图；图23是根据本专利技术实施例的接触孔区域的简化示图；图24是根据本专利技术实施例确定低于阈值的间隔的简化示图； 图25是根据本专利技术实施例确定未与低于阈值的间隔相关联的接触孔区域的简化示图；图26和图27是根据本专利技术实施例对与低于阈值的间隔相关联的接触孔区域分类的简化示图；图28是根据本专利技术实施例应用光学图形补偿的简化示图；图29是根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备光刻掩模的方法，所述方法包括：确定第一接触区域；处理与第一接触区域相关联的信息；至少基于与第一接触区域相关联的信息来确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域；如果第一光学补偿应当应用于第一接触区域，则将第一光学补偿应用于第一接触区域；处理与第一光学补偿相关联的信息；确定第一光学补偿和第二光学补偿或第二接触区域之间的第一距离；处理与第一距离相关联的信息；至少基于与第一距离相关联的信息来调整第一光学补偿；其中所述处理与第一接触区域相关联的信息的步骤包括：确定从第一接触区域的第一多个边界到导电区域的第二多个边界的多个距离；处理与所述多个距离相关联的信息；分别确定与所述多个距离相关联的多个区域；处理与所述多个区域相关联的信息；其中所述确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域的步骤是至少基于与所述多个距离和所述多个区域相关联的信息而执行的。

【技术特征摘要】
1.一种制备光刻掩模的方法，所述方法包括确定第一接触区域；处理与第一接触区域相关联的信息；至少基于与第一接触区域相关联的信息来确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域；如果第一光学补偿应当应用于第一接触区域，则将第一光学补偿应用于第一接触区域；处理与第一光学补偿相关联的信息；确定第一光学补偿和第二光学补偿或第二接触区域之间的第一距离；处理与第一距离相关联的信息；至少基于与第一距离相关联的信息来调整第一光学补偿；其中所述处理与第一接触区域相关联的信息的步骤包括确定从第一接触区域的第一多个边界到导电区域的第二多个边界的多个距离；处理与所述多个距离相关联的信息；分别确定与所述多个距离相关联的多个区域；处理与所述多个区域相关联的信息；其中所述确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域的步骤是至少基于与所述多个距离和所述多个区域相关联的信息而执行的。2.如权利要求1所述的方法，其中所述处理与所述多个距离相关联的信息的步骤包括确定所述多个距离的每个是否小于第一距离阈值，并且所述处理与所述多个区域相关联的信息的步骤包括确定所述多个区域的每个是否小于区域阈值。3.如权利要求2所述的方法，其中所述确定第一光学补偿是否应被应用于第一接触区域的步骤包括确定所述多个距离的每个是否小于第一距离阈值，并且没有与小于所述区域阈值的所述多个区域之一相关联；确定第一接触区域是否与小于第一距离阈值的所述多个距离的至少三个相关联，并且没有与小于所述区域阈值的所述多个区域之一相关联。4.如权利要求3所述的方法，其中所述多个区域包括第三多个边界和第四多个边界，第三多个边界和第四多个边界分别彼此相距所述多个距离。5.如权利要求1所述的方法，其中所述处理与第一距离相关联的信息的步骤包括确定第一距离是否小于第二阈值距离。6.如权利要求1所述的方法，其中所述至少基于与第一距离相关联的信息来调整第一光学补偿的步骤包括只有在第一距离小于第二阈值距离的情况下，才调整第一光学补偿。7.如权利要求1所述的方法，其中第一光学图形补偿围绕带有补偿宽度的第一接触区域。8.如权利要求1所述的方法，还包括制备光刻掩模，所述光刻掩模包括导电区域和第一光学图形补偿。9.一种制备光刻掩模的方法，所述方法包括确定第一导电区域和第一延伸区域；处理与第一导电区域和第一延伸区域相关联的信息；至少基于与第一导电区域和第一延伸区域相关联的信息来确定第二导电区域；至少基于与第一导电区域和第一延伸区域相关联的信息来确定第二延伸区域；处理与第二导电区域和第二延伸区域相关联的信息；确定第一光学图形补偿是否应被应用到第二导电区域；如果第一光学图形补偿应当被应用于第二导电区域，则将第一光学补偿应用于第二导电区域；处理与第一光学补偿相...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭贵琦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]