增进晶背散热的薄型封装构造制造技术

本发明专利技术是有关于一种增进晶背散热的薄型封装构造，其包括一基板、一晶片及一封胶体，该基板具有一上表面、一下表面以及一贯通的容晶孔，该晶片容置于该基板的该容晶孔，该晶片具有一主动面及一背面，该主动面形成有复数个焊垫，其电性连接至该基板，该晶片的背面形成有复数个沟槽，该封胶体是形成于该基板的该上表面，并覆盖该晶片的该主动面，而显露该晶片的该背面与该些沟槽，故该些沟槽具有增进晶背导热、增强晶片强度的功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种裸露晶背的集成电路封装构造，特别是涉及一种增进晶背散热的薄型封装构造。
技术介绍
随着集成电路的封装技术愈往轻、薄、短、小发展，散热的需求愈来愈高，一般是在封装构造上再加上一散热片，以提升封装构造的散热，但会增加其总厚度，因此在考量封装总厚度的状况下，遂发展出一种利用直接显露晶片背面以提升散热的封装构造。如依据美国专利5,696,666所揭示的，请参阅图1所示，是现有习知的裸露晶背的球格阵列封装构造的截面示意图，该现有习知的集成电路封装构造，主要包括一晶片10及一具有贯通开孔21的基板20，贯通开孔21贯穿基板20的上表面22与下表面23，且该贯通开孔21是为方形，其尺寸与晶片10约略相同。该晶片10容置于贯通开孔21内，在制程中先可利用一黏性胶带固定之。一封胶体30是密封晶片10的主动面11与基板20的上表面22，但该晶片10的背面12是直接显露于基板20的下表面23，可使该晶片10在工作时所产生的热，藉由该背面12直接散热，但已知的该晶片10的散热效益与晶片背面12的显露表面积有关，目前现有习知的封装构造内晶片背面所显露的最大表面积仅为晶片尺寸大小，无法再增加，故无法提升最大的散热效益。由此可见，上述现有的集成电路封装构造在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决集成电路封装构造存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的增进晶背散热的薄型封装构造，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的集成电路封装构造存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的增进晶背散热的薄型封装构造，能够改进一般现有的集成电路封装构造，使其更具有实用性。经过不断研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的集成电路封装构造存在的缺陷，而提供一种新型的增进晶背散热的薄型封装构造，所要解决的技术问题是使其利用至少一沟槽形成于一晶片的一背面，且该沟槽与该晶片的该背面是显露于一封胶体，以增加晶背的裸露表面积，故能增进散热。此外，该些沟槽可增强晶片结构强度，或可增强与一散热片的结合。其可适用于球格阵列封装(BGA package)、无外接脚封装(例如QFN package)与凸块化晶片载体封装(BCC package)，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术的另一目的在于，提供一种增进晶背散热的薄型封装构造，所要解决的技术问题是使其主要包括一晶片、复数个外接端以及一封胶体。该封胶体具有一底面，该些外接端与该晶片的一背面是同向显露于该封胶体的该底面。因此当该薄型封装构造以该些外接端接合至一外部印刷电路板时，可以保护该晶片的裸露背面以及在该背面的沟槽，不易被碰伤，从而更加适于实用。本专利技术的再一目的在于，提供一种增进晶背散热的薄型封装构造，所要解决的技术问题是使其形成在一晶片的背面是为至少一沟槽，该沟槽是不连接至该晶片的该背面的一边缘，以防止溢胶流入，而可以确保该沟槽与该晶片的背面能显露在一封胶体之外，从而更加适于实用。本专利技术的还一目的在于，提供一种增进晶背散热的薄型封装构造，所要解决的技术问题是使其中位于晶片背面的至少一沟槽是显露于一封胶体之外，而可以增进散热，其可形成为激光标记，更兼具有对已封装晶片进行辨识的功能，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种增进晶背散热的薄型封装构造，其包括一封胶体；一晶片，其形成于该封胶体内，该晶片具有一主动面、一背面以及复数个侧面，该背面形成有至少一沟槽；以及复数个外接端，其电性连接至该晶片并显露于该封胶体；其中，该封胶体是覆盖该晶片的该主动面与该些侧面，且显露于该晶片的该背面与该沟槽，以利散热。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的封胶体其具有一底面，该些外接端与该晶片的该背面是同向显露于该封胶体的该底面。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的沟槽是形成为激光标记。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其另包括一散热片，其贴设于该晶片。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的晶片的该背面更形成有一周边缺口，以供该封胶体的覆盖。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种增进晶背散热的薄型封装构造，其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及一贯通的容晶孔；一晶片，其容置于该基板的该容晶孔，该晶片具有一主动面及一背面，该主动面形成有复数个焊垫，其电性连接至该基板，该背面形成有至少一沟槽；以及一封胶体，其形成于该基板的该上表面，并覆盖该晶片的该主动面；其中，该晶片的该背面与该沟槽是显露于该封胶体。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的基板的该下表面形成有复数个外接端，该晶片的该背面是与该些外接端同向。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的沟槽是形成为激光标记。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其另包括一散热片，其贴设于该晶片。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的晶片的该背面更形成有一周边缺口，以供该封胶体的覆盖。前述的增进晶背散热的薄型封装构造，其中所述的封胶体的尺寸是大致等于该基板的尺寸，以完全覆盖该基板的该上表面。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下为了达到上述目的，本专利技术提供了一种增进晶背散热的薄型封装构造主要包括一晶片、一基板以及一封胶体。该晶片具有一主动面及一背面，该主动面形成有复数个焊垫，以电性连接至该基板，该背面形成有至少一沟槽。该基板具有一上表面、一下表面以及一贯通的容晶孔，以容置该晶片。该封胶体形成于该基板的该上表面并覆盖该晶片的该主动面，并且该封胶体是显露该晶片的该背面与该沟槽，该沟槽具有增进晶背导热、增强晶片强度、甚至可增强对散热片结合的功效。借由上述技术方案，本专利技术增进晶背散热的薄型封装构造至少具有下列优点本专利技术克服了现有集成电路封装构造存在的缺陷，其利用至少一沟槽形成于一晶片的一背面，且该沟槽与该晶片的该背面是显露于一封胶体，可以增加晶背的裸露表面积，故能够增进散热。此外，该些沟槽可以增强晶片结构强度，或可增强与一散热片的结合。其可广泛适用于球格阵列封装(BGA package)、无外接脚封装(例如QFN package)与凸块化晶片载体封装(BCC package)，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。此外，本专利技术主要包括一晶片、复数个外接端以及一封胶体。该封胶体具有一底面，该些外接端与该晶片的一背面是同向显露于该封胶体的该底面。因此当该薄型封装构造以该些外接端接合至一外部印刷电路板时，可以保护该晶片的裸露背面以及在该背面的沟槽，不易被碰伤，从而更加适于实用。进一步的，本专利技术形成在一晶片的背面是为至少一沟槽，该沟槽是不连接至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其包括：一封胶体；一晶片，其形成于该封胶体内，该晶片具有一主动面、一背面以及复数个侧面，该背面形成有至少一沟槽；以及复数个外接端，其电性连接至该晶片并显露于该封胶体； 其中，该封胶体是覆盖该晶片的该主动面与该些侧面，且显露于该晶片的该背面与该沟槽，以利散热。

【技术特征摘要】
1.一种增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其包括一封胶体；一晶片，其形成于该封胶体内，该晶片具有一主动面、一背面以及复数个侧面，该背面形成有至少一沟槽；以及复数个外接端，其电性连接至该晶片并显露于该封胶体；其中，该封胶体是覆盖该晶片的该主动面与该些侧面，且显露于该晶片的该背面与该沟槽，以利散热。2.根据权利要求1所述的增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其中所述的封胶体具有一底面，该些外接端与该晶片的该背面是同向显露于该封胶体的该底面。3.根据权利要求1所述的增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其中所述的沟槽是形成为激光标记。4.根据权利要求1所述的增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其另包括一散热片，其贴设于该晶片。5.根据权利要求1所述的增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其中所述的晶片的该背面更形成有一周边缺口，以供该封胶体的覆盖。6.一种增进晶背散热的薄型封装构造，其特征在于其包括一基板，其具有一上表面、一下表面以及一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政庭，邱士峰，潘玉堂，陈廷源，张育诚，苏铭弘，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]