【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及电子设备
[0001]本申请各实施例属于半导体领域,具体涉及半导体器件结构及电子设备。
技术介绍
[0002]在半导体芯片的封装工艺无论是打线还是其它工艺步骤,都会对顶层金属产生一定的拉力,这样导致金属层与下方氧化层或介质层会进行分层。
技术实现思路
[0003]本申请实施例目的在于克服上述问题或者至少部分地解决或缓解上述问题,本申请提供的技术方案可以降低半导体器件结构中的金属层与介质层分层的风险。
[0004]第一方面,本申请实施例提供了一种半导体器件结构,包括,半导体器件本体,所述半导体器件本体上表面设置有介质层,在所述介质层上方对应位置间隔设置有栅极金属层与源极金属层,在所述介质层中与栅极金属层对应的位置至少设置一个第一接触孔和第二接触孔,在所述介质层中与源极金属层对应的位置至少设置一个第三接触孔,所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔中填充有导电金属。
[0005]与现有技术相比,本申请实施例通过在金属层下方排布多个接触孔,来增加金属与介质层的接触面积,这样可以降低半导体器件结构中的金属层与介质层分层的风险。
[0006]第二方面,本申请实施例还提供了一种电子设备,包括第一方面所述的一种半导体器件结构。
[0007]与现有技术相比,本申请第二方面提供实施例的有益效果与上述任一方面技术方案的有益效果相同,在此不再赘述。
附图说明
[0008]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构,其特征在于,包括,半导体器件本体,所述半导体器件本体上表面设置有介质层,在所述介质层上方对应位置间隔设置有栅极金属层与源极金属层,在所述介质层中与栅极金属层对应的位置至少设置一个第一接触孔和第二接触孔,在所述介质层中与源极金属层对应的位置至少设置一个第三接触孔,所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔中填充有导电金属。2.如权利要求1所述的一种半导体器件结构,其特征在于,在所述半导体本体中与所述栅极金属层对应位置设置有第一沟槽,在所述半导体本体中与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:诸舜杰,岳瑞芳,阮孟波,
申请(专利权)人:上海韦尔半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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