半导体装置以及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括介电结构、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、氧化物半导体层、栅极介电层以及第一栅极。第一源极/漏极电极设置于介电结构之内。氧化物半导体层于垂直方向上设置于第一源极/漏极电极上。第二源极/漏极电极于垂直方向上设置于氧化物半导体层上。栅极介电层设置于介电结构上且于水平方向上围绕氧化物半导体层。栅极介电层包括第一部分与第二部分。第一部分沿水平方向延伸。第二部分设置于第一部分上且沿垂直方向延伸。第一栅极设置于栅极介电层的第一部分上。栅极设置于栅极介电层的第一部分上。栅极设置于栅极介电层的第一部分上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有氧化物半导体层的半导体装置以及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路的技术随着时间不断地进步成长，每个新世代制作工艺下的产品都较前一个世代具有更小且更复杂的电路设计。在各芯片区域上的功能元件因产品革新需求而必须使其数量与密度不断地提升，当然也就使得各元件几何尺寸需越来越小。一般的半导体制作工艺可大略分为用以于晶片上形成晶体管的前段(front end of line，FEOL)制作工艺以及于晶体管上形成接触结构、层间介电层、互连结构以及接触垫等部件的后段(back end of line，BEOL)制作工艺。然而，随着集成电路的积集度要求越来越高，许多主动(有源)或/及被动(无源)元件也被设计于BEOL制作工艺中形成，因此造成制作工艺复杂度与制造成本提高。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种半导体装置以及其制作方法，利用于氧化物半导体层在垂直方向上的相对两侧设置源极/漏极电极，由此达到简化相关制作工艺或/及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：介电结构；第一源极/漏极电极，设置于该介电结构之内；氧化物半导体层，在一垂直方向上设置于该第一源极/漏极电极上；第二源极/漏极电极，在该垂直方向上设置于该氧化物半导体层上；栅极介电层，设置于该介电结构上且于一水平方向上围绕该氧化物半导体层，其中该栅极介电层包括：第一部分，沿该水平方向延伸；以及第二部分，设置于该第一部分上且沿该垂直方向延伸；以及第一栅极，设置于该栅极介电层的该第一部分上。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的一部分于该水平方向上设置于该第一栅极与该氧化物半导体层之间，且该栅极介电层的该第一部分的一部分于该垂直方向上设置于该第一栅极与该介电结构之间。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的上表面于该垂直方向上高于该栅极介电层的该第一部分的上表面。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极设置于该栅极介电层的该第一部分的上表面上，且该第一栅极的上表面于该垂直方向上低于该栅极介电层的该第二部分的上表面。5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极设置于该栅极介电层的该第一部分的一上表面上，且该第一栅极的上表面与该栅极介电层的该第二部分的上表面共平面。6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：第二栅极，设置于该栅极介电层的该第一部分上，其中该第一栅极与该第二栅极设置于该氧化物半导体层的相对两侧，且该第一栅极与该第二栅极互相分离。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第二部分的一部分于该水平方向上设置于该第一栅极与该氧化物半导体层之间，且该栅极介电层的该第二部分的另一部分于该水平方向上设置于该第二栅极与该氧化物半导体层之间。8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该栅极介电层的该第一部分的一部分于该垂直方向上设置于该第一栅极与该介电结构之间，且该栅极介电层的该第一部分的另一部分于该垂直方向上设置于该第二栅极与该介电结构之间。9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：介电层，设置于该介电结构以及该第一源极/漏极电极上，其中该介电层于该垂直方向上设置于该介电结构与该栅极介电层之间，且该氧化物半导体层于该垂直方向上贯穿该介电层。10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：半导体基底，其中该介电结构设置于该半导体基底上；以及互连结构，其中该互连结构的至少一部分设置于该介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，陈鼎龙，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：