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本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括介电结构、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极、氧化物半导体层、栅极介电层以及第一栅极。第一源极/漏极电极设置于介电结构之内。氧化物半导体层于垂直方向上设置于第一源极/漏极电极上...
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