氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓垂直型PIN二极管，包括：衬底，衬底相对设有第一表面和第二表面；氮化镓缓冲层，外延生长在衬底的第一表面；PIN结，PIN结包括在氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；阳极电极，设置在P+氮化镓外延层远离衬底的第一表面；阴极电极，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在衬底的第二表面设有刻蚀槽，刻蚀槽至少延伸至露出N+氮化镓外延层，欧姆接触电极金属层设置在刻蚀槽内、与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阴极金属层形成在欧姆接触电极金属层上。本发明专利技术通过在PIN结节两侧分别制备对称分别的阴极电极和阳极电极，从而形成垂直型PIN二极管，提高了芯片的集成度。集成度。集成度。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、热导率高、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等优点，在功率器件制造领域具有广阔的市场应用前景。使用GaN材料制作的二极管，与传统的Si二极管相比，在相同的芯片面积下，可以传输更大的电流和承受更高的电压。
[0003]目前，采用GaN异质外延材料制作的二极管为半垂直型二极管，即二极管的阳极和阴极在晶圆的同一面。但是，由于电极集中在晶圆同一面，增加了芯片的面积，减小了芯片的电流密度。并且在后续装配使用过程中需要对阳极和阴极同时采用打线的方式将电极引出，增加了使用难度和成本。如何制作垂直型PIN二极管，提高芯片集成度，成为亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种氮化镓垂直型PIN二极管及制备方法，以解决目前PIN二极管无法制作成垂直型器件，集成度较低的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种氮化镓垂直型PIN二极管，包括：
[0006]衬底，所述衬底相对设有第一表面和第二表面；
[0007]氮化镓缓冲层，外延生长在所述衬底的第一表面；
[0008]PIN结，所述PIN结包括在所述氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；
[0009]阳极电极，设置在所述P+氮化镓外延层远离所述衬底的第一表面；<br/>[0010]阴极金属层，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在所述衬底的第二表面设有刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N+氮化镓外延层，所述欧姆接触电极金属层设置在所述刻蚀槽内、与所述N+氮化镓外延层形成欧姆接触，所述阴极金属层形成在所述欧姆接触电极金属层上。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述欧姆接触电极金属层与所述阳极电极在垂直于所述PIN结的方向上对应设置。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述欧姆接触电极金属层与所述阳极电极尺寸相当、且相对所述PIN结位置对称。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述阳极电极上还设有钝化层。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述衬底的厚度为10μm～200μm、所述氮化镓缓冲层的厚度为0.01μm～5μm、所述N+氮化镓外延层的厚度为0.1μm～5μm、所述本征氮化镓外延层的厚度为0.1μm～100μm、所述P+氮化镓外延层的厚度为0.1μm～5μm和/或所述钝化层的厚度为0.1μm～10μm。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述衬底为SiC、Si或蓝宝石。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述欧姆接触电极金属层的金属为Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au或Ti/Al/Pt/Au；和/或
[0017]所述阳极电极的金属为Ti/Au、Ni/Au或Ti/Al。
[0018]本专利技术实施例提供的一种氮化镓垂直型PIN二极管，通过在衬底的第二表面设置刻蚀槽，且刻蚀槽延伸至N+氮化镓外延层，在刻蚀槽内设有欧姆接触电极金属层和阴极金属层形成阴极电极。从而在异质外延氮化镓材料上的PIN结的两侧对应设置阴极电极和阳极电极，形成垂直结构的PIN二极管，不仅增大了电流密度，而且使芯片的集成度提供，便于后续装配。
[0019]第二方面，本专利技术实施例提供了一种氮化镓垂直型PIN二极管的制备方法，包括：
[0020]提供一衬底；
[0021]在所述衬底的上表面依次生长氮化镓缓冲层、N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层和阳极电极；
[0022]将所述衬底的下表面减薄至预设厚度；
[0023]在所述减薄后的衬底的下表面进行刻蚀，直至刻蚀露出所述N+氮化镓外延层后，停止刻蚀；
[0024]在露出的所述N+氮化镓外延层上沉积欧姆接触电极金属层；
[0025]对所述欧姆接触电极金属层进行激光退火后，在退火后的所述欧姆接触电极金属层上制备阴极金属层。
[0026]在一种可能的实现方式中，在所述减薄后的衬底的下表面进行刻蚀时，将所述阳极电极对应区域的所述减薄后的衬底和所述氮化镓缓冲层进行刻蚀。
[0027]在一种可能的实现方式中，所述激光的能量密度为1J/cm2～5J/cm2。
[0028]本专利技术实施例提供的一种氮化镓垂直型PIN二极管的制备方法，首先在衬底的下表面和氮化镓缓冲层上刻蚀形成刻蚀槽，从而露出N+氮化镓外延层；然后，在露出的N+氮化镓外延层上沉积欧姆接触电极金属层，形成阴极欧姆接触电极。最后，通过对欧姆接触电极金属层进行激光退火后，形成阴极欧姆接触后，在退火后的欧姆接触电极金属层上制备阴极金属层，形成阴极电极。如此，制备形成异质外延氮化镓垂直型PIN二极管，从而不仅提高了芯片的电流密度，而且通过将阴极电极和阳极电极分别设置在衬底的两侧，形成垂直型PIN二极管，提高了集成度。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本专利技术实施例提供的一种氮化镓垂直型PIN二极管的结构示意图；
[0031]图2是本专利技术实施例提供的氮化镓垂直型PIN二极管的制备方法的结构示意图。
[0032]图3是本专利技术实施例提供的氮化镓垂直型PIN二极管的制备方法的流程示意图。
[0033]图中，101
‑
衬底，102
‑
氮化镓缓冲层，103
‑
N+氮化镓外延层，104
‑
本征氮化镓外延层，105
‑
P+氮化镓外延层，106
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阳极电极，107
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欧姆接触电极金属层，108
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阴极金属层，109
‑
钝化层。
具体实施方式
[0034]为了使本
的人员更好地理解本方案，下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本方案一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本方案保护的范围。
[0035]本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形，是指“包括但不限于”，意图在于覆盖不排他的包含，并不仅限于文中列举的示例。此外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。
[0036]目前，采用GaN异质外延材料制作的PIN二极管大多将二极管的阳极和阴极制作在晶圆的同一面，芯片的集成度较低，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓垂直型PIN二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底相对设有第一表面和第二表面；氮化镓缓冲层，外延生长在所述衬底的第一表面；PIN结，所述PIN结包括在所述氮化镓缓冲层上依次垂直生长的N+氮化镓外延层、本征氮化镓外延层、P+氮化镓外延层；阳极电极，设置在所述P+氮化镓外延层远离所述衬底的第一表面；阴极金属层，包括欧姆接触电极金属层和阴极金属层，其中，在所述衬底的第二表面设有刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N+氮化镓外延层，所述欧姆接触电极金属层设置在所述刻蚀槽内、与所述N+氮化镓外延层形成欧姆接触，所述阴极金属层形成在所述欧姆接触电极金属层上。2.如权利要求1所述的氮化镓垂直型PIN二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极金属层与所述阳极电极在垂直于所述PIN结的方向上对应设置。3.如权利要求2所述的氮化镓垂直型PIN二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极金属层与所述阳极电极尺寸相当、且相对所述PIN结位置对称。4.如权利要求1所述的氮化镓垂直型PIN二极管，其特征在于，所述阳极电极上还设有钝化层。5.如权利要求4所述的氮化镓垂直型PIN二极管，其特征在于，所述衬底的厚度为10μm～200μm、所述氮化镓缓冲层的厚度为0.01μm～5μm、所述N+氮化镓外延层的厚度为0.1μm～5μm、所述本征氮化镓外延层的厚度为0.1μm～100μm、所述P...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭永亮，周国，高三垒，秦龙，胡多凯，崔雍，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：