【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种用于制造层结构的方法,其中:首先在衬底上形成导电层,并对该导电层进行构图;随后,牺牲层形成于该图形化导电层的至少一部分上;电绝缘层形成于该导电层上和该牺牲层上;该电绝缘层被构图,使得该牺牲层的表面区域暴露,其中,当恰好到达在该导电层的上端部分上的牺牲层区域的表面时,停止对该电绝缘层的去除;除去该牺牲层的暴露区域,从而暴露该导电层的表面区域;用导电材料图案覆盖该图形化导电层的暴露表面区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:S厄克特,K格勒,H温德特,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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