【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶硅层的制造方法,包括:提供一基板,该基板具有一正面与一背面;依序形成一缓冲层、一非晶硅层与一顶盖层于该基板的该正面上;图形化该顶盖层以形成一图形化顶盖层,并暴露出部分该非晶硅层,其中所暴露出的部分该非晶硅层的 区域是一结晶开始区域;形成一金属催化剂层于该图形化顶盖层上,且该金属催化剂层与该结晶开始区域中的该非晶硅层接触;以及对该基板的该背面进行一激光加热制程,使该非晶硅层自该结晶开始区域结晶并转变成一多晶硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨芸佩,邓德华,施智仁,吕佳谦,
申请(专利权)人:中华映管股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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