【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜；当在所述衬底的表面和所述开口的内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜；以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，而在暴露所述含铜膜和所 述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。