一种低耗银太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低耗银太阳能电池片，它包括待形成背面栅线的太阳能电池片、在太阳能电池片背面的背面银浆主栅线、与背面银浆主栅对应电连接的背面铜细栅线以及包覆背面铜细栅线表面且主要由锡或铜锡合金或银制成的保护导电层。本实用新型专利技术的目的在于提供一种低耗银太阳能电池片，其适用于双面发电的太阳能电池片结构，可以大幅降低单片银耗量，从而在不降低太阳能电池片转换效率的情况下降低制造成本。造成本。造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低耗银太阳能电池片


[0001]本技术涉及一种低耗银太阳能电池片。

技术介绍

[0002]随着新能源的开发，光伏产业作为新能源开发的主力军，太阳能电池片的产品提升是一个重要研发项目。目前高效太阳能电池片的栅线均采用银浆印刷的方式制作，而银浆中的主要成份银作为贵金属之一，使得栅线成本较高。太阳能电池片的银浆耗量＞200mg/片，占太阳能电池片非硅成本60％以上。为了减少银浆单耗，现市面上有采用MBB、Smartwire等技术进行提效和降本的技术，但是银浆成本占比还是最大。因此，如何减少银浆的用量是高效太阳能电池片降低制作成本的主要研发方向之一。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种低耗银太阳能电池片，其适用于双面发电的太阳能电池片结构，可以大幅降低单片银耗量，从而在不降低太阳能电池片转换效率的情况下降低制造成本。
[0004]本技术的目的通过如下技术方案实现：
[0005]一种低耗银太阳能电池片，它包括待形成背面栅线的太阳能电池片、在太阳能电池片背面的背面银浆主栅线、与背面银浆主栅对应电连接的背面铜细栅线以及包覆背面铜细栅线表面且主要由锡或铜锡合金或银制成的保护导电层。
[0006]较之现有技术而言，本技术的优点在于：
[0007]1.采用背面铜细栅线代替背面的银浆细栅，有效降低银浆用量，并且在背面铜细栅线表面附着保护导电层，在保护背面铜细栅线的同时，提高栅线的导电能力，充分保证太阳能电池片转换效率，又明显降低制造成本。
[0008]2.通过高导电金属层的设置，可降低背面银主栅之间的线电阻，减少电子横向传输的损耗，从而提高电池片电气性能。
附图说明
[0009]图1是太阳能电池片完成减反射层和背面铜层沉积时的一种实施例的剖视结构简图。
[0010]图2是本技术一种实施例成品的剖视结构简图。
[0011]图3是本技术一种实施例的制作流程示意图。
[0012]图4是本技术一种实施例的背面结构简图。
[0013]图5是本技术另一种实施例成品的剖视结构简图。
[0014]标号说明：1硅片、2正面非晶硅膜层、3背面非晶硅膜层、4、减反射膜层、5铜层、6防氧化导电层、7正面银浆栅线、8保护导电层、9背面铜细栅线、10背面银浆主栅、11高导电金属层。
具体实施方式
[0015]一种低耗银太阳能电池片，它包括待形成背面栅线的太阳能电池片、在太阳能电池片背面的背面银浆主栅线、与背面银浆主栅对应电连接的背面铜细栅线以及包覆背面铜细栅线表面且主要由锡或铜锡合金或银制成的保护导电层。
[0016]所述背面铜细栅线的厚度在20
‑
1000nm之间，线宽为80
‑
300um，栅线间距为100
‑
500um。
[0017]所述保护导电层的厚度在50
‑
500nm之间。
[0018]所述的低耗银太阳能电池片，它还包括设于背面铜细栅线与保护导电层之间的高导电金属层。
[0019]所述高导电金属层为主要由化学铜或化学镍合金制成的膜层。
[0020]所述高导电金属层的厚度在0.2
‑
1.5um之间。
[0021]下面结合说明书附图和实施例对本技术的制造方法进行详细说明：
[0022]实施例一：
[0023]如图1至图4所示为本技术提供的一种低耗银太阳能电池片的实施例示意图。
[0024]S01：在硅片正反表面进行制绒，使硅片表面形成金字塔形状的绒面。
[0025]S02：在制绒后的硅片正、背面分别沉积正面非晶硅膜层、背面非晶硅膜层；即在正面沉积第一非晶硅本征膜层和第一掺杂非晶硅薄膜层(可以P型掺杂非晶硅薄膜层也可以是N型掺杂非晶硅薄膜层)，在背面沉积第二非晶硅本征膜层和第二掺杂非晶硅薄膜层(如果第一掺杂层为P型掺杂非晶硅膜层，则第二掺杂层为N型掺杂非晶硅膜层；如果第一掺杂层为N型掺杂非晶硅膜层，则第二掺杂层为P型掺杂非晶硅膜层)。
[0026]S03：正面非晶硅膜层、背面非晶硅膜层上分别沉积减反射膜层，减反射膜层为具有透明导电性能的TCO，可以是ITO、IWO、IXO等，减反射膜层厚度为50
‑
150nm；在背面的减反射膜层上沉积一层铜层，厚度在20
‑
1000nm之间；在铜层上沉积一层防氧化导电层，避免铜层氧化，防氧化导电层可以是TCO的一种，也可以是其他氧化物导电膜层，如AZO、Al2O3；此时完成图1结构示意图；
[0027]S04：在电池片正面利用印刷方式印刷出正面银浆栅线，包括主栅线和细栅线，两者可以一起印刷成型，但为了保护线型及栅线高度等也可以分开印刷，之后进行正面银浆栅线表干作业；
[0028]S05：在电池片背面防氧化导电层上，印刷正面银浆栅线，之后进行固化作业，其后对正面银浆栅线和正面银浆栅线进行固化；
[0029]S06：利用感光掩膜法或油墨印刷法，在电池片背面将所需要的背面铜细栅线图形通过蚀刻保护层进行保护；然后利用酸性蚀刻或碱性蚀刻的方式将未覆盖蚀刻保护层和背面银浆主栅线的防氧化导电层和铜层去除，蚀刻液可以采用硫酸体系，也可以采用氨水体系；之后使用碱性溶液(如氢氧化钠或其他碱性药水，可以是有机碱溶液)等去除蚀刻保护层以及蚀刻保护层所覆盖的防氧化导电层，即将电池片上保护背面铜细栅线的干膜、油墨等保护材料及防氧化导电层去除，以形成背面栅线；背面铜细栅线宽为0.05
‑
0.3mm，细栅线间距为0.1
‑
0.5mm。
[0030]S07：利用化学沉积法，在背面铜细栅线上沉积一层锡或铜锡合金或银的保护导电层，对背面铜细栅线起到保护作用，也可以提高栅线的导电能力；至此完成图2结构示意图。
[0031]实施例二:
[0032]本实施例与实施例一的区别仅在于：在进行步骤S07化学沉积保护导电层之前，在背面铜细栅线表面采用化学沉积方式沉积化学铜材质的高导电金属层(如图5所示)，厚度在0.2
‑
1.5um之间。
[0033]以上所述仅为本技术的制造实施例而已，并不用以限制本专利，凡在技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低耗银太阳能电池片，其特征在于：它包括待形成背面栅线的太阳能电池片、在太阳能电池片背面的背面银浆主栅线、与背面银浆主栅对应电连接的背面铜细栅线以及包覆背面铜细栅线表面且主要由锡或铜锡合金或银制成的保护导电层。2.根据权利要求1所述的低耗银太阳能电池片，其特征在于：所述背面铜细栅线的厚度在20
‑
1000nm之间，线宽为80
‑
300um，栅线间距为100
‑
500um。3.根据权利要求1所述的低耗银太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟文，杨与胜，庄辉虎，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：新型
国别省市：