一种PERC电池的SE激光掺杂图形和PERC电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种PERC电池的SE激光掺杂图形，包括若干防断栅，所述防断栅在水平激光SE线上均匀排布且与水平激光SE线呈一夹角α，其中，10

【技术实现步骤摘要】
一种PERC电池的SE激光掺杂图形和PERC电池制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池制备领域，更具体地说，涉及一种PERC电池的SE激光掺杂图形和PERC电池制备方法。

技术介绍

[0002]晶体硅太阳能电池在制造过程中，特别是高效PERC(Passivated Emitterand Rear Cell，发射极和背面钝化电池)+SE(选择极发射SelectiveEmitter)电池制作过程中，使用了激光SE技术，此技术的应用是在硅片扩散为高方阻，表面有一层厚的磷硅玻璃，激光打在硅片扩散面磷硅玻璃上，由于短暂的热作用使表面的磷硅玻璃磷扩散进入硅表面，形成磷重掺杂，即P++，印刷过程中P++处与金属接触形成欧姆接触，减少接触电阻，提高电池效率；未经过激光区域为轻掺杂，方阻较高，未有相匹配的浆料，接触性差，印刷浆料接触电阻较大，效率会偏低。
[0003]申请公布日为2020年5月19日，申请公布号为CN111180530A，专利名称为一种选择性发射极电池的制备方法的中国专利公开了一种技术方案，包括掺杂源扩散形成PN结和激光掺杂制作选择性发射极的步骤，其特征在于，所述激光掺杂制作选择性发射极的步骤中通过改变照射在硅片上欲金属化的区域激光的能量和光斑大小，使区域内所掺杂的元素富集，形成选择性发射极。该专利技术通过调整激光的能量和光斑大小，减小激光对电池片的损伤面积，实现SE在栅线接触区域和非接触区域实现不同的掺杂区，同时提升电池效率。
[0004]授权公告日为2021年7月27日，授权公告号为CN213798653U，专利名称为一种PERC电池正面DUP副栅对位结构的中国专利公开了一种技术方案，包括设置在电池正面上的SE激光MARK点和三道印刷图形，三道印刷图形包括三道主栅和对位孔，SE激光MARK点与所述三道印刷图形不重合。所述SE激光MARK点位于所述三道印刷图形之外。所述三道印刷图形是三道主栅，即对位孔在三道印刷网版确认位置后被遮挡而不会印刷在电池上。该技术的三道印刷图形包括三道主栅和对位孔，SE激光MARK点与三道印刷图形不重合，即为SE激光MARK点不被三道主栅和对位孔遮挡，印刷时，三道主栅和四道副栅均抓取SE激光MARK点，从而防止三道印刷对四道副栅印刷造成干扰，使得副栅印刷精准对位，从而解决EL雾状发黑问题。
[0005]此外，现有技术中在正面细栅网版设计采用防断栅和降阻图形设计，但激光SE图形只有水平细栅设计，未有在防断栅线和鱼叉区域打激光SE，但此处丝网印刷有正银浆料，接触处是高主阻，表面浓度低未能形成良好的欧姆接触，接触电阻大，进而影响电池效率的进一步提升。

技术实现思路

[0006]1.要解决的问题
[0007]针对现有技术中生产线在激光SE设计的图形的某些区域存在的接触电阻大，复合相对较高，导致电池填充较低，串阻增加，进而影响效率的进一步提升的问题，本专利技术提供
一种PERC电池的SE激光掺杂图形和PERC电池的制备方法。
[0008]2.技术方案
[0009]为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种PERC电池的SE激光掺杂图形，包括若干防断栅，所述防断栅在水平激光SE线上均匀排布且与水平激光SE线呈一夹角α，其中，10
°
≤α≤90
°
，在所述PERC电池的SE激光掺杂图形的顶部和/或底部还设置有若干降阻图形，所述降阻图形的一条边与水平方向的夹角为β，其中，10
°
≤β≤90
°
。本技术方案通过设置防断栅和降阻图形，并且防断栅与水平激光SE线在水平方向有一夹角，降阻图形的一条边与水平方向呈一夹角，便于丝网印刷，能够更好地解决印刷容易断栅和虚印，进而导致产品不良的问题。
[0010]进一步地，所述防断栅在竖直方向上间隔设置。
[0011]进一步地，所述防断栅在竖直方向上间隔设置。
[0012]进一步地，所述降阻图形在竖直方向上的长度为0.5
‑‑
20mm。
[0013]进一步地，所述防断栅与水平激光线的夹角α为30
°
≤α≤60
°
，所述降阻图形的一条边与水平方向的夹角β为30
°
≤β≤60
°
。
[0014]本专利技术还包括一种PERC电池制备方法，包括以下步骤：
[0015]S1：对硅片进行预处理；
[0016]S2：制备P
‑
N结；
[0017]S3：SE激光掺杂；
[0018]S4：对硅片进行再处理；
[0019]S5：激光开槽；
[0020]S6：对硅片背面进行背电极和背电场的印刷；
[0021]S7：烧结测试；
[0022]其中，步骤S3具体为：在激光图形中设置防断栅，所述防断栅在水平激光SE线上均匀排布且与水平激光SE线呈一夹角α，其中，10
°
≤α≤90
°
。
[0023]进一步地，在所述步骤S3中的激光图形的顶部和/或底部还设置有若干降阻图形，所述降阻图形在水平方向上间隔设置，所述降阻图形的一条边与水平方向的夹角为β，其中，10
°
≤β≤90
°
。
[0024]进一步地，所述步骤S3中的激光器的光斑为方形光斑，光斑宽度40～150um，激光频率10～5000KHz，脉冲能量为10～120uJ/脉冲，单位面积功率为2～80J/cm2。
[0025]进一步地，所述步骤S1包括：对硅片表面进行清洗，使硅片表面形成三角形绒面。
[0026]进一步地，所述步骤S2包括：将经过步骤S1加工得到的硅片表面进行淀积掺杂源并进行热扩散制备P
‑
N结；所述掺杂源为三氯氧磷和氧气。
[0027]进一步地，所述步骤S4包括：
[0028]S41、对硅片背面进行抛光、刻蚀和去除杂质处理；
[0029]S42、通过等离子体化学气相沉积使硅片正面形成氮化硅薄膜；
[0030]S43、通过原子层沉积技术或等离子体增强化学的气相沉积法沉积使硅片背面形成氧化铝薄膜；
[0031]S44、通过等离子体化学气相沉积使硅片背面形成氮化硅薄膜。
[0032]3.有益效果
[0033]相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：
[0034](1)本专利技术基于常规高效PERC+SE电池结构，在SE激光掺杂图形上，增加防断栅处激光SE、顶部和底部的降阻激光SE，激光参数与原保持一致，能提升电池的填充和降低串阻，进而提升电池效率；
[0035](2)本专利技术结构简单，设计合理，易于制造。
附图说明
[0036]图1为本专利技术的工艺流程图；
[0037]图2为现有技术中SE激光掺杂图形示意图；
[0038]图3为本专利技术的SE激光掺杂图形示意图之一；
[0039]图4为本专利技术的SE激光掺杂图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PERC电池的SE激光掺杂图形，其特征在于：包括若干防断栅，所述防断栅在水平激光SE线上均匀排布且与水平激光SE线呈一夹角α，其中，10
°
≤α≤90
°
，在所述PERC电池的SE激光掺杂图形的顶部和/或底部还设置有若干降阻图形，所述降阻图形的一条边与水平方向的夹角为β，其中，10
°
≤β≤90
°
。2.根据权利要求1所述的PERC电池的SE激光掺杂图形，其特征在于：所述防断栅在竖直方向上间隔设置。3.根据权利要求1或2所述的PERC电池的SE激光掺杂图形，其特征在于：所述降阻图形在竖直方向上的长度为0.5
‑‑
20mm。4.根据权利要求1或2所述的PERC电池的SE激光掺杂图形，其特征在于：所述防断栅与水平激光线的夹角α为30
°
≤α≤60
°
，所述降阻图形的一条边与水平方向的夹角β为30
°
≤β≤60
°
。5.一种PERC电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：对硅片进行预处理；S2：制备P
‑
N结；S3：SE激光掺杂；S4：对硅片进行再处理；S5：激光开槽；S6：对硅片背面进行背电极和背电场的印刷；S7：烧结测试；其中，步骤S3具体为：在激光图形中设置防断栅，所述防断栅在水平激光SE线上均匀排布...

【专利技术属性】
技术研发人员：眭山，郑清吉，王玉浩，高柳，戴睿哲，芮亚豪，吴星，刘小瑞，侯东京，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：