一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池片领域，涉及一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法。

技术介绍

[0002]硼扩散在太阳能电池领域有着广泛应用，在隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池、钝化发射极背部局域扩散(PERL)电池等高效电池的制备过程中都需要在硅片正表面进行硼扩散制备p
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n结。常规硼扩散采用三溴化硼或三氯化硼，这两种工艺气体都会对石英件造成腐蚀；长期运行将造成石英件损坏，增加了设备的运营成本。另外，采用硼扩散，表面硼硅玻璃的掺杂浓度仅为1E
19 atoms/cm3量级，由于掺杂浓度偏低，难以形成选择性发射极，或者难以降低重掺杂区域的接触电阻和金属复合，不利于提高开路电压；同时，由于掺杂浓度偏低，也不能有效提高轻掺杂区域的俄歇复合和短波量子效率，不利于提高其短路电流，进而使得选择性发射极对太阳能电池转换效率的提升效果不明显。此外，本申请专利技术人在实际研究中还发现，若掺杂浓度偏低(如低于5E
20 atoms/cm3量级)，则即便是在后续工艺中采用激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅基体表面制备硼原子掺杂浓度≥1E
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atoms/cm3的硼硅玻璃薄膜；(2)采用激光对硅基体表面金属接触区域的硼硅玻璃薄膜进行局部掺杂；(3)对经过局部掺杂后的硅基体进行高温退火，完成对晶硅太阳能电池选择性发射极的制备。2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述硼硅玻璃薄膜中硼原子掺杂浓度为1E
21 atoms/cm3～6E
21 atoms/cm3。3.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述硼硅玻璃薄膜的厚度为50nm～500nm。4.根据权利要求3所述的晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，采用PECVD工艺在硅基体表面制备硼硅玻璃薄膜，包括以下步骤：(1.1)将硅基体置于PECVD设备中，抽真空至0.05mbar以下，对反应腔体进行加热，加热至温度为150℃～600℃；(1.2)将工艺气体通入到反应腔体中，对工艺气体进行电离，形成等离子体并轰击到硅基体表面，在硅基体表面成膜，得到硼硅玻璃薄膜。5.根据权利要求4所述的晶硅太阳能电池选择性发射极的制备方法，其特征在于，步骤(1.1)中，所述PECVD设备中平行极板的间距为25mm～120mm；步骤(1.2)中，所述工艺气体为硅源气体、硼源气体、氧源气体和辅助气体；所述硅源气体为含硅元素工艺气体；所述含硅元素工艺气体为硅烷和/或乙硅烷；所述硼源气体为含硼元素工艺气体；所述含硼元素工艺气体为硼烷、乙硼烷、丁...

【专利技术属性】
技术研发人员：许烁烁，张威，杨斌，徐伟，李涛，吴易龙，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：