曝光系统及曝光系统的降温方法技术方案

本发明专利技术提供了一种曝光系统，包括掩模板载台、掩模板和至少一个降温装置，所述掩模板位于所述掩模板载台上，所述降温装置位于所述掩模板载台上并位于所述掩模板的一侧，所述降温装置用于对所述掩模板进行降温，所述降温装置包括至少一个出风口，所述出风口用于传输冷却气体，所述冷却气体以设定传输方向被传输至所述掩模板上。通过在掩模板承载台上设置降温装置，并将所述降温装置设置于所述掩模板的侧面，对所述掩模板进行降温，从根本上解决了掩模板连续曝光受热膨胀的问题，避免了在曝光作业中更换掩模板，不需要管控光罩进行排货，提高了生产效率。高了生产效率。高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
曝光系统及曝光系统的降温方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种曝光系统及曝光系统的降温方法。

技术介绍

[0002]在光刻机曝光过程中，掩模板吸收一部分光子产生热量，特别针对于暗掩模(光罩透光率较小于3％)，热效应尤为明显。掩模板的热膨胀，使掩模板上所承载的图形发生微小的位移，反应到晶圆(wafer)上会引起曝光区域(shot)内的当层和前层的套刻(Overlay)的偏差。
[0003]业界通常是采用掩模形状修正(top reticle correction)技术来修正掩模热效应，通过热传感器阵列测量每一次曝光对掩模板上的温度分布影响，使用事先建立的理论模型计算出掩模板的膨胀量的分布，最后根据光刻机的模型来确定曝光时的补偿量，实现对掩模板热膨胀的补偿，但这并没有真正改善掩模受热膨胀的问题，针对连续跑货情况下无法进行有效补偿。因此，还需管控光罩，进行排货，但这又势必降低了生产效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种曝光系统及曝光系统的降温方法，以解决掩模板热膨胀导致曝光区域套刻误差偏差和生产效率低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种曝光系统，包括掩模板载台、掩模板和至少一个降温装置，所述掩模板位于所述掩模板载台上，所述降温装置位于所述掩模板载台上并位于所述掩模板的一侧，所述降温装置用于对所述掩模板进行降温，所述降温装置包括至少一个出风口，所述出风口用于传输冷却气体，所述冷却气体以设定传输方向被传输至所述掩模板上。r/>[0006]可选的，所述曝光系统包括两个降温装置，两个所述降温装置分别位于所述掩模板载台的相对的两端。
[0007]可选的，所述降温装置内设置有风道，所述风道用于传输冷却气体，所述风道与所述风口相连通。
[0008]可选的，所述冷却气体的设定传输方向与所述掩模板的所在平面的夹角包括30度
‑
45度。
[0009]可选的，所述冷却气体为洁净干燥的压缩空气、氮气或者惰性气体。
[0010]可选的，所述冷却气体的温度为20℃～22℃。
[0011]可选的，所述降温装置的出风口的长度大于所述掩模板的长度，以使得所述出风口吹出来的冷却气体能够完全覆盖所述掩模板的整个表面。
[0012]可选的，所述曝光系统还包括温控装置，用于检测所述掩模板的实时温度。
[0013]可选的，所述降温装置和所述掩模板载台固定连接。
[0014]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供了一种曝光系统的降温方法，包括：
[0015]进行曝光工艺；
[0016]温控装置检测到掩模板温度达到预设阈值，暂停当前曝光工艺；
[0017]启动降温装置，所述降温装置内吹出冷却气体，对所述掩模板进行降温；
[0018]当温控装置检测到所述掩模板的温度达到曝光工艺温度，继续进行曝光工艺。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0020]在本专利技术提供的曝光系统及曝光系统的降温方法中，通过在掩模板承载台上设置降温装置，并将所述降温装置设置于所述掩模板的侧面，所述降温装置的出风口用于传输冷却气体，并使所述冷却气体以设定传输方向传输至所述掩模板上以对所述掩模板进行降温，从根本上解决了掩模板连续曝光受热膨胀的问题，进而解决了掩模板因受热膨胀引入高阶项的当层和前层的套刻误差的偏差无法补偿的问题，避免在曝光作业中更换掩模板，不需要管控掩模板进行排货，提高了生产效率。
附图说明
[0021]图1是本专利技术实施例的曝光系统的主视图；
[0022]图2是本专利技术实施例的曝光系统的俯视图；
[0023]图3是本专利技术实施例的曝光系统的沿AA
’
的剖面图；
[0024]图4是本专利技术实施例的曝光系统的降温方法流程图；
[0025]图中，
[0026]11
‑
掩模板载台；11a
‑
承载面；12
‑
掩模板；13
‑
降温装置；13a
‑
风道；13b
‑
风口；14
‑
温控装置；14a
‑
热传感器；14b
‑
支架。
具体实施方式
[0027]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的曝光系统及曝光系统的降温方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0028]图1是本专利技术实施例的曝光系统主视图，图2是本专利技术实施例的曝光系统的俯视图。如图1和图2所示，本实施例提供一种曝光系统，包括掩模板载台11、掩模板12和至少一个降温装置13，掩模板载台11具有一承载面11a，所述掩模板12位于所述掩模板载台11的承载面11a上，所述降温装置13位于所述掩模板载台11上方并位于所述掩模板12的一侧，所述降温装置13用于对所述掩模板12进行降温。本实施例中，所述降温装置13包括至少一个出风口13b，所述出风口13b用于传输冷却气体，并使所述冷却气体以设定传输方向传输至所述掩模板上12。
[0029]所述掩模板载台11的中间为中空结构，所述掩模板12位于中空结构上，在本实施例中，所述掩模板载台11例如是正方形结构。
[0030]优选方案中，所述降温装置13和所述掩模板载台11固定连接，例如是焊接连接，所述降温装置13固定在所述掩模板载台11的承载面11a的边缘区域。请继续参考图1，本实施例中，所述曝光系统包括两个降温装置13，两个所述降温装置13分别位于所述掩模板12的承载面11a的两端。两个所述降温装置13结构相同，设置两个所述降温装置13可以完全覆盖
所述掩模板12的面积，也可以更均匀的降温，降温效率更高。
[0031]所述掩模板12的材质例如是铬层，所述掩模板12上具有图形。掩模板12的结构为本领域技术人员所熟知，此处不予赘述。
[0032]所述降温装置13的本体结构为长方体结构，所述降温装置13内设置有风道13a，所述风道13a与所述风口13b相连通，所述风口13b朝向所述掩膜板12。具体的，所述风道13a包括第一风道和第二风道，所述第一风道和第二风道相连通，所述第一风道沿所述降温装置13垂直设置，所述第二风道和所述第一风道呈夹角设置，所述夹角例如是45度
‑
60度。所述风道13a用于传输冷却气体，并使所述冷却气体以设定传输方向传输至所述掩模板上。所述冷却气体的设定传输方向与所述掩模板12的所在平面的夹角例如是30度
‑
45度。所述冷却气体例如是洁净干燥的压缩空气(clean dry air，CDA)或者氮气(N2)，所述冷却气体也可以是惰性气体，所述惰性气体优选为对人体无伤害的惰性气体，本实施例对此不予限制。所述冷却气体的温度例如是20℃～22℃，经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光系统，其特征在于，包括掩模板载台、掩模板和至少一个降温装置，所述掩模板位于所述掩模板载台上，所述降温装置位于所述掩模板载台上并位于所述掩模板的一侧，所述降温装置用于对所述掩模板进行降温，所述降温装置包括至少一个出风口，所述出风口用于传输冷却气体，所述冷却气体以设定传输方向被传输至所述掩模板上。2.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述曝光系统包括两个降温装置，两个所述降温装置分别位于所述掩模板载台的相对的两端。3.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述降温装置内设置有风道，所述风道用于传输冷却气体，所述风道与所述风口相连通。4.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述冷却气体的设定传输方向与所述掩模板的所在平面的夹角为30度
‑
45度。5.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，陈超，任轩达，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：