【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微结构及其制造方法。
技术介绍
以前，使用半导体元件制造工艺及类似于此的方法来进行制造微小机械的研究。例如，通过加工硅片，制造如齿轮或桥结构那样的具有空隙部和在该空隙部内可移动的部分的立体结构体。近年来，正在进行如下研究通过将如上所述的结构体和半导体元件制造在同一衬底上、或者将分别制造了的结构体和半导体元件贴在一起，来制造具有一个功能的微小的机电装置。这些被称为MEMS(微机电系统；Micro Electro Mechanical System)、微机械、微加工等。这种微小的机电装置(微机械)根据制造方法大致分为以下两种。通过蚀刻或研磨等加工硅片或SOI(绝缘体上硅；Silicon on Insulator)衬底本身来制造立体结构体的情况称为体微机械。另一方面，在硅片等的衬底上层叠形成薄膜，通过光刻法及蚀刻法加工该薄膜，来制造立体结构体的情况称为表面微机械。在体微机械中，由于从各种方向加工衬底，所以当制造立体结构体时，具有大的自由度，从而可以制造各种结构体。但是，在体微机械中，与半导体元件的制造工艺互不兼容的工序很多。因此，在很多情况下，将半导体...
【技术保护点】
一种微结构，包括： 第一结构层；以及 夹着空隙与所述第一结构层相对，且部分地固定于所述第一结构层上的第二结构层， 其中，所述第一结构层及所述第二结构层中的至少一个可以改变位置；并且 所述第一结构层及所述第二结构层的相对的表面的粗糙度不同。
【技术特征摘要】
JP 2006-3-10 2006-0667861.一种微结构，包括第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且部分地固定于所述第一结构层上的第二结构层，其中，所述第一结构层及所述第二结构层中的至少一个可以改变位置；并且所述第一结构层及所述第二结构层的相对的表面的粗糙度不同。2.根据权利要求1的微结构，其中，所述第一结构层及所述第二结构层之一为结晶硅膜。3.一种包括提供在衬底上的微结构和半导体元件的半导体器件，其中，所述微结构包括第一结构层以及夹着空隙部与所述第一结构层相对且部分地固定于所述第一结构层上的第二结构层；所述半导体元件包括半导体层以及隔着栅绝缘层设置在所述半导体层上的栅电极层；所述第一结构层由与所述半导体层相同的材料形成；所述第二结构层的一部分由与所述栅绝缘层相同的材料形成；并且所述微结构的所述第一结构层和所述第二结构层中的至少一个可以改变位置，并且所述第一结构层和所述第二结构层的相对的表面的粗糙度不同。4.根据权利要求3的半导体器件，其中，所述微结构的所述第一结构层和所述半导体元件的所述半导体层都为结晶硅膜。5.一种微结构的制造方法，包括以下工序在衬底上形成第一结构层；对所述第一结构层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层上形成牺牲层；对所述牺牲层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层及所述牺牲层上形成第二结构层；以及去除所述牺牲层，以形成空隙部。6.一种微结构的制造方法，包括以下工序在衬底上形成第一结构层；通过照射激光束对所述第一结构层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层上形成牺牲层；通过照射激光束对所述牺牲层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层及所述牺牲层上形成第二结构层；以及去除所述牺牲层，以形成空隙部。7.一种微结构的制造方法，包括以下工序在衬底上形成第一结构层；通过照射激光束对所述第一结构层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层上形成牺牲层；通过加热处理对所述牺牲层进行表面粗糙处理；在所述第一结构层及所述牺牲层上形成第二结构层；以及去除所述牺牲层，以形成空隙部。8.根据权利要求5的微结构的制造方法，其中，使用钨、钼、或者钛形成所述牺牲层。9.根据权利要求6的微结构的制造方法，其中，使用钨、钼、或者钛形成所述牺牲层。10.根据权利要求5的微结构的制造方法，其中，使用铝形成所述牺牲层...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口真弓，泉小波，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。