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微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法技术
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文档序号:3183243
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本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括:第一结构层;以及夹着空隙与所述第一结构层相对,且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外,第一结构层及第二结构层的相...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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